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[常见问题解答]高效能与低功耗：AO8822 MOS管特点与应用解析[ 2024-12-26 11:41 ]

AO8822是一款广泛应用于低功耗设计领域的双NMOS晶体管。其优异的性能和多样化的应用场景使其成为众多电子工程师首选的分立器件之一。我们从实际应用的角度来分析如何在各种情况下同时实现高性能和低功耗。一、AO8822的主要特点1. 电阻仅为0.018欧姆该功能大大降低了器件开启时的功耗，非常适合需要频繁开关的电路。这在高负载下连续运行时尤其重要。2. 高电流容量AO8822支持高达7A的连续漏极电流，最大漏源电压为20V。这种能力使其能够处理高功率或高峰值电流的情况，表现出很强的适应性。3. 快速开关速度该器件具有

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[常见问题解答]什么是MOS管的连续漏极电流？从基础到实际应用的全面剖析[ 2024-10-23 15:50 ]

MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是非常常见的器件。它在放大电路的各种电流管理和漏电流中起着重要作用，直接影响MOS管的工作效率和稳定性。本文将从基本概念出发，详细分析MOS管的连续漏极电流，并讨论其实际应用。一、什么是连续电流连续漏极电流是指MOS管长时间稳定工作时从漏极流向源极的电流。它是MOS管的主要性能指标之一，直接反映MOS管在特定电压和温度条件下的性能。当MOS管处于导通状态时，这个电流的大小决定了电路中MOS管的输出特性、制造工艺、使用环境等。在器件数据手册中，该参数通常为ID（漏极电流），以帮

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[技术文章]IRFZ44N 典型应用电路[ 2024-04-23 17:35 ]

IRFZ44N是一种常用的功率MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电源、电机驱动和其他高电流、高速开关应用。它的主要特点包括高电流承载能力、低栅极电荷和优异的热性能，适合于需要高效率和可靠性的电子设备。一、主要参数：- 最大耗散功率： 94 W- 最大连续漏极电流： 49 A- 最大栅极-源极电压： ±20 V- 阈值电压（Vgs(th)）： 2.0 - 4.0 V- 静态漏极-源极电阻（Rds(on)）： 17.5 mΩ二、应用场景：1. 开关电源：在开关电源中

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[技术文章]STM32F407VGT6 典型应用电路[ 2024-04-23 17:35 ]

IRFZ44N是一种常用的功率MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电源、电机驱动和其他高电流、高速开关应用。它的主要特点包括高电流承载能力、低栅极电荷和优异的热性能，适合于需要高效率和可靠性的电子设备。一、主要参数：- 最大耗散功率： 94 W- 最大连续漏极电流： 49 A- 最大栅极-源极电压： ±20 V- 阈值电压（Vgs(th)）： 2.0 - 4.0 V- 静态漏极-源极电阻（Rds(on)）： 17.5 mΩ二、应用场景：1. 开关电源：在开关电源中

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[行业资讯]BSS84场效应管参数,BSS84参数中文资料,BSS84替代[ 2022-05-17 10:56 ]

BSS84场效应管参数,BSS84参数中文资料,BSS84替代场效应管BSS84参数,丝印PD,BSS84封装引脚图,BSS84中文资料PDF,MOS管厂家产品名称：场效应MOS管产品型号：BSS84 极性：P沟道漏源电压：-50V 连续漏极电流：-130mA 封装：SOT-23等...

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[行业资讯]AO3415场效应管参数,AO3415参数中文资料,AO3415替代[ 2022-05-17 10:25 ]

AO3415场效应管参数,AO3415参数中文资料,AO3415替代场效应管AO3415参数,丝印AFCP,AO3415封装引脚图,AO3415中文资料PDF,MOS管厂家产品名称：场效应MOS管产品型号：AO3415 极性：P沟道漏源电压：-20V 连续漏极电流：-5A 封装：SOT-23等...

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[行业资讯]AO3414场效应管参数,AO3414中文资料规格书,AO3414替代[ 2022-05-11 17:44 ]

AO3414场效应管参数,AO3414中文资料规格书,AO3414替代场效应管AO3414参数,丝印AE9T,AO3414封装引脚图,AO3414中文资料PDF,MOS管厂家产品名称：场效应MOS管产品型号：AO3414 极性：N沟道漏源电压：20V 连续漏极电流：4.2A 封装：SOT-23等...

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[行业资讯]AO3413场效应管参数,AO3413中文资料规格书,AO3413替代[ 2022-05-11 17:02 ]

AO3413场效应管参数,AO3413中文资料规格书,AO3413替代场效应管AO3413参数,丝印ADEA,AO3413封装引脚图,AO3413中文资料PDF,MOS管厂家产品名称：场效应MOS管产品型号：AO3413 极性：P沟道漏源电压：-20V 连续漏极电流：-3A 封装：SOT-23等...

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[行业资讯]AO3410场效应管参数,AO3410中文资料规格书,AO3410替代[ 2022-05-05 18:17 ]

AO3410场效应管参数,AO3410中文资料规格书,AO3410替代场效应管AO3410参数,丝印A01TT,AO3410封装引脚图,AO3410中文资料PDF,MOS管厂家产品名称：场效应MOS管产品型号：AO3410 极性：N沟道漏源电压：30V 连续漏极电流：5.8A 封装：SOT-23等...

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[行业资讯]AO3409场效应管参数 AO3409中文资料规格书 AO3409替代[ 2022-05-05 16:03 ]

AO3409场效应管参数,AO3409中文资料规格书,AO3409替代场效应管AO3409参数,丝印A99T,AO3409封装引脚图,AO3409中文资料PDF,MOS管厂家产品名称：场效应MOS管产品型号：AO3409 极性：P沟道漏源电压：-30V 连续漏极电流：-2.6A 封装：SOT-23等...

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[行业资讯]A79T/AO3407场效应管参数 AO3407丝印替代 AO3407中文资料PDF[ 2022-04-20 16:38 ]

A79T/AO3407场效应管参数 AO3407中文资料PDF 引脚图丝印 AO3407替代 AO3407场效应管参数,AO3407引脚图封装,AO3407丝印,AO3404中文资料PDF,规格书,AO3404替代；产品名称：AO3407,-30V,P沟道场效应管产品类型：场效应管/MOS管/MOSFET；产品型号：AO3407 极性：P沟道漏源电压：-30V 连续漏极电流：-4.1A 封装：SOT-23等

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[行业资讯]A49T/AO3404参数,AO3400场效应管参数中文资料,AO3404丝印,MOS管[ 2022-04-15 14:34 ]

A49T/AO3404参数,AO3400场效应管参数中文资料,AO3404丝印,MOS管； AO3404场效应管参数资料,AO3404中文资料PDF,AO3404规格书,AO3404替代,AO3404A封装；产品名称：AO3404,30V,N沟道场效应管产品类型：场效应管/MOS管/MOSFET 产品型号：AO3404 极性：N沟道漏源电压：30V 连续漏极电流：5A 封装：SOT-23等

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[行业资讯]2N60,2N60场效应管参数,引脚图,2N60规格书中文资料 - 壹芯微[ 2022-02-14 12:13 ]

2N60,2N60场效应管参数,引脚图,2N60规格书中文资料 - 壹芯微产品型号：2N60描述：MOSFET,N-CH,600V,1.6A,TO220F详细描述：通孔,N通道,600V,1.6A（Tc）,28W（Tc）,TO-220F-3制造商：Shenzhen Yixinwei Technology Co.,Ltd供应商：深圳市壹芯微科技有限公司规格书：2N60规格书2N60引脚图2N60电路符号2N60产品属性通道类型N最大连续漏极电流2 A最大漏源电压600 V封装类型TO-220F安装类型通孔引脚数目3最

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[行业资讯]IRFR7540场效应管参数-PDF规格书下载[ 2021-10-18 17:37 ]

IRFR7540场效应管参数-PDF规格书下载IRFR7540场效应管参数及代换,IRFR7540封装引脚图,IRFR7540中文资料规格书PDFIRFR7540.pdf 规格书查看下载IRF7540场效应管参数如下：极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:110 ARds On-漏源导通电阻:4.8 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:20 VVgs th-栅源极阈值电压:3.7 VQg-栅极电荷:86 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 175 CPd

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[行业资讯]5N60L-TN3-R场效应管参数规格书 MOS管厂家直营 - 壹芯微[ 2021-09-16 11:14 ]

5N60L-TN3-R场效应管参数规格书 MOS管厂家直营 - 壹芯微5N60L-TN3-R场效应管主要参数极性：N沟道；电压(VDSS)：600V；电流(ID)：5A；封装(Pageke)：TO-252；大芯片，高品质，原厂批量直销，提供技术支持，免费送样测试，替代原装进口品牌型号漏源电压 VDSS 600栅源电压 VGSS ±30雪崩电流(注 2) IAR 5连续漏极电流 ID 5脉冲漏极电流(注 2)IDM 20雪崩能源单脉冲(注 3)EAS 210重复(注 2) EAR 10峰值二极管恢复

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[行业资讯]1N60L-TN3-R场效应管,1N60L-TN3-R参数中文资料 - 壹芯微[ 2021-09-16 10:16 ]

1N60L-TN3-R场效应管,1N60L-TN3-R参数中文资料 - 壹芯微1N60L-TN3-R场效应管主要参数极性：N沟道；电压(VDSS)：600V；电流(ID)：1.2A；封装(Pageke)：TO-252；大芯片，高品质，原厂批量直销，提供技术支持，免费送样测试，替代原装进口品牌型号漏源电压 VDSS 600 V栅源电压 VGSS ±30 V雪崩电流(注 2) IAR 1.2 A连续漏极电流 ID 1.2 A脉冲漏极电流(注 2) IDM 4.8 A雪崩能量单脉冲(注 3) EAS 50

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[行业资讯]30N06参数,30N06 MOS管报价免费送样 - 壹芯微[ 2021-09-15 14:45 ]

30N06参数,30N06 MOS管报价免费送样 - 壹芯微30N06场效应管主要参数极性：N沟道；电压(VDSS)：60V；电流(ID)：30A；封装(Pageke)：TO-252；大芯片，高品质，原厂批量直销，提供技术支持，免费送样测试，替代原装进口品牌型号绝对最大额定参数漏源电压 VDSS：60 V栅源电压 VGSS：±20 V连续漏极电流 TC=25°C ID：30 A连续漏极电流 TC=100°C ID：21.3 A脉冲漏极电流(注 2) IDM：120 A雪崩能量单脉冲(

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[行业资讯]IRLR3114Z场效应管参数中文资料选型替代 MOS管生产厂家 - 壹芯微[ 2021-09-14 10:18 ]

IRLR3114Z场效应管参数中文资料选型替代 MOS管生产厂家 - 壹芯微IRLR3114Z场效应管主要参数极性：N沟道；电压(VDSS)：40V；电流(ID)：130A；封装(Pageke)：TO-252；大芯片，高品质，原厂批量直销，提供技术支持，免费送样测试，替代原装进口品牌型号ID@TC=25°C连续漏极电流，VGS@10V（Silicon Limited）130AID@TC=100°C连续漏极电流，VGS@10V（Silicon Limited）89AID@TC=25°C连续

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[行业资讯]IRFR4510场效应管参数中文资料 MOS管选型替代生产厂家 - 壹芯微[ 2021-09-14 09:40 ]

IRFR4510场效应管参数中文资料 MOS管选型替代生产厂家 - 壹芯微IRFR4510场效应管主要参数极性：N沟道；电压(VDSS)：100V；电流(ID)：63A；封装(Pageke)：TO-252；大芯片，高品质，原厂批量直销，提供技术支持，免费送样测试，替代原装进口品牌型号ID@TC=25°C 连续漏极电流，VGS@10V（Silicon Limited）63AD@TC=100°C 连续漏极电流，VGS@10V（Silicon Limited）45AID@TC=25°C 连续漏

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