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[常见问题解答]MDD肖特基二极管并联与串联应用:电流处理能力的优化方法[ 2025-04-18 15:11 ]
在现代电源设计中,肖特基二极管因其低正向压降和高速开关特性,广泛应用于高频、高效能的功率系统。然而,在一些高功率场合,单颗肖特基二极管的电流处理能力往往不足以满足需求,因此需要通过并联或串联的方式来提升其电流和电压承载能力。一、并联设计:优化电流承载能力并联配置是提升电流承载能力的一种常见方法。在理想情况下,N颗肖特基二极管并联使用时,其总电流能力将是单颗器件的N倍。然而,由于各二极管的正向压降(VF)会有所不同,电流的分配可能会变得不均匀。VF较低的二极管会首先导通,承担更多的电流,这种不均匀的电流分配可能导致过
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[常见问题解答]多个二极管同时导通的原因与解决思路[ 2025-04-11 12:09 ]
在电子电路设计与维修过程中,多个二极管出现同时导通的现象并不罕见。特别是在一些电源转换、整流滤波、电压钳位以及信号控制电路中,这种问题的出现,往往会导致电路无法正常工作,甚至引发器件损坏。一、多个二极管同时导通的典型原因1. 电路设计存在结构性缺陷有些设计方案在二极管并联或串联使用时,没有充分考虑各支路的电压差异、电流分配或器件特性差异,导致多个二极管在非预期情况下同时导通。2. 二极管参数不一致尤其是在并联使用二极管时,不同品牌或批次的二极管其正向压降(VF值)存在微小差异,长期使用后可能加剧这一差距,进而使本应
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[常见问题解答]将PIC单片机集成到UPS电源方案中:技术突破与挑战[ 2024-07-20 12:21 ]
在电信和电力行业中,各种直流电源系统需求的电流和电压都有所不同。面对高容量需求,常见的解决方案是多个同一电压级别的低容量电源模块并联使用。然而,当并联模块过多时,会对电流分配和系统可靠性产生负面影响。这促使市场对高容量电源模块的需求日益增加,作为回应,研发团队开发了高容量的开关电源模块。这些高容量开关电源通常包括主电路和控制电路,而更为先进的智能开关电源还包括由微型计算机构成的数控系统。这些系统不仅增强了智能功能,还能监控开关电源的关键参数和各类故障信号,并将这些信息发送到上位机。此外,上位机可以通过这些微型计算系
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[常见问题解答]三极管:从结构到功能的全面探讨[ 2024-04-30 11:24 ]
一、三极管的结构及其工作原理三极管,也称为晶体三极管,是电子线路中核心的基础元件,主要承担放大信号、控制电流和实现电信号的开关转换功能。该部分将详尽探讨三极管的工作特性,涵盖其构造、工作原理及其在多种电路中的实际应用。结构细节:三极管是由三块半导体材料构成,涉及两块N型和一块P型半导体。它的结构分为三部分:集电区、基区与发射区。基本工作原理:三极管的操作机制基于PN结半导体的电流分配效应。当基极电流产生变动时,集电极和发射极的电流也会相应地调整,进而达到电流的放大效果。二、三极管的工作特性电流放大功能:三极管的一个
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[常见问题解答]IGBT如何并联使用[ 2024-01-03 18:44 ]
IGBT如何并联使用IGBT的并联使用并联使用IGBT组成开关器件可以使整个系统得到更高的额定电流,但是设计并联系统时必须考虑一些重要问题,如模块特性、驱动电路以及电路的布局,这些因素影响着并联支路的电流分配,可能导致并联的每个IGBT电流分配不均衡。其中,模块特性中的伏安特性主要影响静态运行时的电流分配,转移特性和驱动电路以及布局主要影响动态运行时的电流分配。由于电流分配的不均衡,使n个IGBT并联的额定电流并不等于n倍的单个模块的额定电流,所以对并联IGBT模块必须降额使用。在设计IGBT并联系统时,首先要确定
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[常见问题解答]三极管(BJT)工作在饱和区为什么要求集电极正偏解析[ 2020-07-10 17:06 ]
三极管(BJT)工作在饱和区为什么要求集电极正偏解析晶体管共发射极电流放大作用的深层原理(本文仅供参考)以下文字中,用“BJT”缩写代指双极型晶体管,即一般的三极管。目前国内的模电教科书,对BJT电流放大作用,特别是共发射极电流放大作用,存在讲述不清的问题,因为要正确理解BJT共发射极电流放大作用,需要较深的半导体知识,已经超出模电教学大纲的基本要求。一般模电教科书,是先以共基极放大电路讲出BJT内部的电流分配关系,即IE=IB+IC,同时IB<<IC,然后就一步跳到共发射极放大
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[常见问题解答]功率MOSFET并联时产生寄生振荡的原因与解决方案[ 2019-11-23 12:04 ]
功率MOSFET并联时产生寄生振荡的原因与解决方案功率MOS管即功率MOSFET,具有热漂移小,驱动电路简单,驱动功率小,开关速度快,工作频率高等优点。凭借出色的热稳定性,将多个功率MOSFET并联的方法可行而简单,这对提高输出电流非常有意义。事实上,MOSFET工作于高频率开关状态,任何电气特性差异和电路杂散电感均可导致瞬时电压峰值,以及并联MOSFET之间的电流分配不平衡。这是非常有害的,因为电流不平衡可能导致功率损耗过大并损坏器件。并联MOSFET(左)及寄生振荡状态的等效电路(右)并联连接时,最重要的是避免
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