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[常见问题解答]多值电场晶体管结构的设计与应用分析[ 2025-04-23 12:02 ]
多值电场晶体管(MV-Field Effect Transistor, MV-FET)作为新型半导体器件,具有多进制逻辑运算的潜力,因此在现代电子技术中受到了越来越多的关注。其结构与传统的二进制晶体管不同,能够提供多种电压选择,适用于更加复杂的电路和应用需求。1. 结构设计多值电场晶体管的结构通常由多个PN结组成,每个PN结都在特定的外加电场作用下表现出不同的电气特性。通过调节电场的强度和方向,可以使晶体管在多个电压状态下进行操作,这使得该晶体管能够在多进制逻辑中发挥重要作用。结构上,MV-FET的核心设计在于其电
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[常见问题解答]低功耗MOS管选型指南:封装类型与应用解析[ 2025-03-07 14:51 ]
随着电子技术不断进步,设备对小型化和低功耗的需求日益增长。MOS管(金属氧化物半导体场效应管)因其高效的开关性能和低损耗特性,在电源管理、信号处理及各类开关电路中发挥着关键作用。合理选型不仅能减少能耗,延长设备续航,还能提升电路的整体运行效率。一、低功耗MOS管选型关键要素在选择MOS管时,需要结合具体的应用需求进行评估,以下几个关键参数至关重要:1. 工作电压与电流MOS管的工作电压和电流是选型的基础,主要包括:- 最大漏-源电压(Vds):决定了MOS管能够承受的最大电压,应根据电路工作电压选择合适的Vds,通
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[常见问题解答]常见双电源选择供电电路-场效应管应用电路分析(1)[ 2021-04-07 10:18 ]
常见双电源选择供电电路-场效应管应用电路分析(1)先上今天的电路,一个简单的双电源供电系统。可以理解为,一个为电池供电,一个为充电器供电。需要对供电进行选择, 情景为当充电器存在的时候,系统供电走充电器;当充电器不在的时候,系统供电走电池。PMOS管 为电源开关电压选择V8V存在,并且V8V的电压高于VBAT Vgs>-0.4V ,则V8V会提供全部电压,PMOS关断,VBAT无法提供电压给VSIN;V8V不在,电压低,由于Vgs<-1.5V,Q8导通,VBAT供电给VSIN。接地R120作用:保证初始
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[常见问题解答]NPN三极管与PNP三极管开关电路的区别[ 2021-03-19 12:15 ]
NPN三极管与PNP三极管开关电路的区别NPN三极管开关电路 1、此电路工作在开关状态,R1与R2的值,与Q1增益无关。2、R1根据输入电压选择,一般这种电路Q1的B极电流约1ma就可以进入饱和状态,三极管B-E压降0.7V所以(5-0.7)/1=4.3K,根据结果选择近似的常用电阻就行,4.7K常用,所以选4.7K的。3、R2是下拉电阻,作用是在无输入信号时使3极管可靠截止,选择就简单了,只要R1 R2分压后大于0.7V就可以,R2如果过大,下拉电流太小可能起不到作用。为什么选10K的,也是因为10K的
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