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[常见问题解答]设计整流二极管电路时需要关注的关键因素[ 2025-02-07 11:28 ]

整流二极管在电子电路中扮演着至关重要的角色，主要用于将交流电转换为直流电。无论是在电源适配器、工业电源，还是汽车电子等应用场景中，整流二极管的合理选择和电路设计都会直接影响系统的性能、稳定性和寿命。因此，在设计整流二极管电路时，需要全面考虑多个关键因素，以确保电路的可靠性和高效性。一、整流二极管的选择1. 电流承载能力在整流电路中，二极管需要处理电源流过的电流，因此必须选择额定电流大于实际工作电流的二极管，以避免器件过热损坏。例如，在某些大功率整流电路中，肖特基二极管因其较低的正向压降和高效率成为理想选择。2. 反

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[常见问题解答]提高电路抗干扰能力：ESD保护器件应用环境的关键因素[ 2025-01-06 12:14 ]

电磁干扰和静电放电 (ESD) 是设计现代电子设备时不可忽视的两个风险源。随着技术的不断发展，电子产品的集成度逐渐提高，为了保证电子设备的稳定运行，静电放电造成电路的风险也随之增加。然而，在选择和使用这些保护装置时，环境温度的重要性往往被忽视。湿度、工作电压等因素会对 ESD 保护器件的性能产生重大影响。正确了解这些环境因素是提高电路抗干扰性能的关键。一、环境温度对ESD保护器件的影响温度是影响ESD保护器件性能的最重要因素之一，超过此范围可能会导致设备性能下降或故障，温度可能会对设备内部材料造成热损坏，因此，温度

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[常见问题解答]如何避免电阻器遭受ESD破坏？[ 2024-10-16 15:12 ]

静电放电 (ESD) 是现代电子电路中最常见且经常被忽视的威胁之一。它会对电阻器等各种电子元件造成严重损坏。尽管电阻器通常被认为是相对稳定的元件，但它们也会受到静电放电的影响，从而导致电路故障和故障。电阻器的核心功能是控制、限制和调节电流。然而，ESD 电压尖峰非常高，当突然施加到电阻器时会集中能量。在严重的情况下，电阻器可能会以电阻变化、故障甚至热损坏的形式发生损坏。因此，采取措施防止电阻器因ESD保护特性而损坏就显得尤为重要。一、选择具有ESD保护特性或高ESD容限的电阻设计电路时，选择具有ESD保护特性或高E

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[常见问题解答]如何有效实施ESD保护：策略与技巧指南[ 2024-06-24 11:13 ]

静电放电（ESD）是一种由物体之间摩擦或接触产生的瞬态电流现象。电子设备中，ESD可能导致电路故障或性能下降，因此需要采取适当的保护措施。本文介绍了ESD保护的策略和技巧，旨在确保电子设备的可靠性和稳定性。一、ESD产生的原因人体动作：人在地毯、塑料垫或椅子上摩擦时，可能会产生静电。设备接触：两个不同的金属在接触或摩擦时，可能会产生静电。静电放电：带电物体通过空气放电，类似于闪电。二、ESD对电子设备的影响元器件损坏：ESD可能导致半导体器件的热损坏或电损坏，导致其性能下降或失效。电路故障：ESD可能会影响电路的正

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[常见问题解答]MOS管损坏的几种介绍[ 2022-09-17 16:07 ]

第一种：雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。典型电路：第二种：器件发热损坏由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。直流功率原因：外加直流功率而导致的损耗引起的发热导通电阻RDS(on)损耗（高温时RDS(on)增大，导致

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[常见问题解答]场效应MOS管三个极定义方法以及相关测试-壹芯微[ 2021-08-04 12:13 ]

场效应MOS管三个极定义方法以及相关测试-壹芯微你知道MOS管有三个极吗?它有什么作用?今天我们来看看MOS管的一些干货，首先MOS管有三个极：G：gate 栅极;S：source 源极;D：drain 漏极。二、MOS管三个极1.判断栅极GMOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用:假如MOS管的G信号波形不够陡峭，在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率，MOS管发烧严峻，易热损坏MOS管GS间存在一定电容，假如G信号驱动能力不够，将严峻影响波形跳变的时间.将G-S极短路，选择万用表的R&ti

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[常见问题解答]MOS管损坏原因-MOS管损坏常见的五种和分析[ 2020-12-09 15:37 ]

MOS管损坏原因-MOS管损坏常见的五种和分析MOS管损坏原因最常见有五种第一种：雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS（根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。MOS管损坏原因在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。典型电路：第二种：器件发热损坏-MOS管损坏原因由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。

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[常见问题解答]功率MOS管的5种损坏案例详解[ 2019-12-07 12:28 ]

功率MOS管的5种损坏案例详解[第一种]雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。典型电路：[第二种]器件发热损坏由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。直流功率原因：外加直流功率而导致的损耗引起的发热。导通电阻RDS(on)

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