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[常见问题解答]如何提升关断速度？深入解读驱动电路的加速关断原理[ 2024-10-28 14:20 ]: 在高频电路设计中，提高MOSFET、IGBT等功率器件的关断速度对于提升电路效率至关重要。快速关断可以降低功耗，缩短响应时间。以下介绍关断驱动电路的原理、常用方法和重要设计要点。一、加速关断驱动电路核心原理关断时，必须快速放电栅极电荷，使关断时间尽可能短。MOSFET等功率器件的栅极和源极之间通常存在电容，该电容直接影响充电放电速率。加速关断电路设计的关键点在于快速降低栅源极之间的栅源电压，通过连接到电源来实现电容器的快速放电过程。典型的加速关断电路通过将二极管和电阻器与栅极驱动电阻器并联，以加速电容器放电。二极管; http://www.szyxwkj.com/Article/rhtsgdsdsr_1.html

[常见问题解答]MOSFET知识-关于MOSFET驱动电阻的选择,详情解析[ 2020-11-16 16:10 ]: MOSFET知识-关于MOSFET驱动电阻的选择,详情解析关于MOSFET驱动电阻的选择等效驱动电路：L为PCB走线电感，根据他人经验其值为直走线1nH/mm，考虑其他走线因素，取L=Length+10（nH），其中Length单位取mm。Rg为栅极驱动电阻，设驱动信号为12V峰值的方波。Cgs为MOSFET栅源极电容，不同的管子及不同的驱动电压时会不一样，这儿取1nF。VL+VRg+VCgs=12V根据走线长度可以得到Rg最小取值范围。分别考虑20m长m和70mm长的走线： L20=30nH，L70=80nH，; http://www.szyxwkj.com/Article/mosfetzsgy_1.html

[常见问题解答]MOS管栅极驱动电阻怎么设计[ 2019-12-05 12:17 ]: MOS管栅极驱动电阻怎么设计MOS管的驱动对其工作效果起着决定性的作用。设计师既要考虑减少开关损耗，又要求驱动波形较好即振荡小、过冲小、EMI小。这两方面往往是互相矛盾的，需要寻求一个平衡点，即驱动电路的优化设计。驱动电路的优化设计包含两部分内容：一是最优的驱动电流、电压的波形；二是最优的驱动电压、电流的大小。在进行驱动电路优化设计之前，必须先清楚MOS管的模型、MOS管的开关过程、MOS管的栅极电荷以及MOS管的输入输出电容、跨接电容、等效电容等参数对驱动的影响。MOS管的模型MOS管的等效电路模型及寄生参数如图; http://www.szyxwkj.com/Article/mosgzjqddz_1.html

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