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[常见问题解答]MOS管驱动电压充不满怎么办？开关电源常见问题分析[ 2025-04-11 10:40 ]

在开关电源设计与调试过程中，MOS管的栅极驱动电压能否快速、稳定充满，直接影响着电路的正常工作。特别是在大功率或高频应用场景中，MOS管的驱动问题极易暴露，各类意想不到的异常情况层出不穷。很多工程师在实际调试中经常会遇到这样的问题：MOS管的栅极电压始终无法达到预期的幅值，导致开关动作不可靠，甚至出现严重的损坏隐患。那么，栅极驱动电压充不满到底可能有哪些原因？该如何针对性排查和处理？一、驱动电阻选型不当MOS管的栅极实际等效为一个大电容，驱动时的充放电速度与驱动源的能力和串联电阻关系密切。若驱动电阻阻值偏大，将直接

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[常见问题解答]开关MOS管温升过高？看看这些可能的原因[ 2024-10-12 15:15 ]

开关MOS管广泛应用于现代电子设备中，特别是在电源管理和电机驱动方面。然而，MOS管的温升问题常常困扰工程师，尤其是在高频开关应用中，过高的温度会导致性能下降和元件损坏。本文详细分析了开关MOS管温升过高的最常见原因，并介绍了一些对策，以帮助更好的设计和优化。一、导通电阻和功率损耗1. 当MOS管处于导通状态时，沟道中存在一定的电阻，称为导通电阻（RDS(on)），它会产生热量，导致温度过度升高。在设计时，导通电阻的大小通常由器件制造工艺、栅极驱动电压和工作温度等因素决定。2. 选择低导通电阻的管子可以减少功耗和沟

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[常见问题解答]怎么处理栅极误导通的方法介绍[ 2023-05-17 18:20 ]

怎么处理栅极误导通的方法介绍栅极误导通”的抑制方法栅极误导通的对策方法有三种。①是通过将Vgs降至负电压（而非0V），使Vgs即使上升也不会达到阈值的增加余量方法。这种方法需要负的栅极驱动电压，所以栅极驱动器的电源要使用+18V/-3V这样的不对称的两个电源。在这种情况下，需要将负电压设置为不超过Vgs的最大额定值。②是在栅极-源极间增加外置电容器，降低阻抗，抑制栅极电位升高的方法。这里需要注意的是CGS也会造成损耗，因而需要适当的电容。③是在栅极-源极间增加米勒钳位用MOSFET的方法。通过在SiC-

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[常见问题解答]基于IRF7201 MOSFET的5V转3.3V开关电源电路设计介绍[ 2022-11-05 12:02 ]

在选择与 3.3V 单片机配合使用的外部 N 沟道MOSFET 时，一定要小心。MOSFET 栅极阈值电压表明了器件完全饱和的能力。对于 3.3V 应用，所选 MOSFET 的额定导通电阻应针对 3V 或更小的栅极驱动电压。例如，对于具有 3.3V 驱动的100 mA负载，额定漏极电流为250 μA的FET在栅极 - 源极施加 1V 电压时，不一定能提供满意的结果。在从 5V 转换到 3V 技术时，应仔细检查栅极- 源极阈值和导通电阻特性参数，如图 1所示。稍微减少栅

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[常见问题解答]怎么估算MOS管电压驱动[ 2019-09-10 16:12 ]

Crss:反Ig：MOS栅极驱动电流；Vb：稳态栅极驱动电压；Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg；效应时刻（开关时刻）Ton/off=Qgd/Ig；第1种：（第1种的变形）Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到）Tr：上升时刻。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时刻td(on)：MOS导通延迟时刻，从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时刻。Ton=t3-t0≈td(on)+tr其间：Ig=Qg/Ton能够运用如下公式估算：第

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