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[常见问题解答]深入解析场效应管参数：如何评估与选择适合的器件[ 2024-12-11 14:18 ]

作为电压控制的半导体元件，场效应晶体管（FET）经常用于电子设备中。其工作原理是通过栅极电压控制源极和漏极之间的电流，使设计人员能够为不同的应用选择最佳的器件。本文对场效应晶体管的主要参数进行了详细分析，并说明了如何评估和选择最佳场效应晶体管参数。一、最大漏极电流（IDmax）最大漏极电流（IDmax）是指场效应晶体管的漏极在正常工作条件下能够承受的最大电流值。选择场效应管时，必须根据负载要求、工作环境和电流负载评估最大漏电流，否则可能会导致设备损坏或性能下降。例如，在功率转换和放大电路中，需要保证所选场效应管的I

http://www.szyxwkj.com/Article/srjxcxygcs_1.html

[常见问题解答]AO3415小信号场效应晶体管参数规格中文资料[ 2021-06-03 15:08 ]

AO3415小信号场效应晶体管参数规格中文资料小信号场效应晶体管，4A I(D)，20V，1 元件，P 沟道，硅，金属氧化物半导体 FET，绿色封装-3（详细参数）参数名称参数值是否Rohs认证符合生命周期Not Recommended针数3Reach Compliance CodecompliantECCN代码EAR99风险等级8配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)4 A最大漏极电流 (ID)4 A最大漏源导通电阻0.054 ΩFE

http://www.szyxwkj.com/Article/ao3415xxhc_1.html

[常见问题解答]AO3401小信号场效应晶体管参数规格中文资料[ 2021-06-03 14:27 ]

AO3401小信号场效应晶体管参数规格中文资料小信号场效应晶体管，4A I(D)，30V，1 元件，P 沟道，硅，金属氧化物半导体 FET，绿色封装-3参数名称参数值是否Rohs认证符合生命周期Not Recommended包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数3Reach Compliance CodecompliantECCN代码EAR99风险等级5.81配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压30 V最大漏极电流 (ID)4 A最大漏源导通电阻0.05

http://www.szyxwkj.com/Article/ao3401xxhc_1.html

[常见问题解答]2586场效应管是否可用3205场效应管代替[ 2021-03-25 10:07 ]

2586场效应管是否可用3205场效应管代替想要知道2586场效应管能不能用3205场效应管代替？2586场效应管应该指的是2SK2586，3205场效应管应该指的是IRF3205，想要知道能不能替换先要了解它们的详细技术参数。场效应管技术参数2SK2586场效应管最高工作电压VDSS=60V，最大漏极电流ID=60A，完全导通时内阻RDS=7mΩ，工作温度范围-55℃~150℃，开启电压VGS范围2V~20V，饱和开启电压5V以上，典型值10V，开通延时35ns，关断延时480ns。IRF3205场效应管最高工作

http://www.szyxwkj.com/Article/2586cxygsf_1.html

[常见问题解答]MOS管保护措施技术详情解析[ 2020-11-16 16:24 ]

MOS管保护措施技术详情解析MOS管保护措施：功率MOS管的SOA曲线虽然功率MOS管有诸多优点,但在电路设计过程中,功率MOS管往往是最容易损坏的元件,要想安全可靠的使用好功率MOS管并不容易,因此功率MOS管的驱动和保护问题是功率器件设计的关键。图1为功率MOS管的安全工作区(SOA)曲线,晶体管的击穿电压决定了其最大的漏源电压VDS ,电迁移限制确定了晶体管的最大漏极电流ID。芯片的最高工作温度与散热共同决定了最大的稳态功PD。图中虚线表示的是SOA边界,实线显示了缩小的SOA区域,为该器件的实际情况。从图中

http://www.szyxwkj.com/Article/mosgbhcsjs_1.html

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