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[常见问题解答]场效应管恒流区工作条件解析[ 2025-04-18 15:02 ]

场效应管（FET）是一种广泛应用于电子设备中的半导体元件，它利用栅极电压控制源极和漏极之间的电流。场效应管的工作区间可以划分为多个阶段，包括截止区、恒流区和饱和区。在这些区域中，恒流区是一个关键区域，在此区域，场效应管能够提供稳定的电流输出，这对许多应用非常重要。一、恒流区工作原理场效应管在恒流区的工作原理主要依赖于栅极电压和漏源电压之间的关系。当场效应管的栅极电压高于其阈值电压时，栅极和沟道之间的电场逐渐增大，导致沟道变窄。这种变化使得漏极和源极之间的电流逐渐增大。当栅极电压继续增大时，沟道会进一步缩小，但漏极和

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[常见问题解答]基于三极管的恒流控制在LED照明电源中的设计要点[ 2025-03-21 11:17 ]

在LED照明电源设计中，如何实现稳定可靠的恒流输出，是确保LED寿命与亮度均匀性的核心技术之一。传统的线性稳压方案由于效率较低，逐渐被多种恒流控制技术所替代。其中，利用三极管构建恒流电路，因其电路结构简洁、成本低廉、响应快速，成为低功率LED驱动中一个常见且实用的解决方案。一、三极管恒流原理简述在恒流驱动中，三极管通常工作于放大区或恒流区，通过控制其基极电压和发射极电阻，从而实现对流经LED电流的限制。一个典型的NPN三极管恒流源通常由电源、限流电阻、稳压源（如齐纳二极管）及三极管构成。当输入电压稳定后，基极通过稳

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[常见问题解答]场效应管在恒流区下的性能分析与调节技术[ 2024-11-05 15:21 ]

场效应晶体管（FET）是重要的电压控制半导体器件，广泛应用于各种电子电路中，特别是在需要精确电流控制的情况下。与漏源电压（VDS）的关系在不同的工作范围内表现出不同的特征。场效应晶体管的特性使其成为许多系统应用的理想选择，特别是在恒流范围内。一、恒流区的工作原理和特性在恒流区，场漏电流（ID）和栅极电压（VG）之间存在线性关系。这种情况通常发生在栅极电压足够高以形成导电沟道时，但当VDS太高时会关闭，因为漏极-源极电压仍然足够高以防止沟道形成。FET的行为类似于稳定的电流源。因此，在许多需要恒流电源的应用中，其关键

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[常见问题解答]超低压差LDO和普通LDO的区别介绍[ 2023-10-26 18:49 ]

超低压差LDO和普通LDO的区别介绍在了解超低压差LDO和传统LDO的区别前，先简单了解一下PMOS和NMOS的特性差异：NMOS使用的载流子是电子，而PMOS采用的载流子是空穴，就这导致在相同的工艺尺寸下，NMOS的导通电阻更小，过流能力更强。LDO是线性稳压器，其原理就是通过反馈电阻、误差放大器等模块，使内部的MOS管工作在恒流区(即饱和区)，如下图所示，从而使输出电压保持稳定。那么，损耗在MOS管上的功耗就为(Vin-Vout)*Iout。因此，当Iout非常大的时候，必须降低Vin和Vout间的压差，来减小

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[常见问题解答]场效应管放大作用时的所在区域[ 2021-04-03 09:24 ]

场效应管放大作用时的所在区域场效应管用处放大时，是工作于它的饱和区，也就是恒流区。场效应管工作在恒流区时，漏极电流不随漏极源极间的电压变化而变化，只由栅源间的电压控制，所以场效应管放大信号时，是工作在这个区域，相当于三极管的放大区。和三极管放大的区别在于，三极管是基极电流控制集电极电流，而场效应管是栅源之间的电压控制漏极电流。（G为栅极，D为漏极，S为源极）。先来简单说下场效应管吧，场效应管分结型场效应管和绝缘栅型场效应管，绝缘栅型场效应管就是MOS管，MOS管又分耗尽型和增强型，而每一种又分为N沟道和P沟道，如上

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[常见问题解答]mos管场效应管区域介绍[ 2021-03-31 10:15 ]

mos管场效应管区域介绍mos场效应管四个区域 1）可变电阻区（也称非饱和区）满足Ucs》Ucs（th）（开启电压），uDs《UGs-Ucs（th），为图中预夹断轨迹左边的区域其沟道开启。在该区域UDs值较小，沟道电阻基本上仅受UGs控制。当uGs一定时，ip与uDs成线性关系，该区域近似为一组直线。这时场效管D、S间相当于一个受电压UGS控制的可变电阻。 2）恒流区（也称饱和区、放大区、有源区）满足Ucs≥Ucs（h）且Ubs≥UcsUssth），为图中预夹

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[常见问题解答]场效应管的四个区域详解-如何判断场效应管工作区域[ 2020-09-17 15:30 ]

场效应管的四个区域详解-如何判断场效应管工作区域MOS管四个区域详解判断场效应管工作区域，下面先讲述MOS管场效应管的四个区域：1）可变电阻区（也称非饱和区）满足Ucs》Ucs（th）（开启电压），uDs《UGs-Ucs（th），为图中预夹断轨迹左边的区域其沟道开启。在该区域UDs值较小，沟道电阻基本上仅受UGs控制。当uGs一定时，ip与uDs成线性关系，该区域近似为一组直线。这时场效管D、S间相当于一个受电压UGS控制的可变电阻。2）恒流区（也称饱和区、放大区、有源区）满足Ucs≥Ucs（h）且Ubs&g

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[常见问题解答]MOS管输出特性曲线-方程等分析图解[ 2020-08-29 15:23 ]

MOS管输出特性曲线-方程等分析图解MOS管输出特性曲线详解，我们知道，三极管是利用Ib的电流去控制电流Ic的，所以说三极管是电流控制电流的器件。而MOS管是利用Ugs的电压去控制电流Id的，所以说MOS管是电压控制电流的器件。对于N沟道增强型的MOS管，当Ugs>Ugs(th)时，MOS就会开始导通，如果在D极和S极之间加上一定的电压,就会有电流Id产生。在一定的Uds下，D极电流Id的大小是与G极电压Ugs有关的。我们先来看一下MOS管的输出特性曲线，MOS管的输出特性可以分为三个区：截止区、恒流区、可变

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[常见问题解答]MOS管半导体-MOS管选型和测量方法[ 2020-08-27 17:28 ]

MOS管半导体-MOS管选型和测量方法MOS管的英文全称叫MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应管中的绝缘栅型。比较常用的基本上是增强型MOS管，按结构分：MOS管有什么特性呢？从图中需要注意的是，MOS管是电压控制型器件，是电压控制电流大小的器件，稳定工作在恒流区，其也是半导体材料制成，那元器件好坏怎么测量？更换选型时需要注意那些参数？MOS管的一般应用在工作电流都比较大电路中，除了上述参数外，要

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[常见问题解答]mos管饱和区电流公式及MOS的其他三个区域解析[ 2019-12-25 14:01 ]

mos管饱和区电流公式及MOS的其他三个区域解析mos场效应管四个区域本文主要讲mos管饱和区电流公式，但是我们先来看一下mos场效应管四个区域详解。1）可变电阻区（也称非饱和区）满足Ucs》Ucs（th）（开启电压），uDs《UGs-Ucs（th），为图中预夹断轨迹左边的区域其沟道开启。在该区域UDs值较小，沟道电阻基本上仅受UGs控制。当uGs一定时，ip与uDs成线性关系，该区域近似为一组直线。这时场效管D、S间相当于一个受电压UGS控制的可变电阻。2）恒流区（也称饱和区、放大区、有源区）满足Ucs≥U

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[常见问题解答]恒流二极管的知识概念与性能特点[ 2019-08-26 10:38 ]

恒流二极管的概念恒流二极管和恒流三极管是近年来问世的半导体恒流器件，是与稳压二极管相对偶的基础电子元器件。在恒流二极管的基础上增加控制脚端，进而发展成为恒流三极管。它们都能在很宽的电压范围内输出恒定的电流，并具有很高的动态阻抗。由于它们的恒流性能好、价格较低、使用简便，因此已被广泛用于恒流源、稳压源、放大器以及电子仪器的保护电路中。恒流二极管的性能特点恒流二极管（CRD）属于两端结型场效应恒流器件。其电路符号和伏安特性如图一所示。恒流二极管在正向工作时存在一个恒流区，在此区域内IH不随VI而变化；其反向工作特性则与

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[常见问题解答]恒流二极管和恒流三极管的原理应用[ 2019-08-22 11:36 ]

恒流二极管和恒流三极管是近年来问世的半导体恒流器件，而恒流三极管又是在恒流二极管的基础上发展而成的。它们都能在很宽的电压范围内输出恒定的电流，并具有很高的动态阻抗。由于它们的恒流性能好、价格较低、使用简便，因此目前已被广泛用于恒流源、稳压源、放大器以及电子仪器的保护电路中。一、恒流二极管的性能特点恒流二极管（CRD）属于两端结型场效应恒流器件。其电路符号和伏安特性如图一所示。恒流二极管在正向工作时存在一个恒流区，在此区域内I 不随VH I而变化；其反向工作特性则与普通二极管的正向特性有相似之处。恒流二极管的外形与3

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