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[技术文章]SN74HC14DR 典型应用电路[ 2024-05-16 10:50 ]

SN74HC14DR 是一款常用的CMOS型六通道反相器芯片。它在电子电路设计中有着广泛的应用场景，以下将详细介绍其应用场景和参数特点。一、应用场景：1. 数字信号处理： SN74HC14DR 可用于数字信号的处理和逻辑电路设计。其高速的反相功能使其成为数字电路中的重要组成部分，用于时序控制、信号处理等方面。2. 振荡器电路：在振荡器电路中， SN74HC14DR 可以被用作晶体振荡器的一部分，通过反相输出来产生稳定的振荡信号，常见于时钟电路和频率合成。3. 数字逻辑电路：作为反相器， SN74HC14DR 可

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[常见问题解答]如何通过TVS优化CMOS IC在系统级ESD测试中的性能[ 2024-05-10 09:50 ]

一、简介：系统级 ESD 测试中 TVS 的关键作用微电子系统为了满足高级别的抗扰扰度标准，需要在系统级静电放电（ESD）测试中保持至少 8kV 的电压承受能力。为此，通常在印刷电路板（PCB）上添加瞬态电压抑制器（TVS），保护敏感的 CMOS 集成电路不受高电压的损害。这些 TVS 设备通常位于重要的输入输出（I/O）端口和电源引脚附近，通过其低保持电压吸收和分散高电流，减少由于静电放电产生的热量。二、实验设置及其目的为了模拟真实的微电子系统环境，我们设立了一个实验模型，其中包括两个 CMOS 反相器，一个作为

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[技术文章]1N4148WT 典型应用电路[ 2024-05-06 16:36 ]

1N4148WT是一种常见的快恢复二极管，具有广泛的应用场景和一些特殊的参数特点。一、应用场景：1. 1N4148WT常用于电子电路中的整流、开关和保护电路。例如，它可以用作信号整流器，将交流信号转换为直流信号。2. 在数字电路中，1N4148WT可用于逻辑门、反相器和稳压器等应用。其快速开关特性使其适用于高频电路。3. 1N4148WT还常见于功率供应和充电电路中，用于防止反向电压损坏电子元件。二、参数特点：1. 1N4148WT具有较高的反向击穿电压，通常在75V至100V之间。这使得它能够承受一定程度的反向电

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[技术文章]CD40106 典型应用电路[ 2024-04-25 11:08 ]

CD40106是一款多功能的数字逻辑芯片，内部集成了六个反相器。尽管最初设计用于数字逻辑电路，但在特定的电路连接下，它可以实现各种信号变换和处理功能。一、应用场景：1. 方波转正弦波：通过将CD40106配置为RC振荡器，可以将方波输入转换为正弦波输出。调整外部电路中的电阻和电容，可实现稳定的正弦波输出。2. 方波转三角波：同样，通过调整RC振荡器的参数，可将方波输入转换为三角波输出。在音频电路和信号处理中常见。3. 频率分频：将CD40106的反相器配置为分频器，可将输入信号的频率进行分频。在数字逻辑电路和计时电

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[技术文章]74HC04 典型应用电路[ 2024-04-20 15:59 ]

74HC04 是一款六路反相器芯片，广泛应用于数字电路中。下面是对74HC04的应用场景和参数特点的详细介绍：一、应用场景1. 信号反转：74HC04 主要用于将输入信号进行反转输出，例如将高电平信号转换为低电平信号，或反之。这在需要逻辑状态反转的场合非常有用。2. 振荡电路：由于其反相功能，74HC04 可以构建简单的RC振荡器。这种应用在生成定时脉冲或驱动数字时钟电路中尤为常见。3. 信号整形：74HC04 也常用于信号整形，用于消除数字信号中的噪声和稳定信号边沿，确保电路的可靠运行。4. 驱动能力：在需要驱动

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[常见问题解答]怎么用三极管或者MOS管实现反相器[ 2023-07-24 16:04 ]

怎么用三极管或者MOS管实现反相器在电子电路中可以看到用三极管实现的反相器。当输入端给高电平的时候，那么输出端就输出低电平；当输入端给低电平的时候，那么输出端就输出高电平。一般使三极管能在饱和状态与截止状态工作时就能够实现反相器的功能，也就是说三极管要能够工作在开关量的状态。那么要使三极管电路处于适合开关量的工作状态必须给三极管外围加装适合的外围电阻，例如下图所示，可以用PNP和NPN两种类型的三极管，在其基极上接一个10千欧的电阻，在其集电极上接一个1.5千欧的电阻，为了使三极管能可靠的截止，还要加接一个20K的

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[常见问题解答]反相器与电压跟随器原理图文介绍[ 2023-05-13 15:03 ]

反相器与电压跟随器原理图文介绍1 反相器如上图所示，如果令反相比例运算放大器中的电阻R1 = Rf = R，R2 = R/2，则就可以得到：Vout = -Vin即输入电压与输出电压大小相等，相位相反。其电路结构也可以简化为：2 电压跟随器如上图所示，如果令同相比例运算放大器中的电阻R1 = 0 Ω或者Rf = ∞，则就可以得到：Vout = Vin即输入电压与输出电压大小相等，相位也相同。其电路结构也可以简化为：壹芯微科技专注于“二,三极管、MOS(场效应管)、桥堆”研发、生产

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[常见问题解答]共发射极放大电路极性问题介绍[ 2023-04-20 18:00 ]

共发射极放大电路极性问题介绍三极管接成共发射极电路时，输入信号与输出信号的相位相差180度，所以也称为反相器，也就是倒相。这是因为集电极接一个电阻RC,集电极输出电压VCE与电源电压EC、集电极电阻电压VRC之间有如下关系：Ec=VRc+Vce,也就是Ec-VRc=Vce，因为VRc=Ic*Rc,Ic=βIB当三极管基极输入一个正极性信号时（正弦波的正半周信号），基极电流Ib向增大方向变化，集电极电流Ic随之增大，VRc=Rc*Ic也增大，使Vce减小，输出电压向减小方向变化。所以说，基极电压输入正半周，集电极电压

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[常见问题解答]三极管反相器的电路图介绍[ 2022-12-08 15:27 ]

这是一个反相器电路，从逻辑电路来讲又叫非门电路。图中RB1(15K)电阻是输入电阻，它的下端是信号输入端，不应接地，应接输入信号（见下图），RB2电阻为偏置电阻，当输入端电压=0时，RB1与RB2分压使G2管基极电压为负值，使G2管发射极反偏，确保G2管可靠截止，当输入端电压正电压时（如=+6V），RB1与RB2分压值高于G2管发射结正偏电压，发射结导通，使G2管饱和导通。见下图：图中虚线框内画的是前一级输出电路，与楼主电路的输入电阻RB1相连接，当前级G1管导通时，其输出电压=0，RB1与RB2分压，使G2管基极

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[常见问题解答]采用光电隔离的SIPMOS晶体管控制电路图介绍[ 2022-11-29 15:25 ]

输入端经过电阻R2接地，以使其输出端在电源电压降至4V时还是开路的，即两个推挽输出晶体管保持在截止状态。这样可使电源电压在上升至3V左右时光耦输出侧仍为低电平，以使后接的六反相器4049能控制SIPMOS晶体管。在工作阶段，光耦输出端开路，使六反相器输出端为高电平，而输出端为低电平。壹芯微科技专注于“二,三极管、MOS(场效应管)、桥堆”研发、生产与销售，20年行业经验，拥有先进全自动化双轨封装生产线、高速检测设备等，研发技术、芯片源自台湾，专业生产流程管理及工程团队，保障所生产每一批物料质

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[常见问题解答]升压正负12V电源电路设计介绍[ 2022-11-14 14:57 ]

一些电路工作时需要使用正、负电源，比如运算放大器，工作时经常要用到这样的正、负电源，这里介绍一款使用门电路来制作的电源变换器，可以将6V直流电源转换成士6V对称电源。电路原理图如下所示。本电路由振荡器和倍压器两部分组成。振荡器由2组串联的反相器和R1、R2、C1等组成，其中IC1A、IC1B、IC1C三个反相器并联在一起构成一组，IC1D、IC1E、IC1F三个反相器并联在一起构成另一组，这样接法是为了增大输出电流，从而可以带动较大负载。电解电容C2、C4和二极管VD1、VD2构成一个倍压电路，另一个倍压电路由电解

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[常见问题解答]节能LED灯电路方案设计分析[ 2022-11-12 11:23 ]

本设计采用 12V 蓄电池供电，可点亮节能灯，电路工作原理如下图所示。图中 IC 是 CMOS 反相器，其内部非门 1、2 与 R1 和 C1 组成频率为 15KHz 的方波发生器。经 IC 内部非门 3 缓冲后，送入内部非门 4、5 和 6，三个非门的输入、输出端并联一起推动逆变管 VT 工作，以增大激励电流。经 VT 放大后的方波电压通过 T 和 C4 等元件组成的谐振升压电路后，可达到 350V 左右的空载电压，并形成近似正弦波的电流，可点燃 5～18W 的节能灯。在元器件选择方面，集成电路 IC 选用 CM

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[常见问题解答]或非门电路图怎么画与逻辑功能介绍[ 2022-10-24 18:37 ]

或非门（英语：NOR gate）是数字逻辑电路中的基本元件，实现逻辑或非功能。有多个输入端，1个输出端，多输入或非门可由2输入或非门和反相器构成。只有当两个输入A和B为低电平（逻辑0）时输出为高电平（逻辑1）。也可以理解为任意输入为高电平（逻辑1），输出为低电平（逻辑0）。有关“或非门电路图怎么画或非门电路的逻辑功能”的话题，下面将给出详细说明。（图片来源于互联网）一、或非门电路图怎么画或非门有3种逻辑符号，包括：形状特征型符号（ANSI/IEEEStd 91-1984）、IEC矩形国标符

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[常见问题解答]三极管开关电路图-三极管反相器电路介绍[ 2021-02-24 10:59 ]

三极管开关电路图-三极管反相器电路介绍1 NPN PNP三极管反相器电路 vin无输入电位Q1截止。Vin高电平时Q1导通，Q2基极得高电位，Q2截止。图2 两只NPN三极管反相器电路 vin无输入电位Q1截止,Q2导通。Vin接入高电平Q1导通，促使Q2基极电位下级,Q2截止。三极管开关电路图-三极管反相器电路图3 PNP三极管开关电路当输入端悬空时Q1截止。VIN输入端接入低电平时，Q1导通，继电器吸合。838电子图4 PNP三极管开关电路当vin无输入电位时Q1截止。Vin接入高电平Q1导通，

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[常见问题解答]使用碳化硅MOSFET提升工业驱动器的能源效率详情[ 2020-06-27 15:43 ]

使用碳化硅MOSFET提升工业驱动器的能源效率详情目前工业传动通常採用一般所熟知的硅基IGBT反相器（inverter），但最近开发的碳化硅MOSFET元件，为这个领域另外开闢出全新的可能性。主要的技术关键推手和应用限制以反相器为基础的传动应用，最常见的拓扑就是以6个电源开关连接3个半桥接电桥臂。每一个半桥接电桥臂，都是以欧姆电感性负载（马达）上的硬开关换流运作，藉此控制它的速度、位置或电磁转距。因为电感性负载的关係，每次换流都需要6个反平行二极体执行续流相位。当下旁（lower side）飞轮二极体呈现反向恢复，

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[常见问题解答]CMOS的栅极-双极型晶体管-P沟道MOSFET[ 2019-09-18 11:33 ]

图14.23(a)为- CMOS反相器，上方PMOS的栅极与下方NMOS的栅极相连，两种器件皆为加强型MOSFET；对PMOS器件而言，阈值电压VTn小于零，而对NMOS器件而言，阈值电压VTn大于零（通常阈值电压约为1/4VDD）．当输入电压Y1为接地或是小的正电压时，PMOS器件导通(PMOS栅极-地间的电势为-VDD，较vTp更小)，而NMOS为关闭状态．因而，输出电压Vo十分接近VDD。（逻辑1）．当输入为VDD时，PMOS(Vcs=0)为关闭状态，而NMOS为导通状态(Vi=VDD，>VTn)．所以

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[常见问题解答]CMOS-CMOS集成电路闩锁效应措施解析[ 2019-09-17 11:17 ]

cmos应用在CMOS应用中能同时将p沟道mos管与n沟道MOSFET制作在同一片芯片上．需要额外的掺杂及扩散步骤，以便在衬底中成“阱”或“盆(tub)”．阱中的掺杂种类与周围衬底不同．阱的典型种类有p阱、n阱以及双阱．阱技术的详细内容将于第14章中讨论．图6. 31为使用p阱技术制作的CMOS反相器的剖面图．在此图中，p沟道与n沟道MoSFET分别制作于n型硅衬底以及p阱之中．cmos电路CMOS电路的阱结构最主要的问题在于闩锁现象，闩锁是由阱结构中寄生的pn&md

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