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[常见问题解答]运算放大器的电路结构与参数介绍[ 2024-03-29 16:39 ]
运算放大器的电路结构与参数介绍运算放大器电路结构典型运算放大器的内部原理图如下所示:带(-)号的端子称为反相输入端,带(+)号的端子称为同相输入端。V+和V-电源端子分别连接至直流电压源的正端子和负端子。 V+和V−的公共端连接到参考点或地,否则两倍的电源电压可能会损坏运放。运算放大器的参数规格总谐波失真 (THD): 运算放大器本身产生的噪声。通常以dB表示。失调电压: 当施加在输入引脚之间时,将导致直流输出电压为零的直流电压。如果两个输入都接地,运算放大器的输出电压将不会为零。转换速率: 对于给定输
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[常见问题解答]MOS管参数场效应管参数规格书怎么看[ 2024-03-11 18:03 ]
MOS管参数场效应管参数规格书怎么看描述:MOSFET的最大允许电压。参数:额定电压 - VR (Voltage Rating)描述:MOSFET在正常工作条件下能够承受的最大电流。参数:额定电流 - IR (Current Rating)描述:MOSFET在导通状态下,源极和漏极之间的电阻值。导通电阻的大小直接影响MOSFET的功耗和发热。参数:导通电阻 - RON (On-Resistance)描述:MOSFET的开关转换时间,包括开启时间和关闭时间。开关速度对于高频应用至关重要。参数:开关速度 - TON,
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[行业资讯]AP05N50H场效应管参数 MOS管 AP05N50H参数规格书下载[ 2021-12-01 14:35 ]
AP05N50H场效应管参数 MOS管 AP05N50H-HF参数规格书下载AP05N50H参数及代换,AP05N50H封装引脚图,AP05N50H规格书(数据手册)(图(如上):AP05N50H,MOS场效应管,TO-252封装引脚图)壹芯微供应AP05N50H系列场效应管,可替代昂贵的国外知名品牌对应型号。AP05N50H场效应管主要参数如下:参数符号值单位漏极-源极电压VDSS500V栅极-源极电压VGSS±20V雪崩电流IAR3A栅极-源极电压(TJ=25°C)ID5.0A栅极-源极电
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[行业资讯]FIR2N60ALG场效应管参数 MOS管 FIR2N60ALG参数规格书下载[ 2021-11-30 10:19 ]
FIR2N60ALG场效应管参数 MOS管 FIR2N60ALG参数规格书下载FIR2N60ALG参数及代换,FIR2N60ALG封装引脚图,FIR2N60ALG规格书(数据手册)(图(如上):FIR2N60ALG,MOS场效应管,TO-252封装引脚图)壹芯微供应FIR2N60ALG系列场效应管,可替代昂贵的国外知名品牌对应型号。FIR2N60ALG场效应管主要参数如下:参数符号值单位漏极-源极电压VDSS600V栅极-源极电压VGSS±30V雪崩电流IAR2A栅极-源极电压(TJ=25°C
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[行业资讯]TK4P60DB场效应管参数 MOS管 TK4P60DB参数规格书下载[ 2021-11-29 14:21 ]
TK4P60DB场效应管参数 MOS管 TK4P60DB参数规格书下载TK4P60DB场效应管参数代换,TK4P60DB封装引脚图,TK4P60DB规格书(数据手册)(图:TK4P60DB场效应管 TO-252封装引脚图)壹芯微供应TK4P60DB系列场效应管,可替代昂贵的国外知名品牌对应型号。TK4P60DB场效应管主要参数如下:参数符号值单位漏极-源极电压VDSS650V栅极-源极电压VGSS±30V单脉冲雪崩电流IAR3.7A栅极-源极电压ID3.7A漏极电流-脉冲IDM-A单脉冲雪崩能量EAS
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[行业资讯]IXTY1N80场效应管参数代换,IXTY1N80参数规格书,MOS管厂家[ 2021-11-17 14:59 ]
IXTY1N80场效应管参数代换,IXTY1N80参数规格书,MOS管厂家IXTY1N80参数及代换,IXTY1N80中文资料规格书下载壹芯微IXTY1N80参数(800V,0.75A),完美替代进口品牌型号IXTY1N80.pdf 数据手册(规格书)下载IXTY1N80详细参数如下:参数符号值单位漏极-源极电压VDSS800V栅极-源极电压VGS...
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[行业资讯]FQD6N50C场效应管参数代换,FQD6N50C参数规格书,MOS管厂家[ 2021-11-16 14:59 ]
FQD6N50C场效应管参数代换,FQD6N50C参数规格书,MOS管厂家FQD6N50C参数及代换,FQD6N50C中文资料规格书下载壹芯微FQD6N50C参数(500V,2.6A),完美替代进口品牌型号FQD6N50C.pdf 数据手册(规格书)下载FQD6N50C详细参数如下:参数符号值单位漏极-源极电压VDSS500V栅极-源极电压VGSS...
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[行业资讯]【IRFR4510】IRFR4510场效应管参数规格书替代 MOS管厂家直销[ 2021-11-05 16:53 ]
【IRFR4510】IRFR4510场效应管参数规格书替代 MOS管厂家直销 IRFR4510厂家供应选型代换,IRFR4510中文资料规格书(PDF)下载,IRFR4510封装引脚图
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[行业资讯]STD70N10F4场效应管参数中文资料,STD70N10F4参数规格书代换[ 2021-10-20 12:19 ]
壹芯微 MOS(场效应管) STD70N10F4 N沟道 100V,60A 贴片TO-252多种封装STD70N10F4场效应管参数及代换,STD70N10F4封装引脚图,STD70N10F4中文资料规格书下载STD70N10F4.pdf 规格书查看下载STD70N10F4场效应管参数如下:极性:NPNDrain-Source Voltage漏源电压 VDSS:100VGate-Source Voltage栅源电压 VGSS:±20VDrain Current(Conti
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[行业资讯]SUD50N06-09L场效应管参数,SUD50N06-09L参数规格书选型替代[ 2021-10-14 18:30 ]
SUD50N06-09L场效应管参数,SUD50N06-09L参数规格书选型替代SUD50N06-09L场效应管参数及代换,SUD50N06-09L封装引脚图,SUD50N06-09L中文资料规格书PDFSUD50N06-09L.pdf 规格书查看下载SUD50N06-09L场效应管参数如下:极性:NPNDrain-SourceVoltage漏源电压,VDSS:60VGate-SourceVoltage栅源电压,VGSS:±20VDrainCurrentContinuous漏极电流连续,TC
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[行业资讯]40P03场效应管参数规格书 40P03参数代换MOS管厂家[ 2021-10-14 17:50 ]
40P03场效应管参数规格书 40P03参数代换MOS管厂家40P03场效应管参数及代换,40P03封装引脚图,40P03中文资料规格书PDF40P03.pdf 规格书查看下载40P03场效应管参数如下:极性:PNPDrain-SourceVoltage漏源电压,VDSS:-30VGate-SourceVoltage栅源电压,VGSS:±20VDrainCurrentContinuous漏极电流连续,TC+25°C,ID:-30ADrainCurrentContinuous漏极电流连
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[行业资讯]MMBT3906三极管参数,MMBT3906参数规格书选型代换[ 2021-10-13 17:20 ]
MMBT3906三极管参数,MMBT3906参数规格书选型代换MMBT3906三极管,丝印2A,SOT-23封装引脚图:壹芯微供应MMBT3904系列的三极管型号如下(尾缀不同,参数一致,主要区分材质、封装与包装方式)MMBT3906L-AE3-R MMBT3906G-AE3-R 封装形式SOT-23MMBT3906L-AL3-R MMBT3906G-AL3-R 封装形式SOT-323MMBT3906L-AN3-R MMBT3906G-AN3-R 封装形式SOT-523MMBT3906.pdf 规格书查看
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[行业资讯]4NM65场效应管参数代换,4NM65参数规格书下载[ 2021-10-13 13:51 ]
4NM65场效应管参数代换,4NM65参数规格书下载4NM65系列场效应管TO-252封装引脚图:壹芯微供应4NM65系列的场效应管型号如下(尾缀不同,参数一致,主要区分材质、封装与包装方式)4NM65L-TF3-T 4NM65G-TF3-T 封装形式TO-220F4NM65L-TF1-T 4NM65G-TF1-T 封装形式TO-220F14NM65L-TM3-T 4NM65G-TM3-T 封装形式TO-2514NM65L-TMS-T 4NM65G-TMS-T 封装形式TO-251S4NM65L-TN3-R 4NM
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[行业资讯]12N65场效应管参数,12N65参数规格书选型代换[ 2021-10-12 16:27 ]
12N65场效应管参数,12N65参数规格书选型代换12N65系列场效应管TO-220封装引脚图:壹芯微供应12N65系列的场效应管型号如下(尾缀不同,参数一致,主要区分材质、封装与包装方式)12N65L-TA3-T 12N65G-TA3-T 封装形式TO-22012N65L-TF1-T 12N65G-TF1-T 封装形式TO-220F112N65L-TF2-T 12N65G-TF2-T 封装形式TO-220F212N65L-TF3-T 12N65G-TF3-T 封装形式TO-220F12N65L-T2Q-T 12
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[行业资讯]5N65场效应管参数代换,5N65参数规格书下载[ 2021-10-12 10:20 ]
5N65场效应管参数代换,5N65参数规格书下载5N65系列场效应管TO-252封装引脚图:壹芯微供应5N65系列的场效应管型号如下(尾缀不同,参数一致,主要区分材质、封装与包装方式)5N65L-TA3-T 5N65G-TA3-T 封装形式TO-2205N65L-TF3-T 5N65G-TF3-T 封装形式TO-220F5N65L-TF1-T 5N65G-TF1-T 封装形式TO-220F15N65L-TF2-T 5N65G-TF2-T 封装形式TO-220F25N65L-TF3T-T 5N65G-TF3T-T 封
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[行业资讯]CJU04N60场效应管参数代换,CJU04N60参数规格书下载[ 2021-10-11 14:40 ]
CJU04N60场效应管参数代换,CJU04N60参数规格书下载CJU04N60系列场效应管TO-252封装引脚图:CJU04N60.pdf 规格书查看下载CJU04N60系列绝对最大额定参数如下:(TC=25°C,除非另有说明)极性:NPNDrain-SourceVoltage漏源电压,VDSS:600VGate-SourceVoltage栅源电压,VGSS:±30VDrainCurrentContinuous漏极电流连续,ID:4.0AOperatingAndStorageTem
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[行业资讯]5N60场效应管参数,5N60参数规格书选型代换[ 2021-10-11 14:20 ]
5N60场效应管参数,5N60参数规格书选型代换5N60系列场效应管TO-252封装引脚图:壹芯微供应5N60系列的场效应管型号如下(尾缀不同,参数一致,主要区分材质、封装与包装方式)5N60L-TA3-T 5N60G-TA3-T 封装形式TO-2205N60L-TF1-T 5N60G-TF1-T 封装形式TO-220F15N60L-TF2-T 5N60G-TF2-T 封装形式TO-220F25N60L-TF3-T 5N60G-TF3-T 封装形式TO-220F5N60L-TF3T-T 5N60G-TF3T-T 封
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[行业资讯]5N40场效应管参数代换,5N40参数规格书下载[ 2021-10-09 09:30 ]
5N40场效应管参数代换,5N40参数规格书下载壹芯微供应5N40系列的场效应管型号如下(尾缀不同,参数一致,主要区分材质、封装与包装方式)5N40L-TA3-T 5N40G-TA3-T 封装形式TO-2205N40L-TF1-T 5N40G-TF1-T 封装形式TO-220F15N40L-TN3-R 5N40G-TN3-R 封装形式TO-252注:参数达标,质量稳定,更多型号请咨询官网客服5N40.pdf 规格书查看下载5N40系列参数如下:极
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[行业资讯]4N50场效应管参数,4N50参数规格书代换[ 2021-10-08 11:00 ]
4N50场效应管参数,4N50参数规格书代换4N50(4A,500V N沟道功率场效应管)封装形式:TO-252,TO-251,TO-220,TO-220F4N50规格书(PDF):查看下载4N50的概述:4N50是一款N沟道模式功率MOSFET,采用先进技术,为客户提供平面条带和 DMOS 技术。 该技术允许最小的通态电阻和卓越的开关性能。 它还可以承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。4N50一般应用于高效开关电源、有源功率因数校正和基于半桥拓扑的电子灯镇流器。4N50的特性:ID=4AVDS=500VRDS(ON
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[行业资讯]5N70场效应管参数,5N70参数规格书代换[ 2021-10-07 09:58 ]
5N70场效应管参数,5N70参数规格书代换5N70Z - Power MOSFET(功率MOS场效应管)5A,700V LOGIC N-CHANNEL MOSFET5N70Z(MOS)场效应管参数,5N70Z场效应管引脚图,5N70Z场效应管中文资料5N70Z规格书(PDF):查看下载5N70Z的概述:5N70Z是一款N沟道增强型MOSFET,它采用先进技术为客户提供最小的导通电阻、高开关速度和低栅极电荷。 它还可以承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。5N70Z适用于高效开关DC/DC转换器、电
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