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[常见问题解答]如何选择合适的功率二极管?一文解析重要因素[ 2024-05-06 10:20 ]
二极管的反向额定电压是其能够承受的最高反向电压。例如,一种标记为5A/100V的二极管,其最大反向电压额定值便是100V。虽然制造商通常会预留一定的容错范围,如100V的二极管可能在110V的使用情况下依然安全,但超越额定值使用会使得厂家无法保证设备的可靠性。为了确保稳定性,许多设计师会选择在设计时降低使用额度。二极管的正向导通压降是指在二极管导通且电流通过时产生的压降,这与通过的电流量和环境温度密切相关。一般情况下,硅二极管中电流增大导致压降上升,而温度上升则导致压降降低;但对于碳化硅二极管,其压降随温度升高而增
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[常见问题解答]如何把固定输出开关电源改为可调电源的方法介绍[ 2023-10-20 18:01 ]
如何把固定输出开关电源改为可调电源的方法介绍想要把固定输出12V的开关电源改为可调电源,开关电源的种类很多,原理也错综复杂,不同厂家的开关电源,其原理不同,并不是说有开关电源都可以随意将其改为可调的。提问者只想通过改固定电阻为可调电位器实现可调电源输出,若是采用可调电源芯片实现的开关电源输出很容易实现,比如LM317、LM117、LM2596-ADJ、TPS5430、TPS54335等,都是可以通过改变电阻从而改变输出电压的。若是使用7812进行稳压降压的电源是不可以直接更改为可调电源的,更改难度很大,可将7812
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[常见问题解答]如何降低电源纹波的理论分析[ 2023-10-18 18:17 ]
如何降低电源纹波的理论分析一 理论分析在开关电源中,影响纹波的因素有很多,包括开关频率,续流电感,滤波电容,输入输出电压,电源负载,环境温度等。这些因素中对电源纹波的影响可能是相互加强也有可能是相互削弱,需要综合考虑各方面的因素才能将纹波值降下来。而对于常用的电源芯片,芯片厂家都会给出这些影响因素的理论分析,通过这些分析可以找出纹波最主要的影响因素。通过下面的分析,可以看到纹波产生的影响因素有哪些:在开关电源中,输出电压经过PWM波进行斩波后,经过电感进行续流,在这个过程中产生一个脉动电流,再经过电容滤波后对电压进
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[常见问题解答]IGBT短路保护电路的原理介绍[ 2023-06-17 16:45 ]
IGBT短路保护电路的原理介绍以风电变流器为例,来看看IGBT短路保护电路的原理。短路保护的原理1、SCSOA和短路维持时间IGBT短路保护的目的是,在IGBT发生短路,在IGBT损坏前及时地将IGBT关断,并将短路电流和保护关断时的I-U运行轨迹限制在IGBT的短路安全工作区域(SCSOA)。短路时间的增加会使得SCSOA减小,同时SCSOA还与外电路布线电感和厂家的工艺结构有关。由于杂散电感的存在,短路大电流时,IGBT的I-U运行轨迹很容易超出SCSOA的范围,从而导致IGBT失效。退饱和检测技术普遍地用来监
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[常见问题解答]二极管的特性及损耗介绍[ 2023-05-23 17:35 ]
二极管的特性及损耗介绍二极管特性及损耗分析。1、二极管特性1.1正向导通特性二极管的伏安特性曲线与温度关系较大.根据不同厂家的二极管制造工艺不同,二极管存在一个临界电流Ic。当正向电流If大于临界电流Ic时,正向电压Vf与温度是负相关关系,相关系数a<1;当正向电流If小于临界电流Ic时,正向电压Vf与温度是正相关关系,   相关系数a>1;当正向电流If等于临界电流Ic时,正向电压Vf与温度变化无关。不同工艺的功率二极管的临界电流Ic不同对于肖特基,快恢复和双极性二极管来说,临界电
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[行业资讯]BSS84场效应管参数,BSS84参数中文资料,BSS84替代[ 2022-05-17 10:56 ]
BSS84场效应管参数,BSS84参数中文资料,BSS84替代 场效应管BSS84参数,丝印PD,BSS84封装引脚图,BSS84中文资料PDF,MOS管厂家 产品名称:场效应MOS管 产品型号:BSS84 极性:P沟道 漏源电压:-50V 连续漏极电流:-130mA 封装:SOT-23等...
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[行业资讯]AO3415场效应管参数,AO3415参数中文资料,AO3415替代[ 2022-05-17 10:25 ]
AO3415场效应管参数,AO3415参数中文资料,AO3415替代 场效应管AO3415参数,丝印AFCP,AO3415封装引脚图,AO3415中文资料PDF,MOS管厂家 产品名称:场效应MOS管 产品型号:AO3415 极性:P沟道 漏源电压:-20V 连续漏极电流:-5A 封装:SOT-23等...
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[行业资讯]AO3414场效应管参数,AO3414中文资料规格书,AO3414替代[ 2022-05-11 17:44 ]
AO3414场效应管参数,AO3414中文资料规格书,AO3414替代 场效应管AO3414参数,丝印AE9T,AO3414封装引脚图,AO3414中文资料PDF,MOS管厂家 产品名称:场效应MOS管 产品型号:AO3414 极性:N沟道 漏源电压:20V 连续漏极电流:4.2A 封装:SOT-23等...
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[行业资讯]AO3413场效应管参数,AO3413中文资料规格书,AO3413替代[ 2022-05-11 17:02 ]
AO3413场效应管参数,AO3413中文资料规格书,AO3413替代 场效应管AO3413参数,丝印ADEA,AO3413封装引脚图,AO3413中文资料PDF,MOS管厂家 产品名称:场效应MOS管 产品型号:AO3413 极性:P沟道 漏源电压:-20V 连续漏极电流:-3A 封装:SOT-23等...
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[行业资讯]AO3410场效应管参数,AO3410中文资料规格书,AO3410替代[ 2022-05-05 18:17 ]
AO3410场效应管参数,AO3410中文资料规格书,AO3410替代 场效应管AO3410参数,丝印A01TT,AO3410封装引脚图,AO3410中文资料PDF,MOS管厂家 产品名称:场效应MOS管 产品型号:AO3410 极性:N沟道 漏源电压:30V 连续漏极电流:5.8A 封装:SOT-23等...
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[行业资讯]AO3409场效应管参数 AO3409中文资料规格书 AO3409替代[ 2022-05-05 16:03 ]
AO3409场效应管参数,AO3409中文资料规格书,AO3409替代 场效应管AO3409参数,丝印A99T,AO3409封装引脚图,AO3409中文资料PDF,MOS管厂家 产品名称:场效应MOS管 产品型号:AO3409 极性:P沟道 漏源电压:-30V 连续漏极电流:-2.6A 封装:SOT-23等...
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[常见问题解答]基于TL494的电动车电机控制器设计|壹芯微[ 2022-04-13 15:43 ]
基于TL494的电动车电机控制器设计|壹芯微 面对内燃机车的废气污染和能源枯竭,电动汽车现在逐步走进了人们的生活。世界各大汽车生产厂家,都在大力研发电动汽车控制技术,并在最近的车展上纷纷推出了电动汽车。电机控制器是电动车控制系统中最关键的部分,它...
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[行业资讯]AO3402场效应管参数,AO3402规格书中文资料,参数代换[ 2022-04-11 16:05 ]
AO3402场效应管参数,AO3402规格书中文资料,参数代换 AO3402(30V,N-Channel MOSFET,SOT-23)AO3402场效应管/MOS管/国产替代/厂家直销 AO3402 PDF中文资料,AO3402引脚图 AO3402(SOT-23)封装引脚图如下(图片)
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[行业资讯]AO3401场效应管参数,AO3401规格书中文资料,参数代换[ 2022-04-11 15:36 ]
AO3401场效应管参数,AO3401规格书中文资料,参数代换 AO3401 PDF中文资料下载,AO3401引脚图,AO3401国产替代,厂家直销 AO3401 P沟道场效应晶体管 -30V,-4A,SOT23(或不同封装) AO3401(SOT-23)封装引脚图如下 (图片)...
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[行业资讯]AO3400场效应管参数,AO3400规格书中文资料,参数代换[ 2022-04-05 11:06 ]
AO3400场效应管参数,AO3400规格书中文资料,参数代换 AO3400 PDF中文资料下载,AO3400引脚图,AO3400国产替代,厂家直销 AO3400 N沟道场效应晶体管 30V,5.8A,SOT23(或不同封装) AO3400(SOT-23)封装引脚图如下 (图片)
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[行业资讯]2SK3018场效应管参数,2SK3018规格书中文资料,参数代换[ 2022-04-04 15:47 ]
2SK3018场效应管参数,2SK3018规格书中文资料,参数代换 2SK3018 PDF中文资料下载,2SK3018引脚图,2SK3018国产替代,厂家直销 2SK3018 N沟道场效应晶体管 30V,100mA,SOT23(或不同封装) 2SK3018(SOT-23)封装引脚图如下 (图片)
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[行业资讯]2N7002场效应管参数,2N7002规格书中文资料,参数代换[ 2022-04-04 14:15 ]
2N7002场效应管参数,2N7002规格书中文资料,参数代换 2N7002 PDF中文资料下载,2N7002引脚图,2N7002国产替代,厂家直销 2N7002 N沟道增强型场效应晶体管 60V,0.115A,7.5Ω,SOT23(或不同封装) 2N7002(SOT-23)封装引脚图如下 (图片)
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[行业资讯]STD3NK50Z参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-28 16:16 ]
STD3NK50Z参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微STD3NK50Z中文参数,STD3NK50Z封装引脚图,STD3NK50Z数据手册,MOS管选型替代(生产厂家)STD3NK50Z场效应管封装TO-252,TO-251,TO-92,特征· 典型 RDS(on)=2.8Ω· 极高的dv/dt能力· ESD改进能力)· 100%雪崩测试· 新的高压基准· 栅极电荷最小化绝对最大额定值(TC=25°C,除非
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[行业资讯]TK3P50D参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-28 16:05 ]
TK3P50D参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微TK3P50D中文参数,TK3P50D封装引脚图,TK3P50D数据手册,MOS管选型替代(生产厂家)TK3P50D场效应管封装TO-252特征开关稳压器(1) 低漏源导通电阻:RDS(ON)=2.3Ω(典型值)(2) 高前向转移导纳:|Yfs|=1.0S(典型值)(3) 低漏电流:IDSS=10µA(最大值)(VDS=500 V)(4) 增强模式:Vth=2.4至4.4V(VDS=10V,ID=1mA)绝对最大额定值(TC=25&de
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[行业资讯]SPD02N50C3场效应管参数 (MOS管) SPD02N50C3规格书参数代换〔壹芯微〕[ 2021-12-21 13:39 ]
SPD02N50C3场效应管参数 (MOS管) SPD02N50C3规格书参数代换〔壹芯微〕SPD02N50C3中文参数,SPD02N50C3封装引脚图,SPD02N50C3数据手册,MOS管选型替代(生产厂家)SPD02N50C3场效应管主要参数(最大额定值):漏源电压(VDSS):560V栅源电压(VGSS):±20V雪崩电流(IAR):1.8A漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID):1.8A漏极电流-连续(TJ=100°C)(ID):1.1A漏极电流-脉冲(IDPlus):5.
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