搜索资讯

[常见问题解答]1500W电源设计该选双管正激还是半桥拓扑？深度对比分析[ 2025-03-25 15:06 ]

在电源设计领域，1500W这个功率等级处于一个既要求高效率又考验热设计的敏感区域。工程师在此区间做拓扑结构选择时，往往面临“选双管正激还是半桥”的技术抉择。这不仅关乎系统性能，还涉及到成本控制、体积限制、设计复杂度等多方面因素。一、双管正激：效率优先，控制精细双管正激拓扑是一种以变压器为核心、两只主开关管交替导通的非对称结构。该方案在中高功率段（如1500W）应用较为广泛，尤其适合对效率和控制要求较高的场合。1. 转换效率出色由于双管正激结构在开关过程中能够实现变压器磁通的自动复位，减少磁滞

http://www.szyxwkj.com/Article/1500wdysjg_1.html

[常见问题解答]低功耗GaN解决方案在交流直流电源拓扑中的应用分析[ 2024-06-12 09:50 ]

用户希望轻便高效的充电方案为日常携带的多种电子设备供电。随着越来越多的电子产品采用 USB Type-C® 接口，紧凑型电源适配器的需求日益增加。一些新的半桥拓扑，如有源钳位反激式（ACF）拓扑和非对称半桥（AHB）拓扑，已被开发出来以优化效率并提供可变输出电压。这些拓扑能够回收泄漏能量到输出端，进一步提高效率，并完全消除低侧场效应晶体管（FET）上的电压尖峰，降低整体成本和体积。在设计现代的USB Type-C 移动充电器、PC电源和电视电源时，设计师面临的挑战是如何在缩小解决方案尺寸的同时提升或保持功率

http://www.szyxwkj.com/Article/dghganjjfa_1.html

[行业资讯]4N50场效应管参数,4N50参数规格书代换[ 2021-10-08 11:00 ]

4N50场效应管参数,4N50参数规格书代换4N50（4A,500V N沟道功率场效应管）封装形式：TO-252,TO-251,TO-220,TO-220F4N50规格书(PDF):查看下载4N50的概述：4N50是一款N沟道模式功率MOSFET，采用先进技术，为客户提供平面条带和 DMOS 技术。该技术允许最小的通态电阻和卓越的开关性能。它还可以承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。4N50一般应用于高效开关电源、有源功率因数校正和基于半桥拓扑的电子灯镇流器。4N50的特性：ID=4AVDS=500VRDS(ON

http://www.szyxwkj.com/Article/4n50cxygcs_1.html

[常见问题解答]影响MOSFET性能的一些因素解知识[ 2020-12-03 17:11 ]

影响MOSFET性能的一些因素解知识影响MOSFET性能有哪些因素？在追求不断提高能效的过程中，MOSFET的芯片和封装也在不断改进。除了器件结构和加工工艺，MOSFET的性能还受其他几个周围相关因素的影响。影响MOSFET性能，这些因素包括封装阻抗、印刷电路板(PCB)布局、互连线寄生效应和开关速度。事实上，真正的开关速度取决于其他几个因素，例如切换的速度和保持栅极控制的能力，同时抑制栅极驱动回路电感带来的影响。同样，低栅极阈值还会加重Ldi/dt问题。正因为了解电路中晶体管的性能很重要，所以我们将选用半桥拓扑。

http://www.szyxwkj.com/Article/yxmosfetxn_1.html

[常见问题解答]7n80场效应管参数规格书PDF 封装详情技术支持[ 2020-09-12 17:06 ]

7n80场效应管参数规格书PDF 封装详情技术支持7n80场效应管参数-型号概述7n80场效应管参数型号概述，此功率MOSFET生产是使用SL先进的平面条纹DMOS技术，这个先进的技术是特别定制的，以减少通态电阻，提供优越的开关性能，在雪崩和转换方式下能承受高能脉冲器件，它非常适合高效率开关模式电源，有源功率因数校正基于半桥拓扑。7n80场效应管参数-型号特性RDS(on)=1.4Ω@VGS=10V低栅电荷(典型27nC)快速切换100%雪崩测试改进的dv/dt的能力7n80场效应管参数-型号封装图7n80场效应

http://www.szyxwkj.com/Article/7n80cxygcs_1.html

[常见问题解答]MOS管350V 6035A N沟道MOS管规格书封装[ 2019-12-25 14:53 ]

MOS管350V 6035A N沟道MOS管规格书封装MOS管350V-6035A 11A/350V产品概述这款功率MOSFET是使用半导体先进的平面条纹DMOS技术制作的。这个先进的技术是为电阻最小转态而特别定制的，提供优越的开关性能，它能承受雪崩和交流模式下的高能脉冲。这款设备非常适合于高效率的开关电源，有源功率因数校正基于半桥拓扑。MOS管350V-6035A 11A/350V产品特征RDS(ON)=0.38Ω(typ.)@VGS=10V.低栅极充电（典型15nC）耐用性高快速切换能力指定雪崩能量改进的dv/

http://www.szyxwkj.com/Article/mosg350v60_1.html

[常见问题解答]电压馈电串联谐振半桥拓扑知识[ 2019-09-12 12:03 ]

电压馈电串联谐振半桥拓扑这种拓扑如图16.23所示。运用于交流输入为230V 的场所，它的优点是去掉了交流整流后串联的滤波电感并降低了 PFC模块关断场效晶体管的直流电压，其电压降为飞而不是电流馈电半桥电路中的（π／2）凡。关于输出电压为400V的PFC，它所接受的最大电压为 400V ，而不是 628V ，这将会极大地降低晶体管的损耗。图16.23 电压馈电串联谐振半桥拓扑。开端启动时，串联谐振电路包含L、Cr 和 Cl。当灯点亮后，就只需Cr，谐振频率降落。电流变压器初级C CTP）起限流作用，它也充任基

http://www.szyxwkj.com/Article/dykdclxzbq_1.html

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

相关搜索/Related search

壹芯微资讯中心

导航/Navigation

地址/Address

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

相关搜索/Related search

壹芯微资讯中心

导 航/Navigation

地 址/Address

导航/Navigation

地址/Address