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[常见问题解答]探索IGBT双脉冲测试的关键技术与实现步骤[ 2025-02-11 11:56 ]
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)作为现代电力电子领域的核心器件,其性能直接决定着系统的效率和稳定性。在评估IGBT性能的诸多方法中,双脉冲测试因其能够全面反映器件的开关特性而被广泛应用。一、双脉冲测试的技术要点1. 测试目的明确双脉冲测试的核心在于准确测量IGBT在开通和关断过程中的动态特性。通过这一测试,可以获得如开关损耗、导通电阻、二极管反向恢复电流、电流上升斜率(di/dt)和电压尖峰等重要参数。这些数据对于优化器件驱动设计、降低系统损耗、提高
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[常见问题解答]二极管反向恢复时间的定义及其重要性[ 2025-02-10 10:37 ]
二极管作为最基础的半导体器件之一,广泛应用于整流、开关、电源管理等各类电子电路中。在高频和高速开关电路中,二极管的动态特性尤为重要,其中反向恢复时间(Reverse Recovery Time)是衡量其性能的关键参数之一。一、二极管反向恢复时间的定义其从正向导通状态切换至反向截止状态时,反向电流由峰值衰减到接近零所需的时间,通常这个零值定义为峰值的10%或5%。在正向导通期间,PN结内部会积累大量的载流子,形成一定的存储电荷。当外加电压突然变为反向偏置时,这些积累的少数载流子不会立即消失,而是需要一段时间才能完成复
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[常见问题解答]深入分析ADALM2000在二极管动态特性测试中的应用[ 2025-01-02 11:10 ]
随着电子器件和集成电路的不断发展,对元器件的性能尤其是二极管等半导体器件的动态特性要求越来越高。在这方面,ADALM2000模块凭借其丰富的测量功能,成为了二极管研究与测试的优选工具。在本文中,我们将详细介绍ADALM2000在测量二极管动态特性方面的应用,并分析其优势和实际操作流程。一、ADALM2000模块概述ADALM2000是Analog Devices的模块化仪器,提供高精度信号生成和采集能力。它具有双通道输出信号源和双通道输入信号采集功能,并可通过USB连接与计算机通信进行数据处理。这使得ADALM20
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[常见问题解答]碳化硅双脉冲测试:解析正向与负向干扰的影响[ 2024-08-07 15:22 ]
碳化硅 (SiC) 由于其卓越的物理和化学稳定性,在高功率和高温应用中表现出色。随着碳化硅设备在半导体行业中的广泛应用,双脉冲测试成为了一种关键的技术,用于评估这些设备在实际工作条件下的性能。双脉冲测试主要是用来观察和分析器件在快速开关过程中的动态特性,特别是正向和负向干扰的影响。一、正向串扰的产生与影响正向串扰通常在开关器件如晶体管开通时发生。当一个晶体管(例如Q1)的门极电压达到阈值,使其导通时,与之相邻的晶体管(例如Q2)可能会受到干扰。这种干扰起因于电流从一个晶体管(如D2)开始转移到已导通的晶体管(Q1)
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[常见问题解答]IGBT如何检测与动态特性介绍[ 2024-01-25 16:13 ]
IGBT如何检测与动态特性介绍IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变
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[常见问题解答]双脉冲测试基础原理和应用解析[ 2023-04-29 14:04 ]
双脉冲测试基础原理和应用解析双脉冲是分析功率开关器件动态特性的基础实验方法,贯穿器件的研发,应用和驱动保护电路的设计。合理采用双脉冲测试平台,你可以在系统设计中从容的调试驱动电路,优化动态过程,验证短路保护。双脉冲测试基础系列文章包括基本原理和应用,对电压电流探头要求和影响测试结果的因素等。为什么要进行双脉冲测试?在以前甚至是今天,许多使用IGBT或者MOSFET做逆变器的工程师是不做双脉冲实验的,而是直接在标定的工况下跑看能否达到设计的功率。这样的测试确实很必要,但是往往这样看不出具体的开关损耗,电压或者电流的尖
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[常见问题解答]MOS管场效应管的动态特性介绍[ 2023-04-15 13:50 ]
一个MOSFET管的动态响应只取决于它充(放)电这个器件的本身寄生电容和由互连线及负载引起的额外电容所需要的时间。 本征电容的主要来源有三个:基本的MOS结构、沟道电荷以及漏和源反向偏置pn结的耗尽区。MOS结构电容MOS晶体管栅通过栅氧与导电沟道相隔离,栅电容Cg取决于栅氧单位面积电容Cox的电容值,氧化层厚度越薄,电容值越低。从MOS管的结构可以看出,在实际中,源和漏与栅有交叠的部分,从而引起栅源、栅漏之间产生覆盖电容。沟道电容栅至沟道的电容Cgc的大小取决于工作区域和端口电压,当晶体管处于截至区域时(a),没
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[常见问题解答]大功率晶闸管参数解析之正向特性介绍[ 2022-08-24 17:24 ]
功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器、UPS、交流静态开关、SVC和电解氢等场合,但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解,为此我们组织了6篇连载,包括正向特性,动态特性,控制特性,保护以及损耗与热特性。电气特性二极管和晶闸管的电气特性随温度变化而变化,因此只有针对特定温度给出的电气特性才是有效的。除非另有说明,否则数据手册中的所有值均适用于40至60Hz的电源频率。最大值为制造商以绝对极限值形式给出的值,通常即使在短时间内也不可超过此值,否则可能导致元件功能下降或损坏。特征值为规定条件下的数
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[常见问题解答]MOS管知识-MOS管电容特性分析[ 2020-11-11 15:21 ]
MOS管知识-MOS管电容特性分析MOS管电容特性-动态特性从图九可以看出功率管的寄生电容分布情况,电容的大小由功率管的结构,材料和所加的电压决定。这些电容和温度无关,所以功率管的开关速度对温度不敏感(除阈值电压受温度影响产生的次生效应外)MOS管电容特性:由于器件里的耗尽层受到了机压影响,电容Cgs和Cgd随着所加电压的变化而变化。然而相对于Cgd,Cgs受电压的影响非常小,Cgd受电压影响程度是Cgs的100倍以上。如图10所示为一个从电路角度所看到的本征电容。受栅漏和栅源电容的影响,感应到的dv/dt会导致功
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[常见问题解答]二极管的开关过程和其可能引发的EMI问题[ 2020-09-17 17:05 ]
二极管的开关过程和其可能引发的EMI问题导语二极管的单向导通性、大于某电压就导通等基本特性我们非常熟悉,但是随着工作的深入会发现仅知道这些是不够的,特别是大功率设备或者面临EMI的问题时。所以我们需要对二极管有个更深入的认识,今天就着重讲述二极管的开关过程(也叫二极管的动态特性)及其带来的影响。任何开关器件的状态切换并不是一蹴而就的,在这切换的期间发生了什么是工程师值得注意的地方。因为结电容的存在,二极管在零偏置、正向导通、反向截止这三个状态之间切换时,会有一个过渡。开通(零偏置转换为正向导通)二极管的开通并不是说
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[常见问题解答]PTC热敏电阻的电阻-温度特性及静态和动态特性[ 2020-05-11 15:17 ]
PTC热敏电阻的电阻-温度特性及静态和动态特性与人一样,发热意味着机器出了问题,热敏电阻则是治愈这一顽疾的良药。日常生活中,我们家居常备的电子体温计采用一颗PTC热敏电阻。如果接触智能手机、电脑、冰箱、吸尘器时,都会感觉到发热,这里将温度控制在安全范围内的关键电子元器件也是PTC热敏电阻。PTC热敏电阻是应用最普遍的一类热敏元件,可检测物体的热度,并将“热”信息传递给IC进行处理,使耐热性差的元件不被热而破坏,让精度不准的元件能良好运作。PTC热敏电阻的电阻值随温度的上升而增大,具有三个主要
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[常见问题解答]内置肖特基二极管的MOSFET能不能提高应用性能[ 2019-11-29 14:54 ]
当一个功率MOSFET被用在电桥拓扑或用作电源二次侧同步整流时,体漏二极管的特性及质量因子将变得非常重要。当需要Qrr数值很低的软反向恢复时,集成肖特基二极管的新60V“F7”功率MOSFET确保能效和换向性能更加出色。在同步整流和电桥结构中,RDSon和Qg两个参数并不是对功率MOSFET的唯一要求,实际上,本征体漏二极管的动态特性对MOSFET整体性能影响很大。体漏二极管的正向压降(VF,diode)影响开关在续流期间(开关处于关断状态,电流从源极经本征二极管流至漏极)的功率损耗;反向恢
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[常见问题解答]IGBT主要参与应用特点[ 2019-10-11 12:05 ]
IGBT主要参与应用特点IGBT是一种双极性功率半导体器件,由BJT(双极型三极管)和MOS管复合而成, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,特别是600V以上应用中的功率损失相当低。虽然可以通过工艺技术提高BJT的性能,但无法从根本上解决BJT的电荷存储时间(STORAGE TIME)问题。也就是说,BJT在关闭时需耗费较长时间,不适合高速切换的应用,但完全满足市电供电的应用。IGBT基本特性包括静态特性和动态特性,其中静态特性由输出特性和转移特性组成,动态特性描述IGBT器件开关过程。
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