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[常见问题解答]通过MPS SiC二极管优化高频开关电源效率与降低损耗[ 2025-02-10 12:08 ]

在高频开关电源的设计中，效率和损耗的优化一直是工程师们关注的重点问题。随着电源技术的不断进步，采用合适的元器件已经成为提高整体性能的关键。MPS SiC二极管作为一种新型的半导体器件，凭借其独特的性能优势，已逐渐在高频开关电源中得到了广泛应用。一、高频开关电源的挑战高频开关电源（SMPS）广泛应用于各种电子设备中，其核心优势在于高效率和小型化。然而，在开关模式电源的设计中，二极管作为关键的功率元件之一，在开关过程中产生的损耗对系统的整体效率产生了直接影响。尤其是在高频操作时，二极管的开关损耗和传导损耗成为主要的能源

http://www.szyxwkj.com/Article/tgmpssicej_1.html

[常见问题解答]实用指南：步步详解如何搭建自己的隔离式半桥栅极驱动器系统[ 2024-05-25 10:11 ]

一、引言在电力电子领域中，隔离式半桥栅极驱动器扮演着至关重要的角色。它能有效控制高端和低端N沟道MOSFET（或IGBT）的栅极，实现对输出功率的精确调节。设计上的关键在于确保驱动器具备低输出阻抗以减少传导损耗，并且具备快速开关能力，以降低开关损耗。本文将深入研究隔离式半桥栅极驱动器的设计原理、实现方法以及所面临的挑战。二、隔离式半桥栅极驱动器的原理隔离式半桥栅极驱动器的核心原理在于通过光耦合器实现输入信号与输出驱动信号的电气隔离，从而避免高端和低端驱动器之间的直接交互。采用相反极性的信号来驱动高端和低端N沟道MO

http://www.szyxwkj.com/Article/syznbbxjrh_1.html

[常见问题解答]如何使电源实现更高的效率介绍[ 2023-05-31 17:39 ]

如何使电源实现更高的效率介绍具体来说，大电流栅极驱动器可以通过最大限度地减少开关损耗来帮助提高整体系统效率。当 FET 开关或开启和关闭时会发生开关损耗。要打开 FET，必须对栅极电容充电超过阈值电压。栅极驱动器的驱动电流有利于栅极电容的充电。驱动电流能力越高，电容充电或放电的速度就越快。能够提供和吸收大量电荷可以最大限度地减少功率损耗和失真。（传导损耗是 FET 中另一种类型的开关损耗。传导损耗由 FET 的内阻或 R DS(on) 定义，其中。FET 在传导电流时消耗功率。）换句话说，目标是在需要高频电源转换

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[行业资讯]FIR5N50LG,TO-252,中文参数,引脚图,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-25 13:52 ]

FIR5N50BPG,LG硅N沟道增强型VDMOSFET，采用自对准平面技术获得，可降低传导损耗，提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。封装形式为符合RoHS标准的TO-251。

http://www.szyxwkj.com/Article/fir5n50lgt_1.html

[行业资讯]NVD5862NT4G场效应管参数及代换,NVD5862NT4G中文资料规格书[ 2021-10-26 18:36 ]

NVD5862NT4G场效应管参数及代换,NVD5862NT4G中文资料规格书NVD5862NT4G场效应管参数代换,NVD5862NT4G封装引脚图,NVD5862NT4G中文资料规格书NVD5862NT4G描述与特性汽车功率MOSFET。60V，98A，5.7mΩ，单N沟道，DPAK通过AEC-Q101认证的MOSFET，且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。• 低 RDS(on) 以最大限度地减少传导损耗• 高电流能力• 指定雪崩能量• AEC-Q101

http://www.szyxwkj.com/Article/nvd5862nt4g_1.html

[行业资讯]NVD5862N(MOS场效应管) NVD5862N主要参数中文资料 - 壹芯微[ 2021-09-13 10:47 ]

NVD5862N(MOS场效应管) NVD5862N主要参数中文资料 - 壹芯微NVD5862N场效应管主要参数极性：N沟道；电压(VDSS)：60V；电流(ID)：98A；封装(Pageke)：TO-252；大芯片，高品质，原厂批量直销，提供技术支持，免费送样测试，替代原装进口品牌型号• 60V 5.7mΩ @ 98A• 低 RDS(on)以最大限度地减少传导损耗• 高电流能力• 指定雪崩能量• AEC-Q101认证和PPAP能力• 这些器件无铅、无卤

http://www.szyxwkj.com/Article/nvd5862nmo_1.html

[行业资讯]NVD5862NT4G 贴片TO-252 MOS管60V 98A N沟道[ 2021-09-10 15:40 ]

NVD5862NT4G 贴片TO-252 MOS管60V 98A N沟道NVD5862NT4G(N沟道增强型场效应晶体管)；NVD5862NT4G场效应管参数；NVD5862NT4G场效应管封装引脚图；NVD5862NT4G场效应管中文资料规格书(PDF)；电流(ID)：98A，电压(VDSS)：60V，封装形式：TO252产品概要• 低RDS(on)以最大限度地减少传导损耗• 高电流能力• 指定雪崩能量• AEC-Q101 认证和PPAP能力• 这些器件无铅、无卤

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