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[常见问题解答]NPN三极管基极电压高于集电极电压，是否还能正常导通？深度解析三极管原理[ 2024-12-19 12:15 ]

三极管作为基本半导体器件，用途广泛，原理相对简单。但在实际电路设计和分析中，仍有一些细节容易被误解。例如，NPN晶体管基极电压高于集电极电压时是否能够正常导通。这个问题看似很基本，但常常会导致混乱。本文将通过对三极管工作原理的详细分析来理清要点。一、电流控制器件主要由发射极、基极、集电极三部分组成。以NPN晶体管为例，其导通状态主要取决于两个结的偏置状态：1. 发射结（基极和发射极之间的PN结）应正向偏置，即基极电压高于发射极电压。2. 集电极结（集电极和基极之间的PN结）通常需要反向偏置电压，即集电极电压高于基极

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[技术文章]A1015 典型应用电路[ 2024-04-27 15:37 ]

三极管A1015是一种高效的PNP型低功率晶体管，其在模拟和数字信号放大以及开关控制方面展现出卓越的适用性。以下详细介绍了A1015的核心性能参数及其在各种电子电路中的实用应用。一、A1015的关键性能指标类型：PNP晶体管，优化用于正向信号放大。最大集电极电压（Vcbo）：可达50V，适应多样化的电路设计需求。最大集电极电流（Ic）：高达150 mA，适合中等负荷的应用。最大功率消耗：400 mW，保障持续稳定的运作。电流增益（hFE）：介于100至600之间，显示其强大的信号放大能力。这些参数突出了A1015在

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[常见问题解答]三极管的集电极和基极电压如何应用[ 2024-01-25 17:11 ]

三极管的集电极和基极电压如何应用三极管集电极电压和基极电压三极管是一种常见的电子元器件，被广泛应用于电子电路中。它具有放大和开关特性，常用于放大信号、控制电压和电流等应用。三极管的集电极电压和基极电压是三极管的两个重要电压参数，对其工作状态和性能具有重要影响。本文将详细介绍三极管集电极电压和基极电压的意义、特性和应用。首先，我们来了解一下三极管的基本结构和工作原理。三极管由三个掺杂不同类型的半导体材料层组成，分别是发射极、基极和集电极。发射极被掺杂为P型材料，基极是N型材料，集电极是P型材料。三个材料层之间形成两个

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[常见问题解答]NPN型的晶体管伏安特性解析[ 2023-09-12 18:17 ]

NPN型的晶体管伏安特性解析伏安特性是指横轴为电压、纵轴为电流的一组测试记录。那么NPN型晶体管的伏安特性增模描述呢? 晶体管有三个引脚，因此需用通过两个伏安特性来展示晶体管的特征，这两个伏安特性分别为输入伏安特性和输出伏安特性。晶体管输入伏安特性是指基极电流iB与发射极电压UBE之间的关系，但是这种关系受到集电极电压UCE的影响。将晶体管按照图1连接，将UCE设为5V，改变UBE，测量基极电流iB，则可以得到基极电流iB与UBE的关系，为图2所示的一根曲线。将UCE从5V开始降低电压值，每次降低1V，可得到多

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[常见问题解答]稳压电源电路图介绍[ 2023-06-02 12:19 ]

稳压电源电路图介绍1、3～25V 电压可调稳压电路图此稳压电源可调范围在 3.5V～25V 之间任意调节，输出电流大，并采用可调稳压管式电路，从而得到满意平稳的输出电压。工作原理：经整流滤波后直流电压由 R1 提供给调整管的基极，使调整管导通，在 V1 导通时电压经过 RP、R2 使 v2 导通，接着 V3 也导通，这时 V1、V2、 V3 的发射极和集电极电压不再变化(其作用完全与稳压管一样)。调节 RP，可得到平稳的输出电压，R1、RP、R2 与 R3 比值决定本电路输出的电压值。元器件选择：变压器 T 选用

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[常见问题解答]共发射极放大电路极性问题介绍[ 2023-04-20 18:00 ]

共发射极放大电路极性问题介绍三极管接成共发射极电路时，输入信号与输出信号的相位相差180度，所以也称为反相器，也就是倒相。这是因为集电极接一个电阻RC,集电极输出电压VCE与电源电压EC、集电极电阻电压VRC之间有如下关系：Ec=VRc+Vce,也就是Ec-VRc=Vce，因为VRc=Ic*Rc,Ic=βIB当三极管基极输入一个正极性信号时（正弦波的正半周信号），基极电流Ib向增大方向变化，集电极电流Ic随之增大，VRc=Rc*Ic也增大，使Vce减小，输出电压向减小方向变化。所以说，基极电压输入正半周，集电极电压

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[常见问题解答]如何判断三极管的工作状态[ 2023-02-22 17:07 ]

判断三极管工作状态的方法三极管具有三个工作状态，分别是截止状态、放大状态、饱和状态。根据三极管的管脚电压判断三极管工作状态的方法如下：（1）NPN型三极管判断方法：对于NPN型三极管，如果电压满足：集电极>基极>发射极为放大状态；如果发射极>基极，则为截止状态；如果发射极<基极，但集电极<基极，则为饱和状态。图1如图1（a）所示，三极管基极电压=3.7V，发射极电压=3V，集电极电压=8V，所以集电极>基极>发射极，所以该三极管为放大状态。如图1（b）所示，三极管基极电压=

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[常见问题解答]提高低成本开关电源的效率介绍[ 2022-11-02 17:10 ]

低电流开关稳压器IC通常使用达灵顿管作为输出开关。在这种情况下，电源转换效率可以借由两个便宜的元器件得到提高。　　为使之成为可能，芯片上应当有一个针对驱动器晶体管Q1集电极的单独引脚（图1）。在启动时，D1针对Q1的集电极电流形成一条通路。此后，D1和C1形成一个电流累加整流器，增加Q1的集电极电压和电流，从而降低闭合开关Q2上的电压降。图1:为了实现用两个元器件提升电源转换效率，芯片上应有针对驱动器晶体管Q1集电极的单独引脚。　　该电路的另一优点是能在输入电压较低的情况下工作。由于驱动器集电极上的电压有所上升，电

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[常见问题解答]详述三极管各电极电压与电流的关系[ 2021-03-19 13:36 ]

详述三极管各电极电压与电流的关系给三极管各电极加上适当的直流电压后，各电极才有直流电流。三极管基极电压用UB表示，UC是集电极电压，UE是发射极电压。图1-69所示是NPN型三极管各电极电压和电流示意图。聊一聊三极管各电极电压与电流的关系图1-69 NPN 型三极管各电极电压和电流示意图1.三极管基极电压电路中，直流工作电压+V通过电阻R1和R2分压，加到三极管VT1基极，作为VT1的基极直流电压。改变电阻R1或R2的阻值大小，可以改变三极管基极电压的大小。直流电压+V产生的电流经R1送入三极管VT1基极，另一部分

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[常见问题解答]三极管一些重要规律以及应用[ 2021-03-12 13:27 ]

三极管一些重要规律以及应用规律1：对于NPN晶体管来说，集电极电压必须比发射极电压VE高，至少要高零点几伏。否则无论基极偏置电压如何改变都不会有电流从集电极流向发射极。对于PNP晶体管来说，则要求发射极电压至少高出集电极电压零点几伏。规律2：NPN晶体管的基极至发射极有0.6V的电压降，PNP晶体管从基极到发射极有0.6V的电压升。这说明，NPN三极管的基极电压至少要比发射极电压VE高0.6V。否则三极管就没有集电极到发射极的电流。而PNP三极管的基极电压VB至少要比发射极的电压VE低0.6V，否则就没有发射极到集

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[常见问题解答]晶体三极管的开关状态[ 2021-02-27 10:36 ]

晶体三极管的开关状态关于三极管的开关状态现在基本上很少用分离的三极管来搭一个放大电路了，用作放大时三极管多接成射随器，作功率放大用。分离的三极管作放大电路有两个问题，一是比较难以计算，二是温漂较大。下面就针对工作于开关状态的三极管用我个人的理解作一描述。电路简化如下图所示，三极管工作于开状态（饱合导通状态）时特点是：发射结正偏，集电结反偏，用电压来说明的话，那么基极电压约0.6-0.7V，集电极电压约0.2-0.3V。可以说，如果不考虑三极管等的耗，任意选一个R1，可以找到很多R2使得三极管进入饱合状态

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[常见问题解答]IGBT怎么防止静电击穿[ 2020-08-25 15:06 ]

IGBT怎么防止静电击穿IGBT在关断时，由于逆变电路中存在电感成分，关断产生瞬间尖峰电压，如果尖峰电压超过IGBT的最高峰值电压，将造成IGBT击穿损坏，过压损坏可分为集电极-栅极过压，栅极-发射极过电压，高du/dt过电压。对于du/dt所导致的过压故障，基本上采用无感电容或RCD吸收，由于设计吸收容量不够而造成损坏，可以采用电压钳位，往往在集电极-栅极两端并联齐纳二极管，采用栅极电压动态控制，当集电极电压瞬间超过齐纳二极管的钳位电压时，超出的电压将叠加在栅极上，避免了IGBT因受集电极-发射极过压而损坏。在G

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[常见问题解答]三极管放大电路计算方法[ 2019-10-15 14:57 ]

一、共发射极放大电路（一）电路的组成：电源VCC通过RB1、RB2、RC、RE使晶体三极管获得合适的偏置，为三极管的放大作用提供必要的条件，RB1、RB2称为基极偏置电阻，RE称为发射极电阻，RC称为集电极负载电阻，利用RC的降压作用，将三极管集电极电流的变化转换成集电极电压的变化，从而实现信号的电压放大。与RE并联的电容CE，称为发射极旁路电容，用以短路交流，使RE对放大电路的电压放大倍数不产生影响，故要求它对信号频率的容抗越小越好，因此，在低频放大电路中CE通常也采用电解电容器。Vcc(直流电源):使发射结正偏

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[常见问题解答]三极管重要的规律与应用[ 2019-10-15 13:49 ]

三极管重要的规律与应用规律1：对于NPN晶体管来说，集电极电压必须比发射极电压VE高，至少要高零点几伏。否则无论基极偏置电压如何改变都不会有电流从集电极流向发射极。对于PNP晶体管来说，则要求发射极电压至少高出集电极电压零点几伏。规律2：NPN晶体管的基极至发射极有0.6V的电压降，PNP晶体管从基极到发射极有0.6V的电压升。这说明，NPN三极管的基极电压至少要比发射极电压VE高0.6V。否则三极管就没有集电极到发射极的电流。而PNP三极管的基极电压VB至少要比发射极的电压VE低0.6V，否则就没有发射极到集电极

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