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[常见问题解答]如何选择自举电路中的电容值？关键参数解析[ 2025-03-17 10:18 ]

自举电路在高压栅极驱动应用中扮演着关键角色，它能提供稳定的高端驱动电压，提高功率开关的效率和可靠性。在设计自举电路时，自举电容的选型至关重要，它的容值大小、耐压要求及其与电路的匹配程度，都会影响驱动电路的性能。一、自举电路的基本工作原理自举电路广泛应用于高压栅极驱动电路，特别是在使用N沟道MOSFET或IGBT作为高端开关的情况下。由于MOSFET或IGBT的栅极需要一个高于源极的驱动电压（通常为VDD + 10V~15V），直接使用单一电

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[常见问题解答]场效应管常见故障分析与修复技巧[ 2024-12-11 11:41 ]

场效应管（FET）作为一种重要的电子器件，广泛应用于各类电子设备中，尤其是在功率放大、信号调节以及开关控制等领域。尽管场效应管具有较高的性能和稳定性，但在实际应用中，也会因多种因素导致一些常见的故障。本文将分析场效应管的常见故障及其修复方法。一、栅极电压不稳定导致的故障1. 故障现象场效应管的栅极电压是控制源极和漏极之间电流流动的关键。栅极电压波动过大时，场效应管的工作状态可能出现异常，导致器件无法按预期进行电流控制，甚至出现失效。2. 原因分析栅极电压不稳定的原因主要可能是电源不稳定、去耦电容失效或者栅极驱动电路

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[常见问题解答]用单PMOS怎么做分立式负载开关[ 2023-07-01 16:42 ]

用单PMOS怎么做分立式负载开关分立式PMOS负载开关本文分析PMOS用作高边负载开关天生的优势以及设计方法。1.负载开关的类型图3-1：NMOS和PMOS寄生模型在深入研究关键参数之前，我们先来看看不同类型的负载开关。高压侧负载开关将负载与电源连接或断开，由外部启用信号控制开关将高压侧电源电流切换到负载。而低压侧开关将负载与地连接或断开，从而从负载吸收电流。负载开关可以容易地用MOSFET实现，MOSFET将电流从电源传递到负载，并通过控制信号接通或断开。将控制信号提供给MOSFET的栅极驱动电路以接通或断开MO

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[常见问题解答]MOS管快速关断的电路介绍[ 2023-04-08 17:14 ]

MOS管快速关断的电路介绍一.前言当我们使用MOS管进行一些PWM输出控制时，由于此时开关频率比较高，此时就要求我们能更快速的开关MOS管，从理论上说，MOSFET 的关断速度只取决于栅极驱动电路。当然电流更高的关断电路可以更快对输入电容器放电，从而缩短开关时间，进而降低开关损耗。如果使用普通的 N 沟道器件，通过更低输出阻抗的 MOSFET 驱动器和/或负关断电压，可以增大放电电流。提高开关速度也能降低开关损耗，当然由于 MOSFET 的快速关断也会造成 di/dt 和 dv/dt 更高，因此关断加速电路会在波形

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[常见问题解答]MOS管知识解析|要如何降低MOS的失效率[ 2020-12-15 11:41 ]

MOS管知识解析|要如何降低MOS的失效率如何以最小代价降低MOS的失效率如何降低MOS的失效率：在高端MOS的栅极驱动电路中，自举电路因技术简单、成本低廉得到了广泛的应用。然而在实际应用中，MOS常莫名其妙的失效，有时还伴随着驱动IC的损坏。如何解决？一个合适的电阻就可搞定问题。【问题分析】图为典型的半桥自举驱动电路，由于寄生电感的存在，在高端MOS关闭后，低端MOS的体二极管钳位之前，寄生电感通过低端二极管进行续流，导致VS端产生负压，且负压的大小与寄生电感与成正比关系。该负压会把驱动的电位拉到负电位，导致驱动

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[常见问题解答]解析栅极驱动参数对IGBT开通的影响[ 2020-08-21 15:28 ]

解析栅极驱动参数对IGBT开通的影响如今，IGBT已被广泛应用于工业电源领域。与MOSFET相同，它也是一种压控型器件。其开关性能可通过IGBT驱动设置加以控制或影响。优化IGBT开关性能对于系统设计而言十分重要，因为不同的开关损耗会影响散热设计和IGBT使用寿命。IGBT的栅极驱动电路看似很简单，就是一个电压源和一个栅极电阻。通过改变栅极电阻值，可以影响IGBT开关性能。但在现实系统应用中，会有许多杂散因素有意或无意地产生，比如栅极线缆电感和栅极电容（可能是PCB布线分布电容）。由于IGBT的关断特性受母排杂散电

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[常见问题解答]MOSFET及IGBT栅极驱动器电路的常见设计难题[ 2020-05-18 11:08 ]

MOSFET及IGBT栅极驱动器电路的常见设计难题在新能源和节能环保大趋势下，MOSFET和IGBT在交流电机、变频器、开关电源、电源管理、照明电路、电动工具、牵引传动等行业中的应用越来越重要。本文从MOSFET技术和开关运行概述入手，按照由易而难的顺序，分析了寄生器件的影响、瞬态和极端工作条件等较为流行的电路解决方案及其性能，详细介绍了接地参考和高侧栅极驱动电路的设计流程，以及交流耦合和变压器隔离解决方案。本报告列举了几个逐步设计示例，还专门介绍了在同步整流器应用中MOSFET的栅极驱动应用。主要内容及一些重要的

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[常见问题解答]MOSFET晶体管的开关原理和功率损耗[ 2020-04-28 11:02 ]

MOSFET晶体管的开关原理和功率损耗MOSFET非常重要的一项应用是开关电源，本文以德州仪器发布的《MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理》为例，介绍MOSFET晶体管开通动作的4个阶段，包括开通及关断过程，栅极驱动损耗和开关损耗，以及影响开关性能的源极电感、漏极电感两个寄生元件的形成机理。为了更好地理解开关过程，电路的寄生电感将被忽略。稍后将单独分析它对基本操作的相应影响。此外，以下描述涉及到箝位电感式开关，因为开关模式电源中所用的大多数MOSFET晶体管和高速栅极驱动电路都工作在该工作模式下。简化的电

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