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[常见问题解答]ESD保护二极管如何测量？测试方法与极性判断详解[ 2025-03-14 12:20 ]

ESD保护二极管是一种常见的电子元件，主要用于抑制静电放电（ESD）和瞬态过电压，防止敏感电路受损。在电子设备维护和检测过程中，正确测量其工作状态并判断极性，有助于保障电路的正常运行。一、ESD保护二极管的测量方法在测量ESD保护二极管时，通常使用数字万用表（DMM）进行检测，具体步骤如下：1. 准备测量工具需要一台带有二极管测试功能的数字万用表，以及一对测试引线。2. 确保电路断电在测量前，务必切断设备电源，确保电路处于无电状态。此外，还需释放可能残留的电荷，以避免测试数据偏差或损坏元件。3. 找到ESD保护二极

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[常见问题解答]ESD二极管封装形式及其极性判断方法[ 2025-03-05 10:28 ]

ESD（静电放电）二极管是一种专门用于保护电子元件免受静电放电（ESD）损害的元器件，广泛应用于通信设备、消费电子、汽车电子等领域。ESD二极管的封装形式多种多样，不同的封装方式适用于不同的电路板设计和应用需求。此外，正确判断ESD二极管的极性也是电路设计中的关键环节，直接关系到其保护效果。一、ESD二极管的封装形式ESD二极管的封装形式主要根据不同的电路应用场景进行优化。以下是几种常见的封装类型及其特点：1. SOD（Small Outline Diode）系列SOD封装是目前ESD二极管中最常见的一类，其特点是

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[常见问题解答]贴片LED极性判断技巧：从基础到进阶[ 2025-02-27 11:55 ]

在电子元件中，贴片发光二极管（LED）因其体积小、功耗低、亮度高等特点，广泛应用于各类设备中。无论是手持设备、家用电器，还是汽车、工业控制系统，贴片LED几乎无处不在。然而，正确判断贴片LED的极性对于确保电路正常工作至关重要。基础知识：了解贴片LED的构造首先，了解贴片LED的基本结构至关重要。典型的贴片LED由两个引脚组成——正极和负极。虽然它们外观非常相似，但实际它们在功能上具有明显差异。正极通常较短，负极则较长。这个设计旨在帮助我们在焊接或安装时快速识别正负极，避免安装错误。方法一：

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[常见问题解答]发光二极管（LED）如何正确接线？极性判断与工作原理指南[ 2025-02-26 11:45 ]

发光二极管（Light Emitting Diode，简称LED）是一种能够将电能转换为光能的半导体元件，广泛应用于照明、显示屏、指示灯等领域。正确接线对于LED的正常工作至关重要，如果极性接反，可能会导致LED无法点亮，甚至损坏电路。一、发光二极管的极性判断方法LED只能在电流由正极（阳极）流向负极（阴极）时发光，因此在接线前，需要正确辨别其极性。以下是几种常见的方法：1. 引脚长度识别一般来说，LED的两个引脚长度不同，较长的为正极（阳极），较短的为负极（阴极）。但如果引脚已被剪短，则需使用其他方法辅助判断。2

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[常见问题解答]如何使用数字万用表检测晶闸管极性的详细步骤[ 2024-06-21 12:05 ]

关于晶闸管检测及极性判断的操作步骤与技巧一、极性和检测晶闸管的步骤：晶闸管三个电极被定义为A极（阳极）、K极（阴极）及G极（栅极）。为了鉴定每个电极的极性，我们通常采用二极管测试模式。晶闸管的内部结构可视为两个三极管的联合，具有相应的PN结构。设置仪表到二极管测试模式后，通过红黑表笔连接晶闸管的任意两个电极，根据显示屏的数据（通常在150至800的数值范围内），可以确定红表笔所接的为G极，黑表笔接的为K极，未连接的则是A极。二、晶闸管的功能测试：晶闸管的功能测试与NPN型三极管相似，因此可以利用"hFE&

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[常见问题解答]双相PFC电路的工作原理介绍[ 2023-06-27 18:37 ]

双相PFC电路的工作原理介绍图1 双相PFC主电路拓扑及单个单元单开关周期工作电流波形该拓扑控制方式的PFC电路，有桥堆整流，为后边的Boost电路提供直流输入，TM的控制方式使高频开关MOS管可以实现VS或者ZVS，续流二极管可以自然关断，也不存在反向恢复损耗，可以降低电路工作的开关损耗。有桥TM PFC主功率电路中没有高频全控开关管组成的桥臂，也不需要做AC极性判断，与TCM控制方式的图腾柱PFC拓扑相比，控制难度大大降低了;而对比CCM控制，又可以获得较高的电能转化效率。主功率电路拓扑为整流桥+两路交错并联的

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[常见问题解答]IGBT场效应管工作原理以及极性判断-好坏判断方法[ 2021-03-25 10:42 ]

IGBT场效应管工作原理以及极性判断-好坏判断方法一、前言IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点，已逐步取代晶闸管和GTO（

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