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[常见问题解答]深入解析场效应管参数:如何评估与选择适合的器件[ 2024-12-11 14:18 ]
作为电压控制的半导体元件,场效应晶体管(FET)经常用于电子设备中。其工作原理是通过栅极电压控制源极和漏极之间的电流,使设计人员能够为不同的应用选择最佳的器件。本文对场效应晶体管的主要参数进行了详细分析,并说明了如何评估和选择最佳场效应晶体管参数。一、最大漏极电流(IDmax)最大漏极电流(IDmax)是指场效应晶体管的漏极在正常工作条件下能够承受的最大电流值。选择场效应管时,必须根据负载要求、工作环境和电流负载评估最大漏电流,否则可能会导致设备损坏或性能下降。例如,在功率转换和放大电路中,需要保证所选场效应管的I
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[行业资讯]TIP32C晶体管参数,TIP32C晶体管中文资料,TIP32C替代[ 2022-11-09 18:31 ]
TIP32C达林顿晶体管替代,TIP32C达林顿晶体管PNP,TIP32C达林顿晶体管规格书TIP32C TO-220 达林顿晶体管 PNP互补硅功率三极管TIP32C晶体管封装是TO-220,TIP32C晶体管是PNP型,TIP32C晶体管的作用TIP32C达林顿晶体管规格书,点击查看TIP32C TO-220-3L.pdfTIP32C达林顿晶体管,封装TO-220规格参数如下:TIP32C达林顿晶体管,TO-220封装尺寸如下:壹芯微科技专注于“二,三极管、MOS(场效应管)、桥堆”研发
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[行业资讯]MMBT3904三极管参数,MMBT3904参数中文资料规格书[ 2021-10-13 15:13 ]
MMBT3904三极管参数代换,MMBT3904 晶体管参数中文资料规格书MMBT3904三极管,丝印1AM,SOT-23封装引脚图:壹芯微供应MMBT3904系列的三极管型号如下(尾缀不同,参数一致,主要区分材质、封装与包装方式)MMBT3904L-AE3-R MMBT3904G-AE3-R 封装形式SOT-23MMBT3904L-AL3-R MMBT3904G-AL3-R 封装形式SOT-323MMBT3904L-AN3-R MMBT3904G-AN3-R 封装形式SOT-523MMBT3904L-AQ3-R
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[行业资讯]NCEP60T15K TO252场效应晶体管参数规格书 选型替换 - 壹芯微[ 2021-09-13 15:48 ]
NCEP60T15K TO252场效应晶体管参数规格书 选型替换 - 壹芯微NCEP60T15K场效应管主要参数 极性:N沟道;电压(VDSS):60V;电流(ID):150A;封装(Pageke):TO-252;大芯片,高品质,原厂批量直销,提供技术支持,免费送样测试,替代原装进口品牌型号Drain-Source Voltage 漏源电压 VDS 60 VGate-Source Voltage 栅源电压 VGS ±20 VDrain Current-Continuous 漏极电流连续(硅限制) ID
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[行业资讯]TIP42C晶体管参数与中文资料(图) - 壹芯微[ 2021-07-19 09:00 ]
TIP42C TO-220/TO-252参数与中文资料 - 晶体管 - 壹芯微TIP42C(NPN 互补功率达林顿晶体管)品牌:壹芯微|类型:晶体管|封装:TO-220/TO-252|多种封装 尺寸不同 参数一致 免费样品 欢迎咨询TIP42C晶体管参数参数\型号TIP42C极性PNPIC(mA)6000BVCBO(V)100BVCEO(V)100HFE(MIN)15HFE(MAX)75VCE(sat)(V)1.5VCE(sat)IC(mA)6000VCE(sat)IB(m)600封装TO-220/TO-252概述
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[行业资讯]TIP41C TO-220/TO-252参数和中文资料 - 晶体管 - 壹芯微[ 2021-07-17 09:33 ]
TIP41C TO-220/TO-252参数和中文资料 - 晶体管 - 壹芯微TIP41C(NPN 互补功率达林顿晶体管)品牌:壹芯微|类型:晶体管|封装:TO-220/TO-252|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询TIP41C晶体管参数参数\型号TIP41C极性NPNIC(mA)6000BVCBO(V)100BVCEO(V)100HFE(MIN)15HFE(MAX)75VCE(sat)(V)1.5VCE(sat)IC(mA)6000VCE(sat)IB(m)600封装TO-220/TO-252概述:互补硅塑
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[行业资讯]TIP32C TO-220/TO-252参数和中文资料 - 晶体管 - 壹芯微[ 2021-07-17 09:24 ]
TIP32C TO-220/TO-252参数和中文资料 - 晶体管 - 壹芯微TIP32C(PNP 互补功率达林顿晶体管)品牌:壹芯微|类型:晶体管|封装:TO-220/TO-252|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询TIP32C晶体管参数参数\型号TIP32C极性PNPIC(mA)3000BVCBO(V)100BVCEO(V)100HFE(MIN)10HFE(MAX)50VCE(sat)(V)1.2VCE(sat)IC(mA)3000VCE(sat)IB(m)375封装TO-220/TO-252概述:中等功率
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[行业资讯]TIP31C TO-220/TO-252参数和中文资料 - 晶体管 - 壹芯微[ 2021-07-17 09:17 ]
TIP31C TO-220/TO-252参数和中文资料 - 晶体管 - 壹芯微TIP31C(NPN 互补功率达林顿晶体管)品牌:壹芯微|类型:晶体管|封装:TO-220/TO-252|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询TIP31C晶体管参数参数\型号TIP31C极性NPNIC(mA)3000BVCBO(V)100BVCEO(V)100HFE(MIN)10HFE(MAX)50VCE(sat)(V)1.2VCE(sat)IC(mA)3000VCE(sat)IB(m)375封装TO-220/TO-252概述:用于电源
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[行业资讯]TIP127 TO-220/TO-252参数和中文资料 - 晶体管 - 壹芯微[ 2021-07-17 09:13 ]
TIP127 TO-220/TO-252参数和中文资料 - 晶体管 - 壹芯微TIP127(PNP 互补功率达林顿晶体管)品牌:壹芯微|类型:晶体管|封装:TO-220/TO-252|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询TIP127晶体管参数参数\型号TIP127极性PNPIC(mA)8000BVCBO(V)100BVCEO(V)100HFE(MIN)1000HFE(MAX)12000VCE(sat)(V)2VCE(sat)IC(mA)4000VCE(sat)IB(m)20封装TO-220/TO-252概述:壹芯
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[行业资讯]TIP122 TO-220/TO-252参数和中文资料 - 晶体管 - 壹芯微[ 2021-07-17 09:03 ]
TIP122 TO-220/TO-252参数和中文资料 - 晶体管 - 壹芯微TIP122(NPN 硅功率达林顿晶体管)品牌:壹芯微|类型:晶体管|封装:TO-220/TO-252|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询TIP122晶体管参数参数\型号TIP122极性NPNIC(mA)8000BVCBO(V)100BVCEO(V)100HFE(MIN)1000HFE(MAX)12000VCE(sat)(V)2VCE(sat)IC(mA)4000VCE(sat)IB(m)20封装TO-220/TO-252概述:这些设
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[行业资讯]S8550 TO-92/SOT-23参数和中文资料 - 晶体管 - 壹芯微[ 2021-07-16 09:30 ]
S8550 TO-92/SOT-23参数和中文资料 - 晶体管 - 壹芯微S8550(TO-92中的25V,PNP小信号晶体管)品牌:壹芯微|类型:晶体管|封装:TO-92/SOT-23|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询S8550晶体管参数参数\型号S8550极性PNPIC(mA)500BVCBO(V)40BVCEO(V)25HFE(MIN)85HFE(MAX)400VCE(sat)(V)0.6VCE(sat)IC(mA)500VCE(sat)IB(m)50封装TO-92/SOT-23壹芯微—&m
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[行业资讯]S8050 TO-92/SOT-23参数和中文资料 - 晶体管 - 壹芯微[ 2021-07-16 09:24 ]
S8050 TO-92/SOT-23参数和中文资料 - 晶体管 - 壹芯微S8050(TO-92中的25V,NPN小信号晶体管)品牌:壹芯微|类型:晶体管|封装:TO-92/SOT-23|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询S8050晶体管参数参数\型号S8050极性NPNIC(mA)500BVCBO(V)40BVCEO(V)25HFE(MIN)85HFE(MAX)400VCE(sat)(V)0.6VCE(sat)IC(mA)500VCE(sat)IB(m)50封装TO-92/SOT-23壹芯微—&m
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[行业资讯]MMBTA92 SOT-89/TO-92参数和中文资料 - 晶体管 - 壹芯微[ 2021-07-16 09:19 ]
MMBTA92 SOT-89/TO-92参数和中文资料 - 晶体管 - 壹芯微MMBTA92(SOT-89中的300V,PNP小信号晶体管)品牌:壹芯微|类型:晶体管|封装:SOT-89/TO-92|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询MMBTA92晶体管参数参数\型号MMBTA92极性PNPIC(mA)500BVCBO(V)300BVCEO(V)300HFE(MIN)100HFE(MAX)200VCE(sat)(V)0.2VCE(sat)IC(mA)20VCE(sat)IB(m)2封装SOT-89/TO-92一
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[行业资讯]MMBTA42 SOT-89/TO-92参数和中文资料 - 晶体管 - 壹芯微[ 2021-07-16 09:13 ]
MMBTA42 SOT-89/TO-92参数和中文资料 - 晶体管 - 壹芯微MMBTA42(SOT-89中的300V,NPN小信号晶体管)品牌:壹芯微|类型:晶体管|封装:SOT-89/TO-92|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询MMBTA42晶体管参数参数\型号MMBTA42极性NPNIC(mA)500BVCBO(V)300BVCEO(V)300HFE(MIN)100HFE(MAX)200VCE(sat)(V)0.2VCE(sat)IC(mA)20VCE(sat)IB(m)2封装SOT-89/TO-92一
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[行业资讯]MMBT5551 SOT-23/TO-92参数和中文资料 - 晶体管 - 壹芯微[ 2021-07-16 09:06 ]
MMBT5551 SOT-23/TO-92参数和中文资料 - 晶体管 - 壹芯微MMBT5551(SOT23中的160V,NPN小信号晶体管)品牌:壹芯微|类型:晶体管|封装:SOT-23/TO-92|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询MMBT5551晶体管参数参数\型号MMBT5551极性NPNIC(mA)600BVCBO(V)180BVCEO(V)160HFE(MIN)100HFE(MAX)300VCE(sat)(V)0.2VCE(sat)IC(mA)50VCE(sat)IB(m)5封装SOT-23/TO-
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[行业资讯]MMBT3906 SOT-23/TO-92参数和中文资料 - 晶体管 - 壹芯微[ 2021-07-15 18:21 ]
MMBT3906 SOT-23/TO-92参数和中文资料 - 晶体管 - 壹芯微IMMBT3906(SOT23中的40V PNP小信号晶体管)品牌:壹芯微|类型:晶体管|封装:SOT-23/TO-92|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询MMBT3906晶体管参数参数\型号MMBT3906极性PNPIC(mA)200BVCBO(V)40BVCEO(V)40HFE(MIN)100HFE(MAX)300VCE(sat)(V)0.3VCE(sat)IC(mA)50VCE(sat)IB(m)5封装SOT-23/TO-92
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[行业资讯]MMBT3904 SOT-23/TO-92参数和中文资料 - 晶体管 - 壹芯微[ 2021-07-15 09:19 ]
MMBT3904 SOT-23/TO-92参数和中文资料 - 晶体管 - 壹芯微IMMBT3904(SOT23中的40V NPN小信号晶体管)品牌:壹芯微|类型:晶体管|封装:SOT-23/TO-92|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询MMBT3904晶体管参数参数\型号MMBT3904极性NPNIC(mA)200BVCBO(V)60BVCEO(V)40HFE(MIN)100HFE(MAX)300VCE(sat)(V)0.3VCE(sat)IC(mA)50VCE(sat)IB(m)5封装SOT-23/TO-92
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[常见问题解答]晶体管的耗散功率知识[ 2019-12-10 14:18 ]
晶体管的耗散功率知识晶体管耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM,是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。硅管的结温允许值大约为150°C,锗管的结温允许值为85°C左右。要保证管子结温不超过允许值,就必须将产生的热散发出去.晶体管在使用时,其实际功耗不允许超过PCM值,否则会造成晶体管因过载而损坏。2分类/耗散功率!通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管,PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶
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[常见问题解答]怎么避免二极管过载损坏[ 2019-11-29 12:27 ]
如怎么避免二极管过载损坏 第一节 如何避免二极管过载损坏 二极管作为一种基础电子元器件,所有工程师都知道其具有单向导电性。根据半导体材料分类,可分为硅二极管和锗二极管;根据据应用场合分类,可分为整流二极管、检波二极管、开关二极管和稳压二极管。不论怎么分,二极管有一个参数十分重要,会直接影响到晶体管是否会因过载损坏。耗散功率耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM,是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。是某一时刻电网元件或者全网有功输入总功率与有功输出总功率的差值。在线性条件下
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[常见问题解答]晶体管参数在使用中的意义[ 2019-11-05 10:29 ]
晶体管参数在使用中的意义做模拟电路的工程师,都有过使用晶体管(场效应管也是晶体管中的一种)、运放的经验和体会。尤其是在设计时,更会对晶体管的一些电参数进行测试和考量。在测试时,许多人对晶体管电参数的实测值与规格书所提供的规范值,为什么会有很大差异,感到不可思议。有时,一些工程师会用实测值来要求供应商,也有一些工程师会把一些特殊参数作为常规参数进行处理。这样的后果就是整机产品一致性、重复性差,严重时还会出现达不到设计指标,更有甚者是在生产中出现大量损坏电子元器件的异常。此时,许多工程师都会把眼光钉住那些损坏的晶体管上
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