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[常见问题解答]推挽式功放电路的工作原理与设计要点解析[ 2024-12-05 12:05 ]

推挽功放电路作为一种常见的音频放大技术，广泛应用于音响、广播及各种高保真音响设备中。由于其独特的设计和工作原理，在提供高效率、低失真的音频放大方面占据领先地位。本文详细分析了推挽式功放电路的工作原理，并讨论了设计过程中应注意的要点。一、推挽式功放电路的核心原理推挽式功放电路的核心原理如下：关于两个互补晶体管（或 MOSFET）的交替操作。推挽电路可以通过两个晶体管放大输入信号的正半周期和负半周期来实现这一点。由于每个晶体管仅工作半个周期，因此该设计可以克服传统单端设计遇到的交叉失真问题。推挽式功放电路常常采用一对互

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[常见问题解答]推挽输出电路的工作原理与应用解析[ 2024-10-15 14:22 ]

推挽输出电路是一种常见的电子电路设计技术，广泛应用于音频放大器、开关电源、数字电路驱动等领域。本文详细分析了推挽输出电路的工作原理，并给出了具体的应用场景，帮助读者更好地理解该电路的特点和优点。一、什么是推挽输出电路推挽输出电路是将两个反相放大器组合在一起，交替输出两个元件来驱动负载的电路结构。该电路通常由两个反相工作的晶体管或MOS管组成，一开一关，有效利用电源电压，提高输出功率和效率。在推挽电路中，信号的正负部分由不同的晶体管驱动。例如，输入信号的正半波由一个晶体管放大，负半波由另一个晶体管放大。这样负载就能得

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[常见问题解答]推挽电路如何影响放大电阻的选择？[ 2024-10-09 11:22 ]

推挽电路是电子设计中常见的放大器电路结构，由于其高效率和低失真而被广泛使用。本文将解释推挽电路如何影响电阻选择，以及设计人员如何在各种应用场景中最佳地考虑这些因素，以实现良好的放大效果。一、推挽电路通常由两个晶体管（一个NPN和一个PNP晶体管）或两个互补的MOSFET组成。这两个晶体管在输入信号的正半周期和负半周期交替工作，当一个晶体管截止时，另一个晶体管导通，从而有效地放大整个信号周期内的输入信号。- 当输入信号为正半周期时，NPN晶体管导通，电流流过集电极-发射极路径。当信号处于负半周期时，PNP晶体管导通，

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[常见问题解答]推挽输出电路中电平高低解析[ 2024-03-28 17:02 ]

推挽输出电路中电平高与低解析推挽电路（push-pull）就是两个不同极性晶体管间连接的输出电路。它采用两个参数相同的功率BJT管或MOSFET管，以推挽方式存在于电路中，各负责正负半周的波形放大任务。电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小，效率高。推挽输出既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。在电路设计中，推挽输出是一种很常用的输出模式，具有很多优点，如更低的损耗、更安全的输出等。“推挽”之意，即为当一个管子推出去时，另一个管子拉回来。输入不同，交替导通。例如

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[常见问题解答]场效应管组成的推挽电路与工作原理介绍[ 2023-08-02 17:04 ]

场效应管组成的推挽电路与工作原理介绍1、P-MOS 管和 N-MOS管组成的推挽电路推挽电路是由两个三极管或MOSFET，以推挽方式存在于电路中，电路工作时，两只对称的开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小、效率高、既提高电路的负载能力，又提高开关速度。芯片的GPIO具有了“推挽输出”和“开漏输出”两种模式，现在来分析下推挽输出原理。推挽电路2、工作原理VOUT为GPIO口的输出，当VIN为高电平时，上边的PMOS管截止，NMOS管导通，对外VOUT输出低电平当VIN

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[常见问题解答]电路设计，MOS管推挽电路[ 2023-07-29 15:24 ]

电路设计，MOS管推挽电路1、三极管回顾：三极管推挽电路输出特点：Vout=Vin-0.3V(如下图所示)。这中输出方式跟三极管的特性分不开。下文中提到的MOS管推挽电路将规避这个问题：涉及知识：三极管导通特性需要考虑压降，MOS管导通是没有压降这个概念，只需要考虑导通阻抗问题(Rds-on)2、MOS管推挽电路设计上N上N型推挽电路：如下图所示。Vout几乎等于VCC(这种方式是轨对轨方式(rail-rail))工作特性：一般工作在频率比较高，功率比较大的电路。重点：其中工作方式与之前三极管推挽电路工作方式相同;

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[常见问题解答]三极管推挽电路解析[ 2023-06-14 16:29 ]

三极管推挽电路解析推挽电路，有人也叫图腾柱电路。英文里叫push-push。这里先说这里推和挽针对的是电流，而不是电压。电路由NPN三极管接正电源，PNP接负电源。共同连接基极，这样当信号来临时，只会有一侧会被导通。先分析正半周：正电压加在基极，NPN管子导通，进而有一个1+β倍的电流流过CE，在输出产生一个和输入同频但是电流要大的多的信号。进入负半周，电流从右往左，下半部分导通，在输出产生一个更大的负向电流。这样就实现了交流电流信号的放大功能。到这里，其实推挽电流的大致原理就讲完了，下面简单举例一些应用场景

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[常见问题解答]栅极型推挽电路上P下N与上N下P区别介绍[ 2023-05-29 17:07 ]

栅极型推挽电路上P下N与上N下P区别介绍在做信号控制以及驱动时，为了加快控制速度，经常要使用推挽电路。推挽电路可以由两种结构组成：分别是上P下N，以及上N下P。其原理图如下所示。经常遇到的推挽电路是第一种。第二种是上P下N型，这样的管子在实际中用起来，理论中比上N下P型更有优势呀。”但是实际中，为什么不适用上P下N。先来看看上N下P型，从该原理图可以知道，其输出信号与输入信号的相位是相同的，即输入时高。输出就是高。但是根据N管的工作特点——N管的输出电压幅

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[常见问题解答]三极管交越失真的方法解析[ 2023-05-24 17:46 ]

三极管交越失真的方法解析推挽电路也可以简单认为是一个电流放大电路，其具备较好的电流输出能力。但是其在处理交流信号时，会存在交越失真的问题(如图1所示)。这极大地限制了推挽电路的工作环境及范围。图1.1图1.2交越失真产生的原因如下：图2图2为推挽电路的基本结构，假设该电路现工作在双电源状态，若需要上管Q1导通，其需要满足的条件之一为：Vin>0.6V，相同的，若下管需要导通，则Vin<-0.6V。这即说明，推挽电路会存在一个导通盲区，即当“-0.6V为解决该问题，可以利用二极管的导通压降进行

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[常见问题解答]三极管推挽电路设计介绍[ 2023-02-23 16:10 ]

当驱动光耦的输出能力无法满足IGBT门极驱动电流的要求时，要选择使用推挽驱动。（1） IGBT门极峰值电流计算IGBT门极峰值电流Imax=0.74*△VGE/（Rg+Rint）△VGE为IGBT驱动电压变化量，Rg为外加门极电阻，Rint为门极内部电阻，0.74为考虑到驱动器内阻和引线电感而设置的校正系数。假设IGBT在开通和关断的过程中，门极等效电容Cge恒定。对于IGBT门极回路可列出微分方程Ld2iG（t）/dt2+RdiG（t）/dt+1/CGE*iG（t）=0求解方程(4)得到Imax的表达式(5)，

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[常见问题解答]音质至上的场效应管功率放大器电路图解[ 2021-04-15 09:30 ]

音质至上的场效应管功率放大器电路图解本文介绍一款号称采用进口原装器件装制的烧级功放电路，效果非凡。初听时，不觉有些小视。在功放中，以线路如何先进、音质如何上乘，而自我标榜者，不乏有之。但拿到此板后，才知有些“轻敌”，整个线路板布局较为考究，进口五色环金属膜电阻，清一色的VMOS-FET场效应管稳坐板上，颇有大家风范。现介绍给广大的音响爱好者，希望能力您的不懈的追求提供一点帮助。电路原理如图中所示。从图中可以看出这是一部全VMOS-FET场应管功率放大器。由于采用了3对大功率效应管组成推挽电路

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[常见问题解答]mos管推挽电路组成结构及特点晶体管与CMOS驱动级推挽电路图[ 2020-09-11 16:46 ]

mos管推挽电路组成结构及特点晶体管与CMOS驱动级推挽电路图推挽电路mos管推挽电路，什么是推挽电路。推挽电路就是两个不同极性晶体管间连接的输出电路。推挽电路采用两个参数相同的功率BJT管或MOSFET管，以推挽方式存在于电路中，各负责正负半周的波形放大任务，电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小效率高。推挽输出既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。推挽电路的组成结构mos管推挽电路，看看推挽电路的组成结构。如果输出级的有两个三极管，始终处于一个导通、一个截止的状态，也就是两个三极

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[常见问题解答]三极管前级放大器图解[ 2019-10-23 16:25 ]

三极管前级放大器图解偶得一块小巧别致的全贴片元件电路板，经剖析为单声道前置放大器。最大的亮点是，利用射极输出器输出阻抗低的特点，在输出端运用单端推挽电路，是一般射极输出电路所难做到的。电路分析见图：输八级由V1、V2两级射极输出电路组成。整个电路阻抗决定于偏流电阻R1与V1输人阻抗的并联值。V1的输人阻抗近似等于β1×RL1，β1是V1的电流放大系数，RL1是V1的等效负载。显然，同样都是射极输出器，但V2的作用是让V1能有一个较高的负载阻抗，从而使整个电路具有更高的输入阻抗。为了确保V1和

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