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[常见问题解答]LLC变压器设计中的四个关键挑战与应对策略[ 2025-04-14 11:26 ]

LLC变压器是一种基于谐振式拓扑结构的电源变压器，因其零电压开关和较低的开关损耗，常被用于大功率、高效率的电源设计中。然而，在实际应用中，LLC变压器的设计并非总是顺利，设计师往往会遇到一些关键挑战。1. 空载电压问题：如何避免输出电压偏高在LLC变压器设计中，空载电压偏高是一个常见问题。特别是在轻载时，寄生电容和漏感的影响会导致变压器的输出电压高于设计值。其主要原因在于，当绕组匝数过多时，绕组之间的寄生电容与漏感产生相互作用，形成寄生振荡，这种振荡会在轻负载下显得尤为明显，导致输出电压升高。为了应对这一问题，可以

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[常见问题解答]寄生振荡在热插拔控制器中的成因与原理详解[ 2024-10-30 15:51 ]

寄生振荡问题是热插拔控制器中相对复杂的现象，特别是在启动和电压或电流调节期间。在确保电路稳定性和使用N沟道应用（例如，可更换控制器、浪涌保护器、电子保险丝、MOSFET (NFET) 的理想二极管控制器）时，了解原因和原理非常重要。寄生振荡通常会导致性能下降。电路的性能会下降，甚至影响整个系统的可靠性。本文详细分析了寄生振荡的原因和工作原理。一、什么是寄生振荡寄生振荡是一种不需要的高频振荡现象，通常由电路引起。它是由电路中无意形成的谐振路径引起的。如果电路设计中寄生电感、电容和反馈路径没有得到适当控制，热插拔控制器

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[常见问题解答]MOS管的GS电阻如何选取？避开常见误区的指南[ 2024-10-28 15:53 ]

MOS管常用于电子电路中，GS电阻（栅源电阻）的选择往往会影响电路的性能和稳定性，从而导致电路性能下降或器件逐渐损坏。下面详细分析GS电阻选择中最重要的一点，并为读者提供在此过程中常见误解的完整参考。GS电阻的主要作用是MOS管栅极（G）和源极（S）之间的电阻，保护MOS管免受静电损坏。由于栅极MOS管对静电敏感，会导致器件损坏，因此需要控制开关速度并抑制寄生振荡。添加适当的直流电阻可以创建静电放电路径，减少高压对设备的影响。电阻器的大小会影响电路的开关速度和整体稳定性。

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[常见问题解答]MOS场效应管栅极电阻在工业电源中的作用解析 - 壹芯微[ 2021-08-12 15:51 ]

场效应MOS管栅极电阻在工业电源中的五大作用 - 壹芯微一、起到分压作用二、下拉电阻时会快速泄放栅极电荷将MOS管迅速截止三、防止栅极出现浪涌过压(栅极上并联的稳压管也是为了防止过压产生)四、全桥栅极电阻也是相同机理，快速泄放栅极电荷，将MOS管尽快的截止。防止避免栅极悬空，悬空的栅极MOS管将会导通，导致全桥栅极短路五、驱动管和栅极之间的电阻起到隔离、防止寄生振荡的作用深圳市壹芯微科技专业研发制造各种直插、贴片二三极管，肖特基，TVS，快恢复，高效整流，场效应管(MOS管)，可控硅，三端稳压管，桥堆等功率器件选型

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[常见问题解答]场效应MOS管的栅极电阻在工业电源中的作用解析- 壹芯微[ 2021-08-04 12:00 ]

场效应MOS管的栅极电阻在工业电源中几大作用-壹芯微一、分压的作用二、下拉电阻时尽快泄放栅极电荷将MOS管尽快截止三、防止栅极出现浪涌过压（栅极上并联的稳压管也是防止过压产生）四、全桥栅极电阻也是同样机理，尽快泄放栅极电荷，将MOS管尽快截止。避免栅极悬空，悬空的栅极MOS管将会导通，导致全桥短路五、驱动管和栅极之间的电阻起到隔离、防止寄生振荡的作用深圳市壹芯微科技专业研发制造各种直插/贴片，肖特基，TVS，超快恢，高效整流，低压降，稳压管，场效应管(MOSFET)，可控硅，三端稳压管，整流桥堆等选型产品，引进大量

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[常见问题解答]解析功率MOSFET并联产生寄生振荡的原因和解决方法[ 2020-09-01 16:09 ]

解析功率MOSFET并联产生寄生振荡的原因和解决方法功率mosfet功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。功率mosfet工作原理及其他详解截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。导电：在栅源极间加正电压UG

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[常见问题解答]功率MOSFET并联时产生寄生振荡的原因与解决方案[ 2019-11-23 12:04 ]

功率MOSFET并联时产生寄生振荡的原因与解决方案功率MOS管即功率MOSFET，具有热漂移小，驱动电路简单，驱动功率小，开关速度快，工作频率高等优点。凭借出色的热稳定性，将多个功率MOSFET并联的方法可行而简单，这对提高输出电流非常有意义。事实上，MOSFET工作于高频率开关状态，任何电气特性差异和电路杂散电感均可导致瞬时电压峰值，以及并联MOSFET之间的电流分配不平衡。这是非常有害的，因为电流不平衡可能导致功率损耗过大并损坏器件。并联MOSFET（左）及寄生振荡状态的等效电路（右）并联连接时，最重要的是避免

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