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[常见问题解答]贴片稳压二极管选型指南：如何从参数出发决定封装形式？[ 2025-04-16 12:10 ]

在电子设计中，贴片稳压二极管是保障电路电压稳定的关键元件之一。由于其体积小、响应快、稳定性好，被广泛应用于各种便携式设备、电源管理模块、通讯终端等领域。然而，在具体选型过程中，仅凭封装大小或价格并不能做出最优决策。不同封装形式背后蕴含着参数性能的差异，唯有从核心参数出发，才能选择出真正契合应用场景的贴片封装方案。一、功耗大小决定封装体积需求贴片稳压二极管的功率耗散能力与其封装尺寸密切相关。高功率应用通常要求器件具备更强的热扩散能力，从而避免长时间运行时的过热风险。像SOD-323、SOD-523等小封装更适用于轻载

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[常见问题解答]解析DC-DC转换器中的能量损耗机制及计算方法[ 2025-03-21 11:36 ]

DC-DC转换器作为现代电子设备中不可或缺的电源模块，广泛应用于消费电子、通信系统、汽车电子乃至工业设备中。虽然这类电源转换器能够有效地将一种电压等级转换为另一种电压，但在这一过程中不可避免地伴随着能量损耗。深入理解DC-DC转换器内部的功率耗散机制，并掌握其计算方法，是提升系统能效、优化热管理、延长器件寿命的关键。一、能量损耗的来源解析DC-DC转换器的损耗可以大致划分为以下几类：1. 开关器件的损耗开关元件（通常为MOSFET）在导通与关断过程中会产生两种主要损耗：- 导通损耗：MOSFET在导通状态下存在一定

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[常见问题解答]详解二极管的主要电气参数与工作原理[ 2025-01-09 10:49 ]

二极管是电子电路中常用的重要半导体元件，其基本功能是朝一个方向传导电流。在电路设计与分析中，了解二极管的关键电气参数和工作原理可以帮助工程师更好地完成电路设计、优化和性能改进。本文对二极管的主要电气参数和工作机制进行了详细的分析，让读者更好地了解二极管的特性。一、主要电气参数1. 正向电压降正向电压降是指二极管正向偏置时跨过二极管产生的电压降。对于硅二极管，该电压通常为0.6到0.7伏，而对于锗二极管，正向电压降通常为0.2到0.3伏。正向电压降直接影响电路的功率耗散，必须予以考虑，特别是在高效设计中。2. 正向电

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[常见问题解答]LED检测必备知识：你不可不知的五大测试标准[ 2024-07-12 11:34 ]

一、LED热学特性和结温测量在LED的应用中，热管理是不可忽视的一环。热阻和结温是评估LED热性能的两个关键指标。热阻定义为器件热流路径上的温差与功率耗散的比例，而结温则指的是LED的半导体结的实际温度。常用的结温测量技术包括红外测温和热偶测量法。前者通过捕捉芯片表面的红外辐射来估计温度，而后者则通过直接测量小型热偶的温度来确定。二、LED优势：节能与环保LED光源以其高效率和长寿命被广泛认可。相较于传统白炽灯，LED的能效高达20-28lm/w，寿命可超过100,000小时，显著优于其他类型的照明。此外，LED灯

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[技术文章]1N4742A 典型应用电路[ 2024-05-09 14:59 ]

1N4742A是一种稳压二极管，通常被用于电子电路中，以确保电路中的电压稳定。以下是1N4742A的应用场景和参数特点：一、应用场景：1. 电源稳压器：在电源稳压器中，1N4742A可用于稳定输出电压，防止电压波动对电路的影响。2. 电子设备保护：它也可以用作电子设备中的过压保护装置，防止过高的电压损坏电路。3. 信号处理电路：在信号处理电路中，1N4742A可用于稳定输入信号的电压，以确保电路正常工作。二、参数特点：1. 稳定电压：1N4742A的主要特点之一是其稳定的反向工作电压，通常为12V。2. 功率耗散：

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[技术文章]MMBT5401 典型应用电路[ 2024-04-26 18:11 ]

MMBT5401是一种NPN双极晶体管，常用于电子电路中的放大和开关应用。这种晶体管具有多种参数特点，使其在特定的应用场景中表现出色。一、主要参数：- 集电极-发射极电压（VCEO）： 150 V- 集电极电流（IC）： 600 mA- 功率耗散： 625 mW- 频率响应： 200 MHz二、应用场景：1. 音频放大器：在音频放大器中，MMBT5401可以提供稳定的放大功能，确保音频信号的清晰传递。2. 开关电源：作为开关电源的一部分，MMBT5401能够承受较高的功率，保证电源模块的稳定输出。3. 驱动电路：用

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[行业资讯]CJD02N65场效应(MOS管)参数报价原厂直销免费样品 - 壹芯微[ 2021-09-16 11:50 ]

CJD02N65场效应(MOS管)参数报价原厂直销免费样品 - 壹芯微CJD02N65场效应管主要参数极性：N沟道；电压(VDSS)：650V；电流(ID)：2A；封装(Pageke)：TO-252；大芯片，高品质，原厂批量直销，提供技术支持，免费送样测试，替代原装进口品牌型号漏源电压 VDS 650 V栅源电压 VGSS ±20 V持续漏极电流 ID 2 A脉冲漏极电流 IDM 8 A单脉冲雪崩能量 (note1) EAS 128 mJ功率耗散 PD 1.25 W从结到环境的热阻 RθJA

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[常见问题解答]MOS管的知识-MOSFET耗散功率计算图文分析[ 2020-12-01 15:58 ]

MOS管的知识-MOSFET耗散功率计算图文分析计算MOSFET的耗散功率为了确定一个MOSFET是否适合于某特定应用，你必须计算一下其功率耗散，它主要包含阻性和开关损耗两部分:由于MOSFET耗散功率很大程度上依赖于它的导通电阻(Rds(ON)，计算RDs(ON)看上去是一个很好的出发点。但是MOSFET的Rds(ON)与它的结温(Tj)有关。话说回来，Tj 又依赖于MOSFET的功率耗散以及MOSFET的热阻(θjA)。这样，似乎很难找到一个着眼点。由于功率耗散的计算涉及到若干个相互依赖的因素，我们可以采用一种

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[常见问题解答]mos管功耗-mos管功耗计算方法和MOS驱动基础[ 2020-09-09 14:45 ]

mos管功耗-mos管功耗计算方法和MOS驱动基础MOS管功耗，要确定一个MOSFET场效应管是否适于某一特定应用，需要对其功率耗散进行计算。耗散主要包括阻抗耗散和开关耗散：PDDEVICETOTAL=PDRESISTIVE+PDSWITCHINGmos管功耗-低功耗趋势封装的小型化使封装的热阻降低，功率耗散才能进步，相同电压电流规格或者功率规格的产品，个头小的，功率耗散才能更高，这似乎与我们的生活常识有些相悖，但是事实确实如此。VMOS的通态功耗，业界习气于用饱和导通电阻RDS(ON)来权衡，这是不太客观的，由于

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[常见问题解答]开关稳压器工作原理与类型[ 2020-05-07 11:26 ]

开关稳压器工作原理与类型与线性稳压器相比，开关稳压器在设计，结构和操作方面有所不同。在开关稳压器中，通过控制反馈电路的开关时间（包括参考电压）来调节输出电压；通过调节占空比，上面讨论的调节器都是线性稳压器，需要串联传输晶体管来调节有源区。尽管它们被选择用于不同目的，但它们确实具有串联传输晶体管的高功率耗散的缺点。主要原因是因为串联传输晶体管被用作A类功率放大器，其以低效率和热量形式的功率损耗而着称。当负载电流增加时，串联传输电阻必须承载重负载。这导致串联传输晶体管变得笨重，具有更大的散热器。这反过来又增加了总体成本

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[常见问题解答]怎么避免二极管过载损坏[ 2019-11-29 12:27 ]

如怎么避免二极管过载损坏第一节如何避免二极管过载损坏二极管作为一种基础电子元器件，所有工程师都知道其具有单向导电性。根据半导体材料分类，可分为硅二极管和锗二极管;根据据应用场合分类，可分为整流二极管、检波二极管、开关二极管和稳压二极管。不论怎么分，二极管有一个参数十分重要，会直接影响到晶体管是否会因过载损坏。耗散功率耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。是某一时刻电网元件或者全网有功输入总功率与有功输出总功率的差值。在线性条件下

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[常见问题解答]双极性结式晶体管(BJT)在开关电源中的应用[ 2019-11-06 10:45 ]

双极性结式晶体管(BJT)在开关电源中的应用MOSFET已经是是开关电源领域的绝对主力器件。但在一些实例中，与MOSFET相比，双极性结式晶体管 (BJT) 可能仍然会有一定的优势。特别是在离线电源中，成本和高电压（大于 1kV）是使用BJT而非MOSFET的两大理由。在低功耗（3W 及以下）反激式电源中，很难在成本上击败 BJT。大批量购买时，一个 13003 NPN 晶体管价格可低至 0.03 美元。该器件不仅可处理 700V VCE，而且无需过大的基流便可驱动几百毫安的电流。使用 BJT，增益和功率耗散可能会

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[常见问题解答]MOSFET驱动方式详情[ 2019-09-09 12:21 ]

MOSFET驱动方式：驱动方式是对简易方式的一种初步改进,它不但能降低TTL器件的功率耗散,也能保证较高的开通速度。驱动方式可进一步改善驱动性能,不但关断时间可以进一步缩短,开通时间与关断时间的差别也通过互补电路而消除。同时,在这种驱动方式中的两个外接晶体管起着射极跟随器的作用,因而功率MOSFET永远不会被驱动到饱和区。由于互补方式增加了驱动功率,这种方式更适合于大功率MOSFET的驱动。而这种方式可以产生足够高的栅压使器件充分导通,并保证较高的关断速度。由于外接负载电阻RL须有一定大小,以限制TTL的低电平输出

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