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[常见问题解答]高性能MOS管选型指南：如何看懂质量与稳定性参数[ 2025-04-17 10:55 ]: 在功率电子设计中，MOSFET（场效应晶体管）以其快速开关速度、低导通电阻以及优异的热稳定性，成为电源管理、电机驱动、逆变器等领域不可或缺的核心元件。然而，面对市面上种类繁多、参数各异的MOS管，工程师在选型时常常遇到困扰。一、导通电阻Rds(on)：影响发热和能耗的关键参数导通电阻是判断MOS管性能的重要指标之一，数值越小，在工作状态下电压降越低，发热量越少。例如，用于高频DC-DC转换器的MOSFET，Rds(on)应控制在几毫欧以下，以确保转换效率最大化。需要注意的是，在选型时应同时参考其在特定漏极电压和栅压; http://www.szyxwkj.com/Article/gxnmosgxxz_1.html

[常见问题解答]基于非对称瞬态抑制技术的SiC MOSFET门极保护全新解决方案[ 2025-04-12 11:34 ]: 在功率电子设计领域，随着SiC MOSFET器件的快速普及，如何有效保障其门极的安全，已成为工程师们关注的重点问题。尤其在高压、大功率及高频应用场景下，门极易受到电源瞬态、电磁干扰及负载切换等因素的威胁。针对这一痛点，近年来非对称瞬态抑制（TVS）技术的出现，为SiC MOSFET门极的可靠保护提供了全新的解决思路。一、为何SiC MOSFET门极需要特殊保护？SiC MOSFET相比传统硅器件，具备开关速度更快、耐压能力更高、导通损耗更低等优势，但这也带来了门极易受干扰的设计挑战。特别是在实际应用中，门极信号线往; http://www.szyxwkj.com/Article/jyfdcstyzj_1.html

[常见问题解答]MOS管并联应用：如何确保电流平衡？[ 2025-02-22 10:07 ]: 在现代功率电子设计中，MOS管因其开关速度快、控制简单而广泛应用。尤其在大功率应用场合，单一的MOS管往往难以满足所需的电流容量，因此通常采用多个MOS管并联的方式来提升电流承载能力。然而，MOS管并联使用时，电流的分配不均问题常常困扰设计工程师。如果电流不均匀，部分MOS管可能会因为超负荷工作而过热甚至损坏，导致系统故障。因此，确保MOS管并联时电流的均匀分配，是保证系统稳定与可靠性的关键。一、MOS管选型与匹配在并联MOS管时，选型与匹配是影响电流均衡的首要因素。不同的MOS管在参数上可能存在一定差异，甚至是同; http://www.szyxwkj.com/Article/mosgblyyrh_1.html

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