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[技术文章]NCE01P13K 典型应用电路[ 2024-05-13 15:23 ]

NCE01P13K是一款备受推崇的高性能功率场效应管，其在工业控制领域有着广泛的应用。以下将详细介绍其应用场景和参数特点。一、应用场景：1. 电源管理：NCE01P13K在电源管理中扮演着重要角色。它可用于开关电源、DC-DC转换器等系统中，提供高效、稳定的功率调节和转换功能。这使得它成为电源管理系统中不可或缺的一部分。2. 电机驱动：作为电机驱动器的功率开关，NCE01P13K能够实现电机的启停、速度调节等功能。在工业自动化和机械控制领域，它为电机系统的高效运行和精确控制提供了支持。3. 逆变器：在太阳能发电系统

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[常见问题解答]如何优化降压式开关电源的PCB布局以提高效率[ 2024-05-08 10:20 ]

在探讨降压式开关电源的PCB布局时，首先需要理解该布局在电源设计中的关键作用。主要元件包括输入和输出的滤波电容、滤波电感，以及上下端的功率场效应管。此外，控制电路包含PWM控制芯片、旁路电容、自举电路、反馈分压电阻和反馈补偿电路，这些都是确保电源性能的关键部分。降压式开关电源在消费类电子产品中广泛应用。设计者需要区别识别功率电路与控制信号电路中的元器件，处理不当可能造成重大问题。了解电源中高频电流的流向及区分小信号控制电路和功率电路的元器件及其布线尤为重要。一个典型的降压式开关电源PCB设计示例包括12V的输入和3

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[常见问题解答]同步整流下功率场效应管的分析[ 2023-06-14 16:24 ]

同步整流下功率场效应管的分析同步整流技术就是用功率MOSFET代替普通二极管或者肖特基二极管进行整流,所以,研究同步整流技术,就必须首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。不但应该深入研究功率MOSFET的导电特性,而且要基于其整流损耗模型,进行整流损耗分析。除此之外,对于大电流运行情况,同步整流技术的整流损耗是否总是优于肖特基二极管的整流损耗。MOSFET为电压控制型器件,电压控制意味着对电场能的控制,故称作为电场效应晶体管。MOSFET是利用多数载流子导电的器件,因而又称之为单极性晶体管。MOSFET下

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[常见问题解答]VMOS管开关电源电路图介绍[ 2023-02-17 17:15 ]

VMOS管开关电源电路图（一）　　如图是以VMOS功率场效应管为开关器件，以TL494开关集成电路组件为控制电路的推挽开关稳压电源。　　图中，TL494作为电源的控制电路，除了作为振荡源以外，还担负调整和稳定输出电压的任务。其振荡频率主要由外接元件R1和C1决定。本电源的开关频率为100kHz。VD1、VD2为隔离二极管，工作电压为33V。T为输出推挽变压器，其初级中心抽头与直流12V输入电源相接。次级接输出桥式整流电路。输出滤波器由扼流圈L1和滤波电容C3组成，能对100kHz的交流电起到很好的滤波作用。当输出电

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[行业资讯]4N50场效应管参数,4N50参数规格书代换[ 2021-10-08 11:00 ]

4N50场效应管参数,4N50参数规格书代换4N50（4A,500V N沟道功率场效应管）封装形式：TO-252,TO-251,TO-220,TO-220F4N50规格书(PDF):查看下载4N50的概述：4N50是一款N沟道模式功率MOSFET，采用先进技术，为客户提供平面条带和 DMOS 技术。该技术允许最小的通态电阻和卓越的开关性能。它还可以承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。4N50一般应用于高效开关电源、有源功率因数校正和基于半桥拓扑的电子灯镇流器。4N50的特性：ID=4AVDS=500VRDS(ON

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[常见问题解答]MOS场效应管的选型方法详解[ 2021-08-27 16:28 ]

MOS场效应管的选型方法详解近年来，随着汽车、通信、能源、消费、绿色工业等大量应用场效应管产品的行业在近几年来得到了快速的发展，功率场效应管更是备受关注。据预测，2010-2015年中国功率MOSFET市场的总体复合年度增长率将达到13.7%。虽然市场研究公司 iSuppli 表示由于宏观的投资和经济政策和日本地震带来的晶圆与原材料供应问题，今年的功率场效应管市场会放缓，但消费电子和数据处理的需求依然旺盛，因此长期来看，功率场效应管的增长还是会持续一段相当长的时间。一.场效应管的基础选型场效应管有两大类型：N沟道

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[常见问题解答]〔壹芯〕生产7N65场效应管7A-650V,参数达标,质量稳定[ 2021-06-05 14:25 ]

〔壹芯〕生产7N65场效应管7A-650V,参数达标,质量稳定场效应管(MOSFETS)型号：7N65　　　　　　　极性：NIDA(A)：7　　　　　　　VDSS(V)：650RDS(on)　MAX(Ω)：1.4　VGS(V)：10 VGS(th)　(V)：2~4Gfs(min)　(S)：6.5　Vgs(V)：40　Io(A)：3.5封装：TO-252 TO-220功率MOSFET功率场效应管（Power MOSFET）是一种单极型的电压控制器件，不但有自关断能力，而且有驱动功率小、开关速度高、无二次击穿

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[常见问题解答]场效应管工作原理-MOS管场效应管详解[ 2021-04-28 10:33 ]

场效应管工作原理-MOS管场效应管详解场效应管分类场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完整绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为普遍的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。按沟道半导体资料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分红耗尽型与加

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[常见问题解答]mos功率管引脚辨认方法及简单应用制作控制[ 2021-04-27 10:33 ]

mos功率管引脚辨认方法及简单应用制作控制辨认MOS功率场效应管引脚的方法很简单，现在常用的IRF系列、2SJ系列、2SK系列及10N60这类MOS功率场效应管的引脚排列基本上都一样，如下图所示。 N沟道MOS场效应管的引脚排列。图中的IRF3205是逆变器及开关电源中常用的大功率N沟道MOS场效应管，现在常用的其它型号的MOS功率场效应管的引脚排列大都与IRF3205一样，面对型号，从左到右引脚分别为G（栅极）、D（漏极）、S（源极）。用数字万用表测量MOS场效应管引脚的方法MOS场效应管内部的寄生二极

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[常见问题解答]功率场效应管的原理和特点及参数[ 2021-04-03 10:00 ]

功率场效应管的原理和特点及参数功率场效应管又叫功率场控晶体管。一．功率场效应管原理：半导体结构分析略。本讲义附加了相关资料，供感兴趣的同事可以查阅。实际上，功率场效应管也分结型、绝缘栅型。但通常指后者中的MOS管，即MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。它又分为N沟道、P沟道两种。器件符号如下：N沟道

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[常见问题解答]场效应管的识别介绍[ 2021-03-31 09:42 ]

与三极管一样，场效应管也有三ATMEGA8535-16JU个电极，分别是栅极G、源极S、漏极D。场效应管可看作是一只普通三极管，栅极G对应基极B，漏极D对应集电极C，源极S对应发射极E（N沟道对应NPN型三极管，P沟道对应PNP型三极管）。场效应管引脚排列位置根据其品种、型号及功能不同而异。对于大功率场效应管，如图6.6(a)所示，从左至右，引脚排列基本为G、D、S极（散热片接D极）；采用绝缘底板模块封装的特种场效应管通常有4个管脚，如图6.6(b)所示，上面的两个通常为两个S极（相连），下面的两个分别为G、D极；

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[常见问题解答]MOS管知识普及|VMOS场效应管是什么[ 2020-12-11 14:11 ]

MOS管知识普及|VMOS场效应管是什么VMOS场效应管详解VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（0.1μA左右），还具有耐压高（最高1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率

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[常见问题解答]场效应管的保护电路-锂电池保护电路和保护电路图[ 2020-09-05 16:52 ]

场效应管的保护电路-锂电池保护电路和保护电路图什么是保护电路鉴于电源电路存在一些不稳定因素，而设计用来防止此类不稳定因素影响电路效果的回路称作保护电路。比如有过流保护、过压保护、过热保护、空载保护、短路保护等。功率场效应管保护电路设计功率场效应管自身拥有众多优点，但是MOSFET管具有较脆弱的承受短时过载能力，特别是在高频的应用场合，所以在应用功率MOSFET对必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可靠性。功率MOSFET保护电路主要有以下几个方面：1)防止栅极di／dt过高：由于采用驱动芯片，其输出阻抗较低，直接

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[常见问题解答]N沟道增强型高压功率场效应管提高逆变器工作效率解析[ 2020-07-06 16:31 ]

N沟道增强型高压功率场效应管提高逆变器工作效率解析不少电子产品的元器件都会有逆变器这么一个部件，而电子工程师都知道逆变器在电子产品中的重要性，而场效应管的质量将影响到逆变器的转换效率、启动速度、安全性能、物理性能、和带负载适应性和稳定性，所以电子厂家都希望采购的场效应管质量过硬。而现在市场上的7N40就是逆变器使用的场效应管之一，但由于成本的原因，厂家也会希望有可以替代的同类型场效应管。逆变器的直流转换是MOS开关管和储能电感组成电压变换电路，输入的脉冲经过推挽放大器放大后驱动MOS管做开关动作，使得直流电压对电感

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[常见问题解答]V-FET或功率场效应管(MOS管)知识分享[ 2020-04-15 15:01 ]

V-FET或功率场效应管(MOS管)知识分享功率MOS管工作原理功率MOS管-N通道功率MOS管通常采用V型配置，如图所示。这就是为什么该器件有时被称为V-MOS管或V-FET。如图所示，V形切口从器件表面穿N +，P和N~层几乎渗透到N +衬底。N +层是重掺杂的低电阻材料，而N +层是轻掺杂的高电阻区域。二氧化硅介电层覆盖水平表面和V形切割表面。绝缘栅极是在V形切口中沉积在SiO 2上的金属膜。源极端子通过SiO 2层与上N +和P- 层接触。N +衬底是器件的漏极端子。V-MOS管是一个E模式FET，漏极和源

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[常见问题解答]功率场效应管的原理特点参数与对比[ 2020-03-10 14:59 ]

功率场效应管的原理特点参数与对比功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。功率场效应管原理半导体结构分析略。本讲义附加了相关资料，供感兴趣的同事可以查阅。实际上，功率场效应管也分结型、绝缘栅型。但通常指后者中的MOS管，即MOSFET（Metal Oxide Semicondu

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[常见问题解答]增强型N沟道场效应管的电池反接保护电路解析[ 2019-12-09 12:04 ]

增强型N沟道场效应管的电池反接保护电路解析一般防止电池接反损坏电路采用串接二极管的方法，在电池接反时，PN结反接无电压降，但在正常工作时有0.6～0.7V的管压降。采用导通电阻低的增强型N沟道场效应管(MOSFET)具有极小的管压降(RDS(ON)×ID)，如Si9410DY的RDS(ON)约为0.04Ω，则在lA时约为0.04V。功率场效应管(MOSFET)典型应用电路1、电池反接保护电路电池反接保护电路如图9所示。一般防止电池接反损坏电路采用串接二极管的方法，在电池接反时，PN结反接无电压降，但在正

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[常见问题解答]VMOS概述-VMOS场效应管的检测方法与注意事项[ 2019-11-09 12:08 ]

VMOS概述-VMOS场效应管的检测方法与注意事项解析VMOS场效应管概述VMOS场效应管的检测方法解析。VMOS管全称V-groove metal-oxide semiconductor，或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（最高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。众所周知，传统的M

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[常见问题解答]功率场效应晶体管(MOSFET)原理知识[ 2019-10-26 11:59 ]

功率场效应晶体管(MOSFET)原理功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz，特别适于高频化电力电子装置，如应用于DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备中。但因为其电流、热容量小，耐压低，一般只适用于小功率电力电子装置。一、电力场效应管的结构和工作原理电力场效应晶体管种类和结构有许多种，按导电沟道可分

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[常见问题解答]IRF系列场效应管参数代换表[ 2019-10-08 11:52 ]

IRF系列场效应管参数代换表IRF系列 POWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换带有"-"号的参数为P沟道场效应管,带有/的参数的为P沟道,N沟道双管封装在一起的场效应管,没注明的均为N沟道场效应管.型号Drain-to-Source Voltage漏极到源极电压 Static Drain-Source On-State Resistance静态漏源

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