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[常见问题解答]为什么MOS管关断速度比开通速度更重要?[ 2025-04-18 10:45 ]
在许多电路设计中,MOS管的关断速度比开通速度更为关键。虽然两者看似都对电路的性能和效率有影响,但实际上,关断速度对整体电路的影响更为深远。1. 关断时间与功耗的关系首先,MOS管的开关行为直接影响电路中的功耗。MOS管的开通和关断过程中,栅极电容的充放电会引起能量损失。虽然开通过程的能量损失较为显著,但关断过程中的功耗却可能导致更长时间的损耗。如果MOS管不能迅速关断,过长的关断时间意味着MOS管在电路中保持导通状态的时间更长,这会增加整个电路的热损耗,从而降低效率。因此,提高关断速度是减少功耗的一个有效手段。2
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[常见问题解答]普通晶闸管与快速晶闸管关断时间差异分析[ 2025-02-26 10:18 ]
晶闸管(SCR,Silicon Controlled Rectifier)在电力电子领域中被广泛应用,主要用于整流、调功及开关控制等场合。根据其关断特性的不同,晶闸管可分为普通晶闸管(SCR)和快速晶闸管(Fast SCR)。关断时间是衡量晶闸管性能的重要指标之一,它决定了器件能否在高频应用场景中稳定运行。一、关断时间的基本概念关断时间指的是晶闸管从导通状态完全恢复到阻断状态所需的时间。在此过程中,晶闸管内部载流子需要重新复合并消散,直到无法再维持导通状态。较短的关断时间意味着器件可以在更高的频率下工作,因此对于高
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[常见问题解答]同步整流与异步整流:两者的区别与应用分析[ 2025-02-19 11:07 ]
在现代电力电子技术中,整流技术起着至关重要的作用。特别是同步整流和异步整流,它们作为两种常见的整流方式,各自在不同的应用领域中展现出各自的优势和特点。一、同步整流:提高效率的新技术同步整流技术,也被称为主动整流技术,是近年来为了提升整流效率而发展出来的一种新型技术。传统的整流二极管(如硅二极管)由于其存在一定的电压降,导致在高频和大电流条件下,损耗较为严重。为了解决这一问题,同步整流技术采用了主动控制的MOSFET(场效应晶体管)作为整流开关。同步整流器的工作原理基于开关模式,MOSFET的导通时间和关断时间由控制
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[常见问题解答]如何提升关断速度?深入解读驱动电路的加速关断原理[ 2024-10-28 14:20 ]
在高频电路设计中,提高MOSFET、IGBT等功率器件的关断速度对于提升电路效率至关重要。快速关断可以降低功耗,缩短响应时间。以下介绍关断驱动电路的原理、常用方法和重要设计要点。一、加速关断驱动电路核心原理关断时,必须快速放电栅极电荷,使关断时间尽可能短。MOSFET等功率器件的栅极和源极之间通常存在电容,该电容直接影响充电放电速率。加速关断电路设计的关键点在于快速降低栅源极之间的栅源电压,通过连接到电源来实现电容器的快速放电过程。典型的加速关断电路通过将二极管和电阻器与栅极驱动电阻器并联,以加速电容器放电。二极管
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[常见问题解答]PWM开关电源输出电压不稳定的原因及对策[ 2024-10-19 14:47 ]
PWM开关电源广泛应用于现代电子设备中,通过控制开关管的开通和关断时间来调节输出电压。然而,输出电压可能会变得不稳定,这种不稳定的情况会对设备的正常运行产生不利影响。本文探讨了PWM开关电源输出电压不稳定的最常见原因,并列出了各种影响因素的解决方案。负载突然变化、输入电压不稳定、元件老化、环境条件变化等都会引起电压波动。为了提高PWM开关电源输出电压的稳定性,需要从多方面进行分析。一、负载变化负载变化是影响PWM开关电源电压稳定性的主要原因之一。当负载变化时,电源的输出电压会受到干扰。如果负载突然增加或减少,尤其如
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[常见问题解答]UC3842在电动车充电器中的电路优化与实施策略[ 2024-09-13 15:30 ]
在电动车充电器的设计与开发中,优化电路的性能是至关重要的。UC3842作为一款高效的PWM控制集成电路,广泛应用于电动车充电器中,其电路设计和优化策略对提升充电效率和安全性具有显著影响。一、UC3842基本特性UC3842集成电路具有多种功能,能够通过控制开关管的导通和关断时间来调节输出电压,采用PWM技术进行精确控制。其内置的过流保护、欠压锁定以及软启动功能,使得电路在电动车充电器中的应用更为安全可靠。二、电路设计优化策略1. 输入滤波优化:在UC3842的应用中,设计高效的输入滤波电路可以有效去除输入电压中的高
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[常见问题解答]晶闸管的不同类型及其应用领域概览[ 2024-07-09 11:22 ]
一、快速晶闸管快速晶闸管被广泛用于高频的电子调节设备中,主要见于中频感应加热设备.这种设备能够承受高达400Hz以上的工作频率.其特性包括短暂的开通时间(4~8微秒)与关断时间(10~60微秒),主要服务于高频整流、斩波、逆变和频率转换电路.结构上,快速晶闸管与普通晶闸管相似,但门极设计更复杂,以适应特定的应用需求.采用先进工艺改善了快速晶闸管的开关特性,虽然缩短了关断时间,却对设备的通态性能造成影响,如浪涌电流性能下降.用户需综合实际应用条件来选择合适的设备.特别的结构调整,如增长门极-阴极周界、减薄基区厚度,旨
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[常见问题解答]BUCK拓扑电路原理和特征介绍[ 2023-09-21 18:50 ]
BUCK拓扑电路原理和特征介绍Buck基础拓扑电路降压式(Buck)变换器是一种输出电压≤输入电压的非隔离直流变换器。Buck变换器的主电路由开关管Q,二极管D,输出滤波电感L和输出滤波电容C构成。接下来将从:1. 开关整流器基本原理 2. 传说中的“伏-秒平衡” 3. 同步整流死区时间等三部分详细介绍Buck电路的工作原理。Part 1 开关整流器基本原理导通时间关断时间在[0,Ton]期间,开关导通;在[Ton,Ts]期间,Q截止。设开关管开关周期为Ts,则开关频率fs=1/Ts。
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[常见问题解答]场效应管,MOS管的驱动方式介绍[ 2023-07-21 16:39 ]
场效应管,MOS管的驱动方式介绍MOS管是一种电压型控制器件,具有开挂速度快,输入阻抗高,驱动功率小等一系列优点。常见的MOS驱动方式有以下几种。1、直接驱动直接驱动2、推挽驱动当驱动IC的驱动能力不足时,我们采用推挽驱动,这中驱动方式不仅增加了驱动能力,而且也加速了关断时间。推挽驱动3、变压器驱动变压器驱动MOS管使用变压器驱动,不仅实现电气隔离,而且驱动速度也快,但是使用变压器驱动时,MOS管的占空比不能大于50%,否则变压器会饱和。壹芯微科技专注于“二,三极管、MOS(场效应管)、桥堆&rdquo
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[常见问题解答]IGBT的关断过程影响解析[ 2023-06-17 15:24 ]
IGBT的关断过程影响解析从电压电流对IGBT的关断过程进行分析01前言绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是双极型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET) 的复合器件,IGBT将BJT的电导调制效应引入到VDMOS 的高阻漂移区, 大大改善了器件的导通特性, 同时还具有MOSFET栅极输入阻抗高、开关速度快的特点。很多情况,由于对IGBT关断机理认识不清, 对关断时间随电压和电流的变化规律认识不清, 导致无法解释在使用过程中出现的电流拖尾长、死区时间长等现象, 不能充分发挥IGBT 的性能; 导致IGBT因使
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[常见问题解答]开关电源输入保护电路介绍[ 2023-03-04 12:19 ]
开关电源是开关稳压线性电源的简称,以前的电源产品是采用线性电源,这是一种晶体管线性稳压电源,由于效率低下等原因已逐渐被开关电源取代。开关电源,顾名思义就是通过控制开关管的导通时间以及关断时间来维持输出电压的稳定的电源,已逐渐向小型化、效率化、模块化、高可靠性等方向发展。对于开关电源,输入保护电路很重要,开关输入保护电路具有过流保护、过压保护以及浪涌抑制等功能,对于电网的电压冲击以及EMC等具有至关重要的作用。下面列举6种开关电源输入保护电路一、保险丝形式保险丝有普通型的也有快速型的,具有熔点低、熔断速度快特点,但是
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[常见问题解答]逆导晶闸管RCT知识了解[ 2021-02-03 15:24 ]
逆导晶闸管RCT知识了解逆导晶闸管RCT亦称反向导通晶闸管。其特点是在晶闸管的阳极与阴极之间反向并联一只二极管,使阳极与阴极的发射结均呈短路状态。由于这种特殊电路结构,使之具有耐高压、耐高温、关断时间短、通态电压低等优良性能。例如,逆导晶闸管的关断时间仅几微秒,工作频率达几十千赫,优于快速晶闸管(FSCR)。该器件适用于开关电源、UPS不间断电源中,一只RCT即可代替晶闸管和续流二极管各一只,不仅使用方便,而且能简化电路设计。逆导晶闸管的伏安特性具有不对称性,正向特性与普通晶闸管SCR相同,而反向特性与硅整流管的正
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[常见问题解答]三极管晶体管开关电路设计图解[ 2019-10-29 11:58 ]
三极管晶体管开关电路设计TTL晶体管开关电路按驱动能力分为小信号开关电路和功率开关电路;按晶体管连接方式分为发射极接地(PNP晶体管发射极接电源)和射级跟随开关电路1.发射极接地开关电路1.1 npn型和pnp型基本开关原理图 :NPN型和PNP型基本开关电路图上面的基本电路离实际设计电路还有些距离:由于晶体管基极电荷存储积累效应使晶体管从导通到断开有一个过渡过程(当晶体管断开时,由于R1的存在,减慢了基极电荷的释放,所以Ic不会马上变为零)。也就是说发射极接地型开关电路存在关断时间,不能直接应用于中高频开关。1.
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[常见问题解答]MOSFET驱动方式详情[ 2019-09-09 12:21 ]
MOSFET驱动方式:驱动方式是对简易方式的一种初步改进,它不但能降低TTL器件的功率耗散,也能保证较高的开通速度。驱动方式可进一步改善驱动性能,不但关断时间可以进一步缩短,开通时间与关断时间的差别也通过互补电路而消除。同时,在这种驱动方式中的两个外接晶体管起着射极跟随器的作用,因而功率MOSFET永远不会被驱动到饱和区。由于互补方式增加了驱动功率,这种方式更适合于大功率MOSFET的驱动。而这种方式可以产生足够高的栅压使器件充分导通,并保证较高的关断速度。由于外接负载电阻RL须有一定大小,以限制TTL的低电平输出
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[常见问题解答]快恢复二极管的短载流子寿命控制技术详解[ 2019-03-05 18:20 ]
壹芯微作为国内专业生产快恢复二极管的生产厂家,生产技术已经是非常的成熟,进口的测试仪器,可以很好的帮组到客户朋友稳定好品质,也有专业的工程师在把控稳定质量,协助客户朋友解决一直客户自身解决不了的问题,每天会分析一些知识或者客户的一些问题,来出来分享,今天我们分享的是,快恢复二极管的短载流子寿命控制技术详解,请看下方在很多情况下特别是对那些需要工作在较高類率的器件而言,缩短载流子寿命,进而对恢复电荷、关断时间等关键参数进行控制是十分重要的。具体对于快恢复二极管应用载流子寿命控制技术要求尽量减小存储电荷Qrr、加速Qr
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