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场效应MOS管P2003ED参数

PD最大耗散功率:32WID最大漏源电流:12AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.037ΩVRDS(ON)ld通态电流:6AVRDS(ON)栅极电压:4.5VVGS(th)V开启电压:1~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    场效应MOS管P2003ED是一种常见的功率场效应管,具有广泛的应用场景和一系列特点。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 通信设备:在通信设备中,P2003ED可用于功率放大和电源开关等功能,保护设备免受电压尖峰的影响。

    2. 汽车电子:在汽车电子系统中,P2003ED可用于控制发动机的点火系统、电动部件的驱动以及车载娱乐系统的功率放大。

    3. 工业自动化:在工业自动化领域,P2003ED可以用作电机驱动器,控制各种工业设备的运动。

    4. 电源管理:在电源管理应用中,P2003ED可用于开关电源和DC-DC转换器,实现电能的高效转换和稳定输出。

    5. 消费类电子产品:在消费类电子产品中,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机等,P2003ED可用于电池充电管理、功率放大和电源开关等功能。

    二、参数特点:

    1. 低开启电阻: P2003ED具有低的开启电阻,能够在低电压下提供较大的电流输出,降低功率损耗和提高效率。

    2. 高耐压能力:P2003ED具有较高的耐压能力,能够在较高的电压下稳定工作,适用于各种高压应用场景。

    3. 快速开关特性:P2003ED具有快速的开关特性,能够快速响应控制信号,并实现高频率的开关操作。

    4. 良好的温度稳定性:P2003ED在不同温度下的性能稳定性良好,能够在广泛的工作温度范围内可靠工作。

    5. 可靠的ESD保护:P2003ED具有良好的静电放电(ESD)保护能力,能够有效防止静电等外部干扰对器件的损坏。

    综上所述,场效应MOS管P2003ED作为一种常见的功率场效应管,在各种应用场景中都有着重要的作用。其低开启电阻、高耐压能力、快速开关特性、良好的温度稳定性和可靠的ESD保护等特点,使其成为众多电子设备中不可或缺的组成部分。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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