PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:20AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.035ΩVRDS(ON)ld通态电流:20AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.2~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 通信设备:NCE60P12K 在通信设备中用于功率管理和电源控制,确保设备稳定工作。
2. 工业自动化:在工业控制系统中,NCE60P12K 作为开关元件,用于驱动电机和控制电力设备。
3. 汽车电子:在汽车电子系统中,NCE60P12K 被广泛应用于发动机控制单元(ECU)和电动车辆的电源管理。
4. 消费电子:在电子产品如笔记本电脑、充电器等中,NCE60P12K 用于功率转换和电池管理。
5. 可再生能源:在太阳能和风能发电系统中,NCE60P12K 被用于电力逆变器和电网连接。
二、参数特点:
1. 低导通电阻: NCE60P12K 的低导通电阻确保了功率转换时的高效能。
2. 高耐压特性:具有较高的耐压特性,能够在高电压环境下稳定工作。
3. 快速开关特性:具有快速的开关速度,适用于高频开关电路。
4. 优秀的热特性:能够在高温环境下长时间稳定工作,具有良好的热稳定性。
5. 可靠性高:经过严格的质量控制和可靠性测试,NCE60P12K 具有高可靠性和稳定性。
综上所述,NCE60P12K 作为一款高性能功率MOSFET,在各种电力电子应用中发挥着重要作用。其低导通电阻、高耐压特性以及优秀的热特性,使其成为众多电子设备中不可或缺的重要组成部分。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话:13534146615
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