收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管NCE40P40K参数

场效应MOS管NCE40P40K参数

PD最大耗散功率:80WID最大漏源电流:-40AV(BR)DSS漏源击穿电压:-40VRDS(ON)Ω内阻:0.014ΩVRDS(ON)ld通态电流:-12AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-1.5~-3VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

立即咨询


    NCE40P40K是一款功率MOSFET,广泛应用于各种电源管理和开关应用中。

    一、应用场景:

    1. DC/DC转换器:NCE40P40K可以用于车载电源和其他便携式设备中的DC/DC转换器,提供高效率的电源转换。

    2. 电池管理系统:在电动车和可充电电池包中,NCE40P40K被用来进行电池的充放电管理,以优化电池性能和延长使用寿命。

    3. 电机驱动:适用于无刷直流(BLDC)电机的驱动,NCE40P40K提供了必要的高速开关功能,使电机运行更平稳、效率更高。

    二、参数特点:

    1. 高导通能力:这款MOSFET的导通电阻低,这意味着在导通状态下损耗的能量较少,效率更高。

    2. 耐高压:NCE40P40K能够承受高达40V的漏极-源极电压,适用于多种高压应用场景。

    3. 大电流承载能力:其最大持续漏极电流可达40A,使其能够在高负载应用中稳定工作。

    4. 快速开关速度:NCE40P40K具有较快的开关速度,有助于减少开关时的能量损失,并提高应用的整体效率。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号