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场效应MOS管IRF520N参数

PD最大耗散功率:48WID最大漏源电流:9.7AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRF520N是一种常用的功率场效应晶体管(MOSFET),在电子电路中有着广泛的应用场景。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 通信设备:IRF520N在通信设备中用于功率放大和开关控制,保障信号传输的稳定性。

    2. 汽车电子:在汽车电子系统中,IRF520N常用于控制电动汽车的电机驱动和电源管理。

    3. 工业控制:在工业自动化领域,IRF520N可用于控制大功率设备、机器人和传感器等。

    4. 电源管理:IRF520N可以用于设计稳压器、开关电源和电池管理系统。

    5. LED照明:在LED照明控制电路中,IRF520N可用于调光和开关控制,提高照明系统的效率和灵活性。

    二、参数特点:

    1. 高功率特性:IRF520N能够承受较大的电流和电压,适用于高功率应用。

    2. 低导通电阻:IRF520N在导通状态下具有较低的电阻,降低功率损耗。

    3. 快速开关特性:IRF520N具有较快的开关速度,适用于高频率电路设计。

    4. 热稳定性:IRF520N能够在高功率工作时保持较好的热稳定性,提高设备可靠性。

    5. 可靠性:IRF520N经过严格的质量控制和可靠性测试,适用于各种恶劣环境下的长期稳定工作。

    综上所述,IRF520N作为一款高性能的功率场效应晶体管,在通信、汽车、工业和照明等领域都有着重要的应用。其优秀的参数特点保障了电路的稳定性和效率,使其成为工程师们的首选器件之一。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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