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场效应MOS管FQP8N65C参数

PD最大耗散功率:147WID最大漏源电流:8AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:1.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP8N65C是一款功率MOSFET,具有广泛的应用场景和特点。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源供应系统:FQP8N65C在电源供应系统中用于开关电源和逆变器,稳定电流和电压,提高能源传输效率。

    2. 电动汽车和充电桩:在电动汽车和充电桩中,FQP8N65C管理电池充放电过程,优化能源利用效率。

    3. 工业自动化设备:FQP8N65C应用于工业自动化设备中,确保设备稳定运行和高效工作。

    4. LED照明:FQP8N65C在LED照明中控制电流和亮度,提升照明质量和节能效果。

    5. 通信设备:FQP8N65C在通信设备中使用,保证设备性能和信号传输的稳定性。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FQP8N65C具有低导通电阻,减少功率损耗,提高设备效率。

    - 优异的热特性:FQP8N65C能在高温环境下稳定工作,延长设备使用寿命。

    - 快速开关速度:FQP8N65C具备快速开关速度,适用于高频开关电路,响应迅速。

    - 低开启电压:FQP8N65C的低开启电压减少能耗,提高电路效率。

    - 高抗干扰能力:FQP8N65C设计具备高抗干扰能力和可靠性,适合复杂工作环境下长期稳定运行。

    综上所述,FQP8N65C不仅在功率电子领域广泛应用,其卓越的性能特点为各种电子设备提供了可靠的技术支持,确保设备高效稳定运行。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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