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场效应MOS管ZXMN10A11K参数

PD最大耗散功率:4.06WID最大漏源电流:3.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.35ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    ZXMN10A11K是一款N沟道增强型场效应晶体管,广泛应用于各类电子电路中。以下分别介绍ZXMN10A11K的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:ZXMN10A11K常用于开关电源中的低压控制电路。由于其高效的导通特性和快速的开关速度,可以在开关电源的转换过程中提供稳定的电流输出,提高电源的整体效率。

    2. 直流电机驱动:在直流电机驱动电路中,ZXMN10A11K能够高效地控制电机的启停和转速。其低导通电阻和高电流处理能力,确保电机在高负载下仍能稳定运行。

    3. 电池管理系统:ZXMN10A11K在电池管理系统(BMS)中起到关键作用,特别是在电池保护和充电控制方面。其低功耗和高效的电流处理能力,保证电池的安全和高效使用。

    4. LED驱动:在LED驱动电路中,ZXMN10A11K能有效地调节电流,确保LED的稳定工作。其高开关频率和低损耗特点,使得LED照明系统更加节能和耐用。

    5. 信号放大电路:ZXMN10A11K也适用于各类信号放大电路。由于其高输入阻抗和低输出阻抗,可以在不影响信号质量的情况下,进行高效的信号放大。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:ZXMN10A11K具有极低的导通电阻(RDS(on)),在典型应用中约为0.03欧姆。这一特点使其在导通状态下能够提供更大的电流,同时减少功率损耗,提高电路效率。

    - 高电流处理能力:ZXMN10A11K最大可处理的连续漏极电流(ID)为10A,突发电流(IDM)可达40A,适用于需要高电流处理能力的应用场景,如电机驱动和开关电源。

    - 高耐压性:其漏源极间耐压(VDS)为100V,使得ZXMN10A11K能够在高压环境中稳定工作,适用于一些需要高耐压能力的应用,如工业控制和电池管理系统。

    - 快速开关速度:ZXMN10A11K具有极快的开关速度,典型的栅极电荷(Qg)仅为9nC。这使其在高速开关应用中表现出色,如开关电源和高速信号放大电路。

    - 低栅极驱动电压:ZXMN10A11K的栅极驱动电压(VGS)范围为2V到20V,通常在5V左右即可完全开启。这意味着它可以与低电压逻辑电路兼容,广泛应用于数字电路和微控制器接口中。

    通过以上详细介绍,可以看出ZXMN10A11K不仅在各类应用场景中具有广泛的用途,而且其参数特点也非常适合高效、可靠的电子电路设计。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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