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场效应MOS管W25NM60N参数

PD最大耗散功率:160WID最大漏源电流:21AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.16ΩVRDS(ON)ld通态电流:10.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    W25NM60N是一款MOSFET功率场效应管,具有广泛的应用场景和独特的参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源电路:W25NM60N在开关电源、逆变器和变换器等电源电路中扮演着重要角色。其低导通电阻和高耐压能力使其成为电源系统中的理想选择,可有效提高电源转换效率并减少能量损耗。

    2. 电机驱动:作为功率开关元件,W25NM60N可用于各种类型的电机驱动系统,包括直流电机、步进电机和交流电机。其快速开关特性和低开关损耗有助于提高电机驱动效率和响应速度。

    3. 照明系统:在LED驱动器和照明系统中,W25NM60N可用于调光控制、电流调节和功率转换等关键功能。其高效能和可靠性确保了照明系统的稳定性和长期可靠运行。

    4. 汽车电子:W25NM60N在汽车电子领域具有重要应用,包括发动机控制单元(ECU)、电动汽车驱动系统和车载充电器等。其高耐压和高温特性使其能够在严苛的汽车环境下稳定工作。

    5. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,W25NM60N可用于太阳能逆变器,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。其高效能和可靠性使得逆变器能够充分利用太阳能资源并输出稳定的电力。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:W25NM60N具有较低的导通电阻,能够在导通状态下降低功率损耗,提高效率。

    2. 高耐压能力:该器件具有较高的耐压能力,可在高压环境下稳定工作,适用于各种高压应用场景。

    3. 快速开关特性:W25NM60N具有快速的开关速度,有助于减少开关损耗并提高系统响应速度。

    4. 可靠性:该器件经过严格的可靠性测试,具有优异的稳定性和长期可靠性,适用于各种工业和汽车应用场景。

    5. 温度特性:W25NM60N具有良好的温度特性,能够在宽温度范围内稳定工作,适用于各种环境条件下的应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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