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场效应MOS管W20NM50参数

PD最大耗散功率:214WID最大漏源电流:20AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.25ΩVRDS(ON)ld通态电流:10AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    W20NM50是一种高效的功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备和系统中。本文将详细介绍W20NM50的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:W20NM50在电源管理系统中表现出色,特别是在开关电源和不间断电源(UPS)中。由于其低导通电阻和高开关速度,W20NM50能有效减少能量损耗,提高系统效率。

    2. 电动汽车:在电动汽车的电池管理和电机驱动系统中,W20NM50也有广泛应用。其高电流处理能力和耐高压特性,使其成为这些高要求应用中的理想选择。

    3. 可再生能源系统:W20NM50在太阳能和风能转换系统中用于逆变器和直流转换器。其高效能和可靠性确保了可再生能源系统的稳定运行。

    4. 工业自动化设备:在工业自动化设备中,如电机驱动器、机器人控制器等,W20NM50因其高效率和耐用性,能够满足复杂环境下的高性能要求。

    5. 消费电子产品:W20NM50也广泛应用于消费电子产品中,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理模块。其紧凑的封装和优越的电气性能,适合现代便携设备的设计需求。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):W20NM50的低导通电阻意味着在通电状态下电流通过时产生的损耗较小,这不仅提高了效率,还减少了器件的发热量,从而延长了其使用寿命。

    - 击穿电压(VDSS):W20NM50具有500V的击穿电压,确保了在高压应用中的可靠性和稳定性。这一特性使其能够在多种高压环境中安全运行。

    - 开关速度:W20NM50的开关速度非常快,适合高频开关应用。这种高速度不仅提高了系统的响应速度,还降低了开关损耗,从而提升整体系统的效率。

    - 栅极电荷(Qg):W20NM50具有较低的栅极电荷,这意味着在开关过程中所需的驱动能量较少。这有助于降低驱动电路的复杂性和能耗。

    - 封装类型:W20NM50通常采用TO-220封装,这种封装形式不仅具有良好的散热性能,而且便于安装和应用。这对需要高散热性能的应用场景尤为重要。

    通过以上详细介绍,可以看出W20NM50具有广泛的应用场景和优越的参数特点,使其成为电力电子领域中备受青睐的功率MOSFET之一。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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