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场效应MOS管W13NK100Z参数

PD最大耗散功率:350WID最大漏源电流:13AV(BR)DSS漏源击穿电压:1000VRDS(ON)Ω内阻:0.7ΩVRDS(ON)ld通态电流:6.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    W13NK100Z是一种高效能的 N 沟道功率 MOSFET,其主要应用场景如下:

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):W13NK100Z常用于开关电源中,尤其是在高效电源转换的场合。它的高电流承载能力和低导通电阻使其成为电源管理系统中的理想选择,能够显著提高电源转换效率并减少功率损耗。

    2. 电动汽车充电系统:随着电动汽车的普及,W13NK100Z被广泛应用于电动汽车的充电系统中。它在高频工作条件下表现出色,能够有效地管理电流和电压,确保充电过程的稳定和高效。

    3. 工业自动化:在工业自动化领域,W13NK100Z常用于各种电机驱动和控制系统。它的快速开关能力和耐高压特性,使其适合用于复杂的工业环境中,保证设备的可靠运行。

    4. 光伏逆变器:光伏系统需要高效的电能转换器来将太阳能转换为可用电能。W13NK100Z的高效率和稳定性能,使其成为光伏逆变器中的关键组件,有助于提高整体系统的能量转换效率。

    5. 通信设备:在通信设备中,W13NK100Z可用于电源放大器和其他需要高效电能管理的模块。它能够在高频率下稳定工作,为通信设备提供可靠的电源支持。

    二、参数特点:

    - 导通电阻 (RDS(on)):W13NK100Z具有极低的导通电阻,典型值仅为 0.1 Ω。这意味着在相同电流条件下,功率损耗较低,能够提高系统的整体效率。

    - 额定电流 (ID):W13NK100Z的最大额定电流为 13A。这使其在高电流应用中表现优异,能够处理较大的电流负载,适用于需要大电流传输的场合。

    - 额定电压 (VDS):W13NK100Z的最大额定电压为 1000V。这一高耐压特性使其在高压应用中具备可靠性,适合于需要高电压处理的电源和转换器设备。

    - 栅极电荷 (Qg):栅极电荷是影响开关速度的重要参数。W13NK100Z的典型栅极电荷为 150nC,这使其具备快速开关能力,能够在高频率下高效运行。

    - 热阻 (RthJC):W13NK100Z具有较低的结到壳热阻,典型值为 0.7°C/W。这有助于有效散热,防止器件过热,提高其在高功率应用中的稳定性和寿命。

    综上所述,W13NK100Z作为一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,凭借其出色的电气特性和广泛的应用场景,成为现代电力电子系统中的重要组成部分。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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