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场效应MOS管W12NK80Z参数

PD最大耗散功率:190WID最大漏源电流:10.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:0.75ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.25AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    W12NK80Z是一款常见的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路中。以下将从应用场景和参数特点两方面详细展开说明。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:W12NK80Z常用于开关电源和DC-DC转换器中,帮助实现高效的电能转换和分配。这种MOSFET的高耐压和低导通电阻特性使其在电源管理中表现优异。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,W12NK80Z可用作开关元件,以控制电机的启停和速度调节。其高电流处理能力和快速开关速度使其成为电机驱动电路的理想选择。

    3. 照明系统:W12NK80Z也常用于LED照明系统中,通过调节电流来控制LED的亮度和效率。其高效的电流控制能力有助于实现节能和长寿命的照明解决方案。

    4. 音频放大器:在音频设备中,W12NK80Z可用作输出级放大器,提供高功率、高保真的音频信号放大功能。其低失真和高效率特性确保了音质的优越性。

    5. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,W12NK80Z用于逆变器电路,将直流电转换为交流电。其高耐压和高效能转换特性使其适合在太阳能逆变器中使用,提升整体系统效率。

    二、参数特点:

    - 高耐压:W12NK80Z的耐压值为800V,这使其能够在高电压环境下稳定工作,适合应用于高压电源和电机驱动等领域。

    - 低导通电阻:其典型导通电阻(RDS(on))仅为0.65Ω,有效减少了功耗和热量积累,提高了整体系统的效率。

    - 高电流处理能力:W12NK80Z的最大连续漏极电流(ID)为12A,使其能够处理较大电流负载,适用于大功率设备和电路。

    - 快速开关速度:该MOSFET的开关速度非常快,具有低的开关损耗,这对高频开关电路(如开关电源和DC-DC转换器)尤为重要。

    - 良好的热性能:W12NK80Z具有较高的结温和热阻,使其在高功率应用中能够有效散热,确保长期稳定运行。

    综上所述,W12NK80Z凭借其优异的电气性能和广泛的应用场景,成为众多电子工程师在设计电源管理、电机驱动、照明系统、音频放大器和太阳能逆变器等应用时的首选器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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