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场效应MOS管W11NK90Z参数

PD最大耗散功率:200WID最大漏源电流:9.2AV(BR)DSS漏源击穿电压:900VRDS(ON)Ω内阻:0.98ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    W11NK90Z是一种高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于多个领域,以下是一些主要的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:W11NK90Z常用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和DC-DC转换器中。这是因为其低导通电阻和高开关速度,可以有效提高系统的效率和可靠性。

    2. 电机驱动:在工业自动化和家用电器中,W11NK90Z常用于电机驱动电路。其高耐压和高电流处理能力使其能够在高功率的电机控制应用中表现优异。

    3. 照明控制:在LED照明驱动电路中,W11NK90Z被广泛使用。它的高效率和低热耗特性使得照明系统能够在低功耗条件下长时间稳定运行。

    4. 太阳能逆变器:W11NK90Z在太阳能发电系统中扮演重要角色,特别是在逆变器模块中。它能够处理高电压和高频率的开关动作,提升整体系统的能源转换效率。

    5. 汽车电子:由于其耐高压和高可靠性的特点,W11NK90Z也被应用于汽车电子领域,如电动汽车的电池管理系统(BMS)和车载充电器等。

    二、参数特点:

    - 高耐压能力:W11NK90Z具有900V的漏源击穿电压(BVDSS),这使得它能够在高压应用中可靠运行,如电源管理和太阳能逆变器等。

    - 低导通电阻:其典型导通电阻(RDS(on))仅为0.48欧姆,这意味着在导通状态下,W11NK90Z能够有效减少功率损耗,提高系统效率。

    - 高电流处理能力:W11NK90Z的连续漏极电流(ID)可达11A,使其能够在大电流应用中稳定运行,适合电机驱动和电源管理等场景。

    - 快速开关速度:W11NK90Z具有低栅极电荷(Qg),这意味着它能够实现快速开关,有助于减少开关损耗和电磁干扰(EMI),提高整体系统性能。

    - 热性能优异:W11NK90Z的结-壳热阻(RthJC)为1.3°C/W,确保其在高功率和高频应用中能够有效散热,保持稳定的工作状态。

    综上所述,W11NK90Z凭借其高耐压、低导通电阻、高电流处理能力、快速开关速度和优异的热性能,成为电源管理系统、电机驱动、照明控制、太阳能逆变器和汽车电子等多个领域的理想选择。这些特点使得W11NK90Z能够在各种高要求的应用环境中提供可靠的性能和效率。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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