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场效应MOS管VND7N04参数

PD最大耗散功率:60WID最大漏源电流:7AV(BR)DSS漏源击穿电压:42VRDS(ON)Ω内阻:0.14ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:0.8~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    VND7N04是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各类电源管理和电路保护领域。本文将详细介绍VND7N04的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 汽车电子领域:VND7N04常用于汽车的电子控制单元(ECU)中,用于控制车灯、风扇、泵等电机驱动。其高效的电流处理能力和低导通电阻,使其在汽车电子领域表现优异。

    2. 电源管理:在开关电源和直流-直流转换器中,VND7N04凭借其快速开关速度和低损耗特点,广泛用于电源管理电路。它可以有效提高电源转换效率,减少能量损耗。

    3. 工业控制:VND7N04也被广泛应用于工业自动化控制系统中,用于驱动电机、控制阀门等。其高耐压和大电流处理能力使其在工业控制领域非常适用。

    4. 消费电子:在智能手机、平板电脑等消费电子设备中,VND7N04被用作电源开关和保护电路,确保设备的安全和高效运行。

    5. 太阳能系统:VND7N04还用于太阳能发电系统的逆变器和功率优化器中。其高效的电能转换和稳定的性能,使其成为太阳能系统中的重要组件。

    二、参数特点:

    - 导通电阻:VND7N04的典型导通电阻(R_DS(on))非常低,通常在0.04欧姆以下。这使得它在导通时能够有效减少功率损耗,提高系统效率。

    - 电流处理能力:VND7N04的最大连续漏极电流(I_D)可以达到70安培,这使得它能够处理大电流负载,适用于高功率应用场合。

    - 耐压性:VND7N04的漏源击穿电压(V_DS)为75伏,能够在较高电压环境下稳定工作,提供良好的电路保护能力。

    - 开关速度:VND7N04具有非常快的开关速度,开关时间通常在数十纳秒级别。这使得它在高频应用中表现出色,能够满足快速响应的需求。

    - 热性能:VND7N04的热阻(R_thJC)较低,通常在0.5°C/W左右,这意味着它具有良好的热管理性能。在高功率工作时,能够有效散热,保持稳定运行。

    通过以上介绍,可以看出VND7N04在多个领域中有着广泛的应用,其优越的参数特点也使其在高效电源管理和电路保护中表现出色。VND7N04无疑是现代电子设计中不可或缺的重要元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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