PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:3AV(BR)DSS漏源击穿电压:4000VRDS(ON)Ω内阻:0.25ΩVRDS(ON)ld通态电流:0.5AVRDS(ON)栅极电压:5VVGS(th)V开启电压:VVGS(th)ld(μA)开启电流:μA
立即咨询一、应用场景:
1. 汽车电子:VND1NV04常用于汽车电子系统中,特别是在电源管理和电机驱动控制中。由于其高效的电流传输能力和低导通电阻,这款MOS管能够有效地降低能量损耗,提高系统的整体效率。
2. 电源管理:在各类电源管理应用中,VND1NV04被广泛应用于DC-DC转换器和电池管理系统。这款器件能够提供稳定的电流输出和高效的电压转换,从而保障电源系统的可靠性和稳定性。
3. 工业控制:VND1NV04也常见于工业自动化设备中,例如可编程逻辑控制器(PLC)和机器人控制系统。它能够承受较高的电压和电流,从而适应各种严苛的工业环境。
4. 消费电子:在智能手机、平板电脑等消费电子产品中,VND1NV04被用于电源分配和电池保护模块。其高效能和低功耗特点,有助于延长设备的电池寿命。
5. 通信设备:在通信设备如路由器和基站中,VND1NV04用于信号放大和电源管理,确保设备在高频率运行时的稳定性和可靠性。
二、参数特点:
- 低导通电阻:VND1NV04的导通电阻非常低,这意味着在传输电流时产生的能量损耗较少,从而提高了系统的效率。其典型的导通电阻值为25毫欧姆。
- 高电流能力:VND1NV04具有较高的电流传输能力,最大连续漏极电流可达30A。这使得它在需要处理大电流的应用中表现出色。
- 高耐压特性:该MOS管具有出色的耐压特性,最大漏源极电压可达40V。这使得VND1NV04能够在各种高压环境下稳定工作,适用于汽车和工业控制等领域。
- 快速开关速度:VND1NV04拥有快速的开关速度,能够在短时间内完成导通和关断操作。这使得它在高频应用中具有优势,如开关电源和脉冲电路。
- 热性能:VND1NV04的热阻非常低,典型值为0.8°C/W。这意味着它在高功率操作下能够有效散热,保持较低的工作温度,从而提高器件的可靠性和寿命。
通过以上对VND1NV04应用场景和参数特点的详细描述,可以看出它是一款性能优越、应用广泛的场效应MOS管。无论是在汽车电子、电源管理、工业控制、消费电子还是通信设备中,VND1NV04都能发挥其独特的优势,为各类电子系统提供可靠的性能保障。
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