收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管VND14NV04参数

场效应MOS管VND14NV04参数

PD最大耗散功率:74WID最大漏源电流:15AV(BR)DSS漏源击穿电压:4000VRDS(ON)Ω内阻:0.035ΩVRDS(ON)ld通态电流:7AVRDS(ON)栅极电压:5VVGS(th)V开启电压:VVGS(th)ld(μA)开启电流:μA

立即咨询


    VND14NV04是一种具有广泛应用的N沟道功率MOSFET,它在各种电子设备和电路中发挥着重要作用。下面将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 通信设备:VND14NV04在通信设备中常用于功率放大、开关控制等电路中,确保信号传输的稳定性和可靠性。

    2. 电源管理:在电源管理系统中,VND14NV04可用于开关电源、DC-DC变换器等模块,提供高效的功率转换和稳定的电源输出。

    3. 电动汽车:VND14NV04常用于电动汽车的电机驱动器中,确保电机的高效运行和系统的稳定性。

    4. 工业自动化:在工业控制系统中,VND14NV04可用于高功率负载的控制和驱动,保证设备的可靠运行。

    5. LED照明:VND14NV04可用作LED驱动器的关键组件,实现LED灯光的精确控制和节能效果。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:VND14NV04具有较低的导通电阻,有效降低功率损耗,提高系统效率。

    2. 高耐受电流:该器件能够承受较高的电流负载,保证系统在高负载情况下的稳定性。

    3. 低开关损耗:VND14NV04具有较低的开关损耗,适用于高频率开关电源等应用。

    4. 过温保护:器件内置过温保护功能,能够在温度超出安全范围时自动断开电路,保护设备和系统。

    5. 超快开关速度:VND14NV04具有快速的开关速度,实现快速响应和精确控制。

    通过以上介绍,可以看出VND14NV04在各种高功率电子设备和电路中都具有重要作用,其优异的参数特点使其成为工程师和设计师首选的器件之一。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号