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场效应MOS管TK8A45D参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:8AV(BR)DSS漏源击穿电压:450VRDS(ON)Ω内阻:0.9ΩVRDS(ON)ld通态电流:4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.4~4.4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    TK8A45D是一种常见的MOSFET(场效应晶体管),其应用场景广泛,主要包括以下几个方面:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,TK8A45D常用作开关元件。由于其低导通电阻和高效率,使其能够在高频率下稳定工作,从而提高电源转换效率。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,TK8A45D被用于控制电机的启动和停止。其快速开关特性和高电流处理能力,使其在需要高精度控制的场合表现出色。

    3. 太阳能逆变器:TK8A45D也广泛应用于太阳能逆变器中。它能有效地处理从太阳能电池板来的直流电,转换成交流电,满足家庭和工业用电需求。

    4. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,TK8A45D用于管理电池的充电和放电过程,确保在电源故障时能够稳定供电。

    5. 照明控制:在现代LED照明控制系统中,TK8A45D常用于调节LED灯的亮度和开关状态。其高效能和长寿命使其成为理想选择。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:TK8A45D的导通电阻非常低,通常在几十毫欧范围内。这意味着在高电流通过时,它能有效减少功率损耗,提高整体系统效率。

    - 高电流处理能力:TK8A45D能够处理较高的电流,这使其在大功率应用中如电机驱动和电源管理中非常实用。其最大漏极电流通常可达数十安培。

    - 高耐压能力:TK8A45D的耐压能力也非常突出,漏源电压可高达450V。这使其适用于需要高电压操作的场合,如开关电源和逆变器。

    - 快速开关速度:由于TK8A45D的栅极电容较小,其开关速度非常快,这对于高频应用非常重要。快速开关速度不仅提高了系统的响应能力,还减少了开关损耗。

    - 热性能优越:TK8A45D的热阻较低,这意味着在大电流通过时,器件的温升较小,有助于提高可靠性和延长使用寿命。

    综上所述,TK8A45D凭借其低导通电阻、高电流处理能力、高耐压能力、快速开关速度和优越的热性能,成为了开关电源、电机驱动、太阳能逆变器、UPS系统和照明控制等众多领域的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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