PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:7AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.048ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA
立即咨询一、应用场景:
1. 电源管理系统:TK7S10N1Z常用于电源管理系统中,例如开关电源、直流-直流转换器和不间断电源系统。在这些应用中,TK7S10N1Z能够高效地控制电流和电压,确保系统的稳定和高效运行。
2. 电动工具和家用电器:TK7S10N1Z在电动工具和家用电器中的应用也非常普遍。它可以有效地管理电机的启动和运行,从而提高设备的效率和耐用性。
3. 新能源汽车:在新能源汽车的电池管理系统中,TK7S10N1Z起着至关重要的作用,确保电池的安全充电和放电,延长电池寿命。
4. 工业自动化设备:例如,在机器人和自动化生产线中,这款功率MOSFET能够提供精准的电流控制,保证设备的平稳运行和高效生产。
二、参数特点:
- 低导通电阻(Rds(on)):TK7S10N1Z的导通电阻非常低,这意味着在导通状态下,电能损耗较小,效率较高。这使其非常适合高效能的电源管理和转换应用。
- 高耐压能力:TK7S10N1Z的漏源极耐压(Vds)高达100V,能够承受较高的电压应力,适用于需要高耐压能力的应用场景,如电源开关和电机控制。
- 大电流处理能力:TK7S10N1Z的最大连续漏极电流(Id)为57A,能够处理大电流,适合高功率应用。
- 快速开关速度:TK7S10N1Z具有极快的开关速度,能够在短时间内完成开关操作。这对于需要高频开关操作的应用,如开关电源和DC-DC转换器,尤为重要。
- 低栅极电荷(Qg):TK7S10N1Z的栅极电荷较低,这意味着在开关过程中所需的驱动能量较小,进一步提高了整体的系统效率。
综上所述,TK7S10N1Z凭借其低导通电阻、高耐压、大电流处理能力、快速开关速度和低栅极电荷等优越特性,成为电源管理、工业自动化、电动工具和新能源汽车等领域中的理想选择。
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