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场效应MOS管TK7A65W参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:6.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.78ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.5~3.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    TK7A65W是一款高性能的N沟道MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:TK7A65W常用于DC-DC转换器、AC-DC转换器等电源管理系统中,能够高效地控制电流和电压,提供稳定的电源输出。

    2. 电动汽车:在电动汽车的电池管理系统和动力控制单元中,TK7A65W起到关键作用,能够有效地管理电池充放电,提升整体能效。

    3. 工业控制:在工业自动化设备中,TK7A65W用于控制电机和其它高功率负载。其高效的开关特性使其在高速、高精度的工业控制中得以应用。

    4. 消费电子:如智能手机、平板电脑等消费电子产品中,TK7A65W用于功率放大和电源管理,确保设备在高负载下仍能正常运行。

    5. 可再生能源系统:在太阳能发电和风能发电系统中,TK7A65W用于逆变器和电源管理单元,帮助将可再生能源高效转换为电能。

    二、参数特点:

    - 高耐压:TK7A65W的漏源电压(Vds)高达650V,使其适用于高压环境中的应用,如工业控制和电动汽车等。

    - 低导通电阻:其典型导通电阻(Rds(on))仅为0.7Ω,这意味着在高电流通过时,能量损耗较小,效率更高。

    - 高速度开关:TK7A65W的开关速度非常快,具有较低的开关损耗,这使得它在高频应用中具有显著优势。

    - 高电流能力:它能够处理高达10A的连续漏极电流(Id),这使得它在需要大电流的应用中非常适用,如电动汽车和电源管理系统。

    - 高结温:TK7A65W的最大结温可达150摄氏度,这使其在高温环境下仍能保持稳定工作,适合各种严苛的应用场景。

    综上所述,TK7A65W凭借其高耐压、低导通电阻、高速度开关、高电流能力和高结温等特点,成为众多高性能电子设备和系统中的关键元件。无论是在电源管理、工业控制还是消费电子领域,TK7A65W都展现出其卓越的性能和广泛的应用价值。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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