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场效应MOS管TK7A60W5参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:7AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.65ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    TK7A60W5是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)等系统中,TK7A60W5常用作高效开关元件,帮助提高系统的转换效率和稳定性。

    2. 电动汽车和混合动力车辆:在电动汽车的电机控制和电池管理系统中,TK7A60W5能提供高效的功率转换和能量管理,提升整车的能效表现。

    3. 工业控制:在工业自动化设备中,TK7A60W5用于电机驱动、变频器等应用,能够提供可靠的电流控制和保护。

    4. 消费电子:如笔记本电脑、智能手机等,TK7A60W5用于电源管理模块中,帮助延长电池寿命和提升设备性能。

    5. 太阳能和风能系统:在可再生能源系统中,TK7A60W5用于逆变器和充电控制器,确保能源转换的高效性和可靠性。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:TK7A60W5的击穿电压高达600V,能够承受较高的电压应力,适用于高压应用场景。

    - 低导通电阻:其导通电阻仅为0.75Ω,这意味着在大电流通过时,TK7A60W5能够有效降低功率损耗,提升系统效率。

    - 快速开关速度:TK7A60W5具有快速的开关特性,能够在高频应用中提供稳定的性能,减少开关损耗和电磁干扰。

    - 低栅极电荷:TK7A60W5的栅极电荷较低,使其在开关过程中需要较少的驱动能量,从而减少驱动电路的复杂性和功耗。

    - 热管理性能优异:TK7A60W5采用先进的封装技术,具有优异的热导性能,能够在高功率应用中有效散热,延长器件寿命。

    综上所述,TK7A60W5在电源管理、电动汽车、工业控制、消费电子和可再生能源等领域展现了广泛的应用前景,其高击穿电压、低导通电阻、快速开关速度、低栅极电荷以及优异的热管理性能,确保了其在各种应用中的可靠性和高效性。这些特点使得TK7A60W5成为工程师们在设计高效、高可靠性电路时的优先选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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