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场效应MOS管TK72A12N1参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:179AV(BR)DSS漏源击穿电压:120VRDS(ON)Ω内阻:0.0045ΩVRDS(ON)ld通态电流:36AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    TK72A12N1是一种常用于功率管理电路中的功率MOSFET,特别适用于以下几个主要应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):TK72A12N1广泛应用于开关电源中。其高效能和低导通电阻使其能够在高频开关情况下保持高效运行。这对于需要高效率和稳定性的电源转换器来说尤为重要。

    2. 直流-直流转换器(DC-DC Converter):在直流-直流转换器中,TK72A12N1由于其快速开关特性和低开关损耗,能够显著提高转换效率,减少能源消耗。这使其在便携式电子设备和电动汽车等应用中非常受欢迎。

    3. 电机驱动器:TK72A12N1在电机驱动应用中同样表现出色,特别是在需要高电流和快速响应的场景下。其高电流承载能力和低导通电阻可以有效提高电机驱动系统的性能和可靠性。

    4. 太阳能逆变器:对于太阳能发电系统,TK72A12N1的高效率和高可靠性使其成为逆变器中的关键组件,能够将直流电高效转换为交流电,提高整个系统的能源转换效率。

    5. 电池管理系统:在电池管理系统中,TK72A12N1能够提供高效的充电和放电控制,其低功耗和高可靠性确保了电池的长寿命和高性能。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(Rds(on)):TK72A12N1的导通电阻非常低,这使其在高电流条件下能够有效减少功耗和热量生成,从而提高整体系统的效率和可靠性。

    - 最大漏极电流(Id):TK72A12N1的最大漏极电流能够达到高值,通常在数十安培范围内,这使其能够承受较大的电流负载,适用于高功率应用场景。

    - 耐压值(Vds):TK72A12N1具有较高的漏源极耐压值,通常在几十到上百伏之间,这使其在高电压应用中能够保持稳定运行,避免击穿和损坏。

    - 开关速度:TK72A12N1具备极快的开关速度,这对于高频开关应用来说尤为关键。快速的开关速度能够减少开关损耗,提高整体电路的效率。

    - 热阻(Rth):TK72A12N1的热阻较低,意味着其在高功率运行时能够有效散热,防止器件过热,确保长时间稳定运行。

    综上所述,TK72A12N1是一款非常适合高效率、高可靠性电力电子应用的功率MOSFET。其优越的性能使其在各种应用中都能发挥重要作用,满足不同领域对功率元件的需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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