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场效应MOS管TK72A08N1参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:157AV(BR)DSS漏源击穿电压:80VRDS(ON)Ω内阻:0.0045ΩVRDS(ON)ld通态电流:36AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    TK72A08N1是一种N沟道增强型功率MOSFET,其应用场景非常广泛,主要包括以下几个方面:

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:TK72A08N1在电源管理系统中表现出色,特别是在开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中。其低导通电阻和高效率开关特性使其在这些应用中非常受欢迎,能够有效降低能量损耗,提高系统效率。

    2. 电机控制:在电机控制领域,TK72A08N1常用于驱动各种电动机,包括直流电动机和无刷电动机。其高开关速度和低损耗特性能够提供精确且高效的电机控制,适用于工业自动化、家用电器等领域。

    3. 电动汽车:电动汽车中的电池管理系统(BMS)和电动驱动系统也经常使用TK72A08N1。它能够在高电流和高压环境下工作,保证了电动汽车的安全性和可靠性,同时提升了电能的使用效率。

    4. 光伏逆变器:在光伏逆变器中,TK72A08N1用于转换直流电为交流电。其高效的开关特性和低导通电阻使其能够最大程度地利用太阳能,提升光伏系统的整体效率。

    5. 消费电子产品:TK72A08N1也广泛应用于各种消费电子产品中,如笔记本电脑、智能手机和平板电脑等。它在这些设备中用于电源管理和散热管理,确保设备的高效运行和长时间稳定性。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:TK72A08N1具有极低的导通电阻(RDS(on)),这一特点使其在导通状态下的功耗非常低,适用于高效率的电源转换和电能传输应用。

    2. 高耐压:TK72A08N1的漏源极耐压(VDSS)高达100V,这使其能够在高压应用中稳定工作,提供了广泛的电压操作范围,满足不同应用场景的需求。

    3. 高开关速度:TK72A08N1具有高开关速度,这一特性在高频开关电路中尤为重要。它能够减少开关损耗,提高系统的整体效率,适用于需要快速切换的应用场景。

    4. 高电流能力:TK72A08N1的最大连续漏极电流(ID)为72A,这使其能够处理大电流应用,如电动汽车和工业电机控制,确保设备在高负载条件下的可靠性和稳定性。

    5. 热性能优越:TK72A08N1具有良好的热性能,能够在高温环境下稳定工作。其热阻低,有助于迅速散热,避免过热损坏,提升了器件的使用寿命和安全性。

    综上所述,TK72A08N1作为一款高性能的功率MOSFET,凭借其低导通电阻、高耐压、高开关速度、高电流能力以及优越的热性能,广泛应用于电源管理、电机控制、电动汽车、光伏逆变器以及消费电子产品等多个领域。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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