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场效应MOS管TK6A60D参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:6AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:1.25ΩVRDS(ON)ld通态电流:3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    TK6A60D是一种常用的功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),其应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 电源管理:TK6A60D常用于开关电源和电池管理系统中。其高效能和低导通电阻使其在这些应用中表现出色,能够有效减少能量损耗,提高系统的整体效率。

    2. 电动工具:在电动工具如电钻、电锯中,TK6A60D能提供强大的驱动能力和快速的开关速度,确保工具在高负载下的稳定工作。

    3. 家用电器:许多家用电器如空调、冰箱和洗衣机等也广泛使用TK6A60D。它能够在这些设备中提供稳定的功率控制,确保设备的安全和高效运行。

    4. 汽车电子:在汽车电子系统中,TK6A60D可以用于电动窗、座椅调节和发动机控制等多种应用。其耐高温和高电流的特性使其在汽车环境中具有优越的性能。

    5. 工业控制:TK6A60D还用于工业控制系统中,如PLC(可编程逻辑控制器)和各种自动化设备。它能够提供高效的功率转换和稳定的控制信号。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):TK6A60D具有极低的导通电阻(通常为0.19Ω),这意味着在导通状态下,电流通过器件时产生的压降和能量损耗非常小,提升了系统的效率。

    - 高击穿电压(VDSS):TK6A60D的击穿电压高达600V,使其适用于需要高耐压的应用场合,能够承受较大的电压冲击而不被损坏。

    - 高电流能力:TK6A60D具有较高的连续漏极电流(ID)能力,通常在10A左右,这使其能够处理较大的负载电流,适用于高功率的应用场景。

    - 快速开关速度:TK6A60D的开关速度非常快,能够在极短的时间内完成导通和关断过程。这一特点对于提高电源转换效率和减少开关损耗至关重要。

    - 耐高温性能:TK6A60D的结温最高可达150°C,具有良好的耐高温性能,能够在高温环境下稳定工作,适合恶劣的工作条件。

    综上所述,TK6A60D以其低导通电阻、高击穿电压、高电流能力、快速开关速度和优异的耐高温性能,广泛应用于电源管理、电动工具、家用电器、汽车电子和工业控制等多个领域。这些特点使得TK6A60D成为功率MOSFET市场中备受青睐的选择,能够满足多种复杂应用场景的需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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