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场效应MOS管TK6A55DA参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:5.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:550VRDS(ON)Ω内阻:1.48ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.8AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:24~4.4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    TK6A55DA是一种MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于各种电子设备的电源管理和电机驱动中。以下详细介绍TK6A55DA的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:TK6A55DA常用于电源管理系统,如开关电源、DC-DC转换器和不间断电源(UPS)中。其低导通电阻和高开关速度使其在这些应用中表现出色,能够有效减少能量损耗,提高电源效率。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,TK6A55DA表现优异,适用于各种直流电机和步进电机的驱动。其高耐压和大电流能力能够满足电机启动和运行过程中对电流和电压的苛刻要求。

    3. 消费电子:TK6A55DA广泛应用于消费电子产品中,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。这些设备需要高效的电源管理和热管理,TK6A55DA的高效能和小型封装能够满足这些要求。

    4. 工业控制:在工业控制系统中,TK6A55DA用于驱动各种工业设备,如传感器、执行器和继电器。其高可靠性和长寿命使其成为工业应用中的理想选择。

    5. 汽车电子:TK6A55DA还用于汽车电子系统中,如车载充电器、电动窗和座椅调节系统。其高耐热性和抗干扰能力保证了在汽车严苛环境中的稳定运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:TK6A55DA的低导通电阻(Rds(on))使其在导通状态下能够提供低电阻路径,从而减少能量损耗,提高效率。具体来说,其导通电阻在典型应用中仅为几毫欧姆。

    - 高开关速度:TK6A55DA具有高开关速度,能够在纳秒级时间内完成开关动作。这一特点使其在高频应用中表现出色,能够有效提高电源转换效率。

    - 高耐压:TK6A55DA的漏源极耐压(Vds)高达55V,能够在高压环境下稳定工作,适用于各种高压应用场景。

    - 大电流能力:TK6A55DA能够承受高达30A的连续漏极电流,使其在需要大电流的应用中(如电机驱动和电源管理)表现出色。

    - 热管理性能:TK6A55DA的热阻较低,能够有效散热,保持器件在高电流工作时的稳定性。其高效的热管理性能使其在高功率应用中具有显著优势。

    综上所述,TK6A55DA凭借其低导通电阻、高开关速度、高耐压、大电流能力和优良的热管理性能,广泛应用于电源管理、电机驱动、消费电子、工业控制和汽车电子等领域。这些特点使其成为现代电子设备中不可或缺的核心元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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