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场效应MOS管TK6A53D参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:6AV(BR)DSS漏源击穿电压:525VRDS(ON)Ω内阻:1.3ΩVRDS(ON)ld通态电流:3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:24~4.4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    TK6A53D是一款由东芝公司生产的MOSFET晶体管,其广泛应用于各种电子设备和电路设计中。以下将详细介绍TK6A53D的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:TK6A53D常用于电源管理电路,特别是DC-DC转换器和稳压器。由于其低导通电阻和高电流处理能力,它可以有效地降低功耗,提高电源效率。

    2. 电动机驱动:在电动机驱动应用中,TK6A53D表现出色。其快速开关特性使其能够精确控制电动机的速度和方向,适用于工业自动化、家用电器和电动工具等领域。

    3. 照明控制:TK6A53D在LED照明控制电路中也有广泛应用。它可以高效驱动LED灯,提供稳定的电流输出,从而确保照明效果的稳定性和一致性。

    4. 通信设备:在通信设备中,TK6A53D被用于信号调制和放大电路。其高频性能和低噪声特性使其适合于无线通信和有线通信设备,如基站和路由器。

    5. 消费电子:TK6A53D广泛应用于消费电子产品中,包括智能手机、平板电脑和笔记本电脑。其小型封装和高效能使其在紧凑的电子设备中得到广泛应用。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:TK6A53D的典型导通电阻为2.8mΩ(在10V栅极驱动电压下)。低导通电阻意味着在电流流过时,电能损耗较低,从而提高了电路的整体效率。

    - 高电流处理能力:TK6A53D能够处理高达60A的连续电流,这使其适合于高功率应用,如电动机驱动和电源管理。

    - 高击穿电压:TK6A53D的漏源击穿电压为40V,这使其能够在较高电压环境下稳定工作,适用于各种电源和驱动电路。

    - 快速开关速度:TK6A53D的开关速度非常快,开关时间在纳秒级别。这种快速开关特性使其在高频应用中表现优异,如开关电源和高频放大器。

    - 低栅极电荷:TK6A53D的栅极电荷典型值为18nC,这意味着在切换过程中所需的能量较少,从而减少了驱动电路的功耗,提高了整体系统的效率。

    综上所述,TK6A53D凭借其优异的性能和多样的应用场景,成为许多电子设计中的首选元件。其低导通电阻、高电流处理能力、高击穿电压、快速开关速度和低栅极电荷等特点,使其在电源管理、电动机驱动、照明控制、通信设备和消费电子等领域表现出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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