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场效应MOS管TK6A50D参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:6AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:1.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:24~4.4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    TK6A50D是一种高性能的功率MOSFET,广泛应用于多个领域,特别是在电源管理和功率转换中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):TK6A50D常用于开关电源中,提供高效的功率转换。其高效能和低导通电阻特性,使其成为开关电源设计中的理想选择,能够有效降低功耗,提高系统效率。

    2. 电动工具:在电动工具中,TK6A50D作为主要的功率控制元件,能够承受高电流和高压,提供稳定的性能和高可靠性。这种应用场景对MOSFET的耐用性和可靠性要求很高,而TK6A50D完全可以满足这些需求。

    3. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,TK6A50D用于逆变器和整流器模块,确保电能的高效转换和稳定输出。其出色的导通特性和耐用性,使其在关键电源保护设备中发挥重要作用。

    4. 光伏逆变器:随着太阳能发电的普及,TK6A50D在光伏逆变器中的应用也越来越广泛。它能够在高温和高压环境下稳定工作,确保太阳能系统的高效能量转换。

    5. 电动车辆(EV)充电站:TK6A50D在电动汽车充电站中用于充电模块的功率控制。其高效率和高可靠性,确保充电过程中的稳定性和安全性,同时提高充电效率,减少能源浪费。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(Vds):TK6A50D的漏源电压高达500V,这意味着它可以在高压应用中使用,如电源转换和电动工具。

    - 导通电阻(Rds(on)):低导通电阻是TK6A50D的显著特点之一。其典型值为0.75Ω,这有助于降低开关损耗,提高整体系统效率。

    - 电流能力(Id):TK6A50D的连续漏极电流能力为12A,使其适合高电流应用,如电动工具和电源管理系统。

    - 栅极电荷(Qg):低栅极电荷是TK6A50D的另一优势,其典型值为34nC。这意味着在高频开关应用中,它能够实现快速开关,减少开关损耗和电磁干扰。

    - 工作温度范围:TK6A50D的工作温度范围为-55°C至150°C,适用于各种恶劣环境。这一特性使其在工业和汽车应用中表现尤为突出,能够应对极端温度变化。

    综上所述,TK6A50D作为一种高性能功率MOSFET,凭借其出色的电气参数和广泛的应用场景,成为电源管理、工业控制和新能源汽车等领域的理想选择。其高电压、高电流能力以及低导通电阻和低栅极电荷,使其在各种应用中都能提供高效、可靠的性能。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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