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场效应MOS管TK5A65DA参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:4.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:1.67ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.4~4.4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    TK5A65DA是一种广泛应用于各种电源管理和开关电路中的N沟道MOSFET(场效应晶体管)。它具有出色的性能参数,使其在多个电子设备和系统中成为理想选择。下面分别介绍TK5A65DA的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:TK5A65DA常用于开关电源中,特别是高效DC-DC转换器和AC-DC电源适配器中。其低导通电阻和快速开关速度,使其在转换效率和热管理方面表现优异。

    2. 电机驱动:在电机控制系统中,TK5A65DA用于控制电机的开关操作。它能提供高效的电流驱动能力,同时减少功率损耗,从而提高电机的整体性能和效率。

    3. 电池管理系统(BMS):在电动汽车和储能系统中,TK5A65DA被用于电池管理系统,以实现高效的充电和放电控制。其高耐压和低漏电流特点,有助于延长电池寿命和提高系统安全性。

    4. 太阳能逆变器:TK5A65DA在太阳能发电系统中应用广泛,特别是在逆变器模块中。其高开关频率和低损耗特性,使其能够有效转换太阳能板输出的直流电为交流电。

    5. 消费电子产品:TK5A65DA也应用于各种消费电子产品,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理模块。其高效率和紧凑尺寸,使其适合便携设备的设计需求。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):TK5A65DA的导通电阻非常低,典型值为1.2Ω。这使得它在导通状态下的功耗非常低,从而提高了系统的整体效率。

    - 高耐压能力(VDS):TK5A65DA的最大漏源电压为650V,这使其能够承受高电压应用中的瞬态电压,增强了系统的可靠性和安全性。

    - 高开关速度:TK5A65DA具有快速的开关速度,减少了开关损耗,特别适用于高频开关电路。其快速响应能力,有助于提高电源转换效率。

    - 低栅极电荷(Qg):TK5A65DA的总栅极电荷较低,典型值为40nC。这使得驱动电路设计更为简便,同时降低了开关损耗和驱动功耗。

    - 出色的热管理性能:TK5A65DA设计有较低的热阻,确保在高功率条件下能够有效散热,防止过热损坏器件,提高了系统的长期可靠性。

    通过上述对TK5A65DA应用场景和参数特点的详细介绍,可以看出TK5A65DA凭借其出色的电气性能和可靠性,在多个电子系统和设备中得到了广泛应用。其高效能、低损耗和高耐压等特性,使其成为现代电源管理和控制系统中的关键元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
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