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场效应MOS管TK5A60D参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:4.43ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.4~4.4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    TK5A60D是一款常见的功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),在许多电子设备和电力系统中都有广泛的应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:TK5A60D常用于开关电源、DC-DC转换器和电池管理系统中。其高效的开关性能和低导通电阻使其能够在电源管理中提供优异的能量转换效率。

    2. 电动工具:在电动工具如电钻、电锯中,TK5A60D因其高耐压、高电流能力,可以确保工具在高负载条件下稳定运行,并延长工具的使用寿命。

    3. 汽车电子:TK5A60D在汽车电子系统中也有重要应用,如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和车灯控制系统。其稳定的性能和高可靠性是汽车电子系统中不可或缺的元件。

    4. 工业控制:在工业自动化和控制系统中,TK5A60D被用于驱动电机和控制各类机械设备的运作。其高效能和耐用性帮助提高了工业设备的整体效率和稳定性。

    5. 家用电器:在家用电器如空调、冰箱和洗衣机中,TK5A60D被用来控制电机和压缩机的启动和停止,提供了可靠的功率控制。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压(Vds):TK5A60D的最大漏源电压为600V,这意味着它能够承受高达600V的电压而不被击穿,这使其非常适合用于高压应用场合。

    - 最大连续漏电流(Id):TK5A60D的最大连续漏电流为5A,能够在高电流应用中提供稳定的电流输出。这使得它在需要较大电流驱动的电源和控制系统中表现优异。

    - 导通电阻(Rds(on):TK5A60D的导通电阻非常低,在25°C时典型值仅为1.8Ω。低导通电阻意味着在通过大电流时产生的功耗较低,能提高整个系统的效率。

    - 栅极阈值电压(Vgs(th):TK5A60D的栅极阈值电压为2.0V至4.0V,这使其能够在较低的栅极电压下导通,有利于设计低功耗的驱动电路。

    - 功耗(Pd):TK5A60D的最大功耗为45W,良好的功耗特性意味着它在高功率应用中能够长时间稳定运行,而不需要复杂的散热措施。

    通过上述详细介绍,可以看出TK5A60D在电源管理、电动工具、汽车电子、工业控制和家用电器等多种应用场景中都具有重要作用,其参数特点也使其在实际应用中表现出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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